国泰海通海外科技十八讲：海外存储扩产与供需测算会议纪要

发布时间：2026-08-12 一、核心要点 1. 本次为国泰海通海外科技十八讲系列第四期，发布时间2026年8月12日，主题是海外存储原厂扩产计划、供需展望及观点更新，核心围绕存储行业供需关系展开，重点梳理扩产计划、供需测算及观点。 2. 核心供需结论：2028年为海外存储新增产能集中释放窗口，2026-2027年新增供给有限；2027年DRAM仍供不应求且HBM对DRAM产能挤占加剧，供需缺口扩大，NAND转向紧平衡；2028年除HBM外通用DRAM、NAND供需或趋于满足需求，2027年DRAM与NAND供需呈现分化态势。 3. 海外5家存储原厂资本开支数据：2023-2024年合计约600亿美元，2025年729亿美元，2026年超1100亿美元，2029年超2200亿美元；新建厂占比高，2026-2027年资本开支增量中新建厂占比高，产能释放周期拉长至2-3年，2028年起产能集中释放。 4. 海外存储产能测算：2027-2029年全球晶圆产能增速逐期提升，海外厂商扩产呈梯度推进，无大规模并行扩产情况。 5. 供需与价格判断：2026-2027年通用DRAM、LPDDR5供需缺口持续，2027年因HBM4挤占缺口加深，HBM缺货至2028年，2029年供需紧平衡；2026下半年至2027年存储价格涨幅收窄但方向不变，非崩盘式下跌。 二、国内存储情况 1. 长鑫存储：2026年底DRAM产能约35-38万片/月，2029年预计达50万片/月，受制程代差影响实际位元产出兑现较慢。2. 长江存储：3D NAND 300层产品量产提前至2026年下半年，2027年月产目标5万片，2029年总产能目标50万片，国产设备占比提升，扩产节奏较快。三、投资线索与观点 1. 行业逻辑：存储行业从消费电子周期转向AI核心投入环节，长期协议将减少周期波动。2. 估值与布局：2027年存储厂商PE均值4.6倍，估值待修复，优先布局HBM及先进DRAM敞口高的原厂。3. 后续催化：需跟踪2027年HBM供应价谈判、三星海力士股东回报方案、四季度合约价环比动能三大催化项。 四、风险与关注 1. 需求端超预期变化。2. 新建厂建设进度。3. 良率爬坡速度。4. 海外原厂产能投放节奏。