核心观点
近期AI算力需求持续拉动存储景气，供给短缺问题加剧，龙头扩产有望进一步提速。全球AI需求激增，HBM/Server DRAM/Enterprise SSD等高价值品类对原厂产能形成持续挤占，带动DRAM/NAND供需缺口扩大、价格中枢快速上行。AI推理部署、大容量RDIMM成为主要采购目标，下游需求高景气有望延续。此外，英伟达Vera Rubin NVL72为保障短周期出货，或将单机柜CPU侧SOCAMM DRAM由此前预期约55TB降至约28TB，采用更多96GB而非192GB SOCAMM模块，反映LPDDR5X供给约束下的交付优先策略，侧面显示当前存储芯片供给持续紧缺，预计后续龙头扩产进程将进一步提速。
关键数据
- Trend季增58%-63%，NAND增持（维持）
- 美光新加坡扩产计划持续加码：2025年1月开工70亿美元HBM先进封装厂，计划2026年开始运营、2027年起显著扩大先进封装产能；2026年1月进一步宣布未来十年投资240亿美元建设先进晶圆制造设施，最终提供70万平方英尺洁净室空间、2028年下半年开始晶圆产出。
- 美光于26Q2法说会上调2026财年资本开支至250亿美元，同增81%（此前Q1法说会增加50亿美元）；同时预期DRAM相关产能建设，其中建造环节资本开支将同比增加100亿美元。
- 台湾亚翔近四年在新加坡承接联电、世界先进、美光等工程案，采取整厂统包（EPC）模式，累计取得新台币约5000-6000亿元（折合人民币1071-1285亿元）规模案量。
- 截至2025年末亚翔集成在建项目未确收部分48亿元。
- 预测公司2026-2028年年均归母净利润21亿元，当前市值（截至2026/6/5）PE仅17倍。
研究结论
台湾亚翔已与美光建立深度合作，后续有望持续斩获新加坡大单。当前台湾亚翔在手订单预计极其充裕，有望支撑子公司三年业绩维持高位。美国市场突破有望进一步打开中长期成长空间。依托母公司业务协同，预计公司2026-2028年年均归母净利润可达21亿元，近期回调后估值已极具性价比（最新市值对应PE17X），假设修复至25XPE对应合理市值500亿元（高出当前市值38%），若后续美国区域突破，将进一步打开订单与盈利上修空间，当前位置安全边际充足，持续重点推荐。
风险提示
在手订单执行进度不及预期、半导体资本开支下行、海外市场开拓不及预期等。
