光伏“泛半导体”专题：底层材料与工艺同源，设备及材料龙头打开第二成长曲线

投资逻辑： 当前时点光伏行业经营承压两年以上，部分龙头企业积极拓展第二曲线，考虑到目前光伏板块关注度、市场预期、机构持仓均处于较低水平，龙头企业光伏业务对应市值进一步压缩的空间极低，甚至有望伴随光伏行业β修复、企业α优势显现呈现较大向上修复弹性，而其半导体相关业务随着下游资本开支高速增长有望快速贡献收入及利润增量，因此我们针对光伏企业的“泛半导体”业务进行梳理，以寻找相关投资方向。 光伏企业布局泛半导体业务并非简单的跨界概念，而是建立在底层原理、材料体系与工艺制程相通基础上的产业延伸。1）第一性原理上，光伏电池与半导体器件均以硅基PN结构为核心，太阳能电池依靠PN结内建电场分离光生电子-空穴对产生电流，MOSFET等半导体器件则通过掺杂形成源极、漏极及沟道区域，实现电流导通与关断控制。二者在硅基材料、载流子调控和电学功能实现上具备天然共性。2）底层材料上，光伏与半导体均以高纯多晶硅、单晶硅棒和硅片加工为基础，产业链具有较强延展性。过去十年，光伏行业从多晶向单晶、从P型向N型迭代，本质上也是光伏制造不断“泛半导体化”的过程，尤其在N型TOPCon阶段，低氧控制、磁场拉晶、洁净加工等要求提升，使光伏单晶炉、热场、石英坩埚及硅片加工环节与半导体产业的技术边界进一步靠近。3）工艺制程上，高效光伏电池的核心工艺大量借鉴或接近半导体制程。CVD、PVD、ALD等薄膜沉积技术，离子注入等精准掺杂方式，以及激光、光刻等图形化手段，均在光伏高效化过程中逐步导入。 半导体业务在纯度、洁净度、颗粒控制、膜厚均匀性、表面平坦度、图形精度和长期稳定性等方面提出更高要求，光伏企业成功布局泛半导体业务，需要具备长期积累的研发能力、客户验证能力及稳健的财务基础：1）研发能力：光伏与半导体产品均以高纯多晶硅、单晶硅棒和硅片加工为基础，产业链具有较强延展性，但半导体行业要求更高，如半导体级多晶硅要求更严格的原料杂质控制、更精细的精馏提纯、更洁净的设备系统，半导体单晶炉追求超高洁净度、严格的氧碳含量、均匀的电阻率，半导体行业对图形尺度和精度的要求较光伏存在数量级差异，对企业的精密制造能力、工艺控制能力、工程放大能力都提出了较高要求。2）客户验证能力：半导体产业链较长，涉及的加工工序繁杂且极为精细，任一环节出现质量或者供应问题都将可能导致严重的后果，因而半导体行业的厂家对上游原材料及设备供应商的选择都极为慎重，供应商认证门槛高、周期长。3）经营及财务稳定性：光伏企业布局泛半导体业务需要在相关工艺技术上进行长期的研发积累，同时要经历较长的客户验证周期，对光伏企业的经营及财务稳定性提出了较高要求。我们认为，具备上述能力的光伏设备、材料龙头，有望在半导体国产替代和先进封装等方向打开第二成长曲线。投资建议与估值 光伏企业布局泛半导体第二曲线已逐步从产业逻辑验证，进入产品突破、客户验证和订单兑现阶段。半导体国产替代、AI算力带动先进封装需求提升，以及光伏主业盈利承压背景下企业主动寻找高毛利增长极，将共同推动具备精密制造、工艺控制、材料研发和客户导入能力的光伏设备、材料龙头实现价值重估。建议围绕两条主线布局：1）设备端：关注光伏设备平台能力向半导体高壁垒工艺迁移的龙头，重点推荐：迈为股份、帝尔激光、奥特维；2）材料端：关注光伏材料龙头向半导体关键耗材与先进封装材料延伸。重点推荐：福斯特、聚和材料。风险提示 半导体国产替代进度不及预期风险；第二曲线业务拓展不及预期风险；光伏主业盈利承压风险。 内容目录 1为什么大量光伏企业成功布局泛半导体业务？.....................................................51.1第一性原理：PN结为核心结构.............................................................51.2底层材料：上游硅产业链基本打通.........................................................61.3工艺制程：高效光伏技术核心工艺源自半导体制程...........................................92成功布局泛半导体业务的光伏企业有哪些特质？..................................................123设备企业....................................................................................143.1迈为股份：以差异化、先进性设备工艺切入半导体前道领域..................................143.2帝尔激光：玻璃基板工艺核心TGV激光设备供应商..........................................163.3奥特维：光模块AOI检测设备率先放量，泛半导体业务储备丰富..............................193.4高测股份：具备半导体“切、倒、磨”一体化解决方案能力.....................................203.5捷佳伟创：聚焦半导体湿法设备，可提供“工艺+设备+服务”的一体化交付.......................213.6拉普拉斯：布局分立器件设备、集成电路先进封装工艺设备..................................214材料企业....................................................................................224.1福斯特：高端感光干膜逐步放量..........................................................224.2聚和材料：以国产自主可控为目标，逐步完善空白掩膜版、光刻胶等半导体材料布局............254.3奥来德：玻璃基板高性能PSPI材料供应商.................................................274.4欧晶科技：36英寸半导体坩埚批量供货，头部客户验证加速.................................294.5联泓新科：电子特气稳定供应台积电等企业................................................314.6 TCL中环：子公司中环领先半导体硅片行业领先............................................335投资建议....................................................................................336风险提示....................................................................................34 图表目录 图表1：光照下PN结中的电子-空穴对分离产生电压................................................5图表2：NMOS的源极和漏极为N型硅..............................................................5图表3：NMOS在施加正电压后会形成N沟道以导通..................................................5图表4：改良西门子法主要包含三氯氢硅制备、精馏及还原沉积三个环节..............................6图表5：半导体硅料对多种元素含量均提出了更高的要求............................................6图表6：CZ直拉法是当前主流的单晶硅制备工艺....................................................7图表7：半导体拉晶在多个技术指标上要求均高于光伏..............................................7图表8：光伏单晶炉头部制造企业通过引入磁拉工艺实现低氧控制....................................7图表9：单晶硅棒制得硅片均要经过切割、倒角、研磨、清洗等工艺..................................8图表10：CMP通过化学氧化和机械研磨去除表面材料................................................8 图表11：TOPCon电池工艺与半导体芯片工艺在多个环节具有较高的相似性.............................9图表12：光伏湿法工艺可形成倒金字塔形绒面....................................................10图表13：RCA清洗主要通过多轮酸洗与碱洗去除表面污染...........................................10图表14：半导体薄膜沉积分类..................................................................11图表15：TOPCon电池中多个层均需通过薄膜沉积形成..............................................11图表16：NMOS与PMOS的互联同样需要薄膜沉积工艺...............................................11图表17：离子注入的掺杂范围较扩散注入更加精准................................................11图表18：TBC常规路线包含三道激光环节.........................................................12图表19：光刻分为涂胶—曝光—显影—刻蚀—去胶五个步骤........................................12图表20：建议关注财务稳健的光伏设备及材料龙头（资产负债率）..................................13图表21：光伏企业泛半导体业务布局梳理........................................................13图表22：公司半导体业务与光伏主业齐头并进....................................................14图表23：徐来间接持有宸微设备17.81%股份......................................................15图表24：公司半导体前道设备已形成刻蚀与薄膜沉积双主线产品矩阵................................15图表25：2025年公司半导体及显示业务占比提升至8%.............................................16图表26：2025年半导体及显示业务毛利率达46%..................................................16图表27：公司于2019年开始研发TGV激光微孔技术...............................................16图表28：公司推出了面板级和晶圆级TG