电子行业周报：长鑫科技IPO迎来关键节点，Intel加码玻璃基板与硅光子

行业研究/行业点评 2026年06月01日 长鑫科技IPO迎来关键节点，Intel加码玻璃基板与硅光子 行业及产业电子 ——电子行业周报（2026/5/25-5/31） 投资要点： 强于大市 本周（2026/5/25-5/31）SW电子行业指数（-0.35%），涨跌幅排名7/31位，沪深300指数（+0.97%）。SW一级行业指数涨跌幅前五分别为：煤炭（+6.66%），公用事业（+6.58%），通信（+5.56%），建筑材料（+1.90%），食品饮料（+1.65%），涨跌幅后五分别为：计算机（-7.56%），综合（-6.76%），国防军工（-6.41%），基础化工（-5.96%），汽车（-5.79%）。本周SW电子三级行业指数涨跌幅前三分别是：被动元件（+14.75%），集成电路封测（+8.77%），集成电路制造（+7.92%），涨跌幅后三分别是：LED（-6.93%），半导体设备（-6.74%），光学元件（-6.08%）。 本周SW电子行业涨跌幅排名前五的股票分别是：商络电子（+57.37%）、风华高科（+40.96%）、中船特气（+33.61%）、燕东微（+32.63%）、华虹公司（+32.22%）。涨跌幅排名后五的股票分别是：清越科技（-31.21%）、波长光电（-26.48%）、光莆股份（-23.72%）、迅捷兴（-22.67%）、惠威科技（-20.98%）。 相关研究 《电子行业专题报告：华为发布韬（τ）定律，助力后摩尔时代半导体产业发展》2026-05-28《电子行业周报：AI算力高景气延续国产存储替代加速》2026-05-25《电子行业跟踪报告：电子布行业具备估值提升潜力》2026-05-25《电子行业专题报告：AIGlasses开启智能穿戴时代》2026-05-15《电子行业周报：AI驱动需求爆发，半导体产业链持续受益》2026-05-18 2026年5月27日，长鑫科技科创板IPO顺利过会并于当日提交注册，正式进入注册程序。该项目也是科创板试点IPO预先审阅机制后的首单受理及首单过会项目，公司本次拟募资295亿元，有望成为2026年以来A股最大IPO。作为国内领先的一体化存储器制造企业、国产DRAM龙头，公司深耕DRAM领域，业务覆盖芯片设计、研发、生产及销售全链条，多款产品已实现商用，广泛应用于移动终端、个人电脑、服务器、虚拟现实、物联网等场景，受益于存储行业超级周期，公司业绩大幅增长，2026Q1实现营业收入508亿元，同比+719.13%， 净 利 润330.12亿 元 ， 同 比+1268.45%， 归 母 净 利 润247.62亿 元 ， 同 比+1688.30%。2023-2025年公司产能均来自12英寸晶圆生产线，产能、产量持续扩张，产能利用率逐年提升至87.06%、92.46%、95.73%，同时公司对后市持乐观态度，预计2026H1营业收入为1100-1200亿元，同比+612.53%-677.31%，归母净利润500-570亿元，同比+2244.03%-2544.19%，扣非净利润520-580亿元，同比+2278.89%-2530.30%。 证券分析师 Intel加码先进封装，玻璃基板量产进程提速。据福布斯5月26日报道，Intel布局下一代先进封装与硅光子技术，计划改造新墨西哥州里奥兰乔工厂，将其打造为全球首个玻璃基板量产基地。AI热潮持续推高先进封装需求，相较于传统有机基板，玻璃基板平整度更佳、不易翘曲，能够进一步提升封装密度与芯片互联能力。英特尔全球封测产能分工清晰：亚利桑那州侧重封测技术研发，俄勒冈州、马来西亚及新墨西哥州负责量产。里奥兰乔工厂占地218英亩，1980年投产，2021年转型专攻先进封装，主打EMIB、Foveros工艺，是美国顶尖的一体化封装基地，后续仍有扩产空间。该基地除规划玻璃基板量产外，目前已对外供货硅光子产品。 许亮S08205250100020755-83562506xuliang@ajzq.com 联系人 朱俊宇S0820125040021021-32229888-25520zhujunyu@ajzq.com 投资建议：长鑫科技科创板IPO顺利过会并提交注册，作为科创板IPO预先审阅机制首单项目，公司拟募资295亿元，有望成为年内A股最大IPO。公司作为国产DRAM绝对龙头，具备设计、制造、销售一体化全产业链能力，产品应用场景丰富。当前存储行业处于高景气周期，公司2026Q1业绩实现爆发式增长，叠加历年产能稳步扩张、产能利用率持续走高，同时公司上调2026H1业绩预期，行业向上趋势明确。随着龙头企业登陆资本市场，后续产能扩张、技术迭代进度有望进一步加快，国产存储替代空间持续打开，建议关注国产存储产业链上市公司的相关投资机会。 风险提示：1）行业周期波动风险；2）业绩不及预期风险；3）市场竞争加剧风险。 1.本周市场回顾 1.1SW一级行业涨跌幅一览 本周SW电子行业指数（-0.35%），涨跌幅排名7/31位，沪深300指数（+0.97%）。SW一级行业指数涨跌幅前五分别为：煤炭（+6.66%），公用事业（+6.58%），通信（+5.56%），建筑材料（+1.90%），食品饮料（+1.65%），涨跌幅后五分别为：计算机（-7.56%），综合（-6.76%），国防军工（-6.41%），基础化工（-5.96%），汽车（-5.79%）。 资料来源：iFinD，爱建证券研究所 1.2SW电子三级行业市场表现 本周SW电子三级行业指数涨跌幅前三分别是：被动元件（+14.75%），集成电路封测（+8.77%），集成电路制造（+7.92%），涨跌幅后三分别是：LED（-6.93%），半导体设备（-6.74%），光学元件（-6.08%）。 资料来源：iFinD，爱建证券研究所 1.3SW电子行业个股情况 本周SW电子行业涨跌幅排名前五的股票分别是：商络电子（+57.37%）、风华高科（+40.96%）、中船特气（+33.61%）、燕东微（+32.63%）、华虹公司（+32.22%）。 涨跌幅排名后五的股票分别是：清越科技（-31.21%）、波长光电（-26.48%）、光莆股份（-23.72%）、迅捷兴（-22.67%）、惠威科技（-20.98%）。 资料来源：iFinD，爱建证券研究所 资料来源：iFinD，爱建证券研究所 1.4SW科技行业其他市场表现 费城半导体指数（SOX）本周涨跌幅为+5.14%，恒生科技指数本周涨跌幅为+0.30%。 资料来源：iFinD，爱建证券研究所 中国台湾电子指数各细分板块本周涨跌幅分别为：半导体（+5.99%）、电子（+6.39%）、电脑及周边设备（+6.70%）、光电（+2.55%）、通信网路（-0.28%）、电子零组件（+9.02%）、电子通路（+0.66%）、资讯服务（+0.24%）、其他电子（+10.88%）。 资料来源：iFinD，爱建证券研究所 2.全球产业动态 2.1长鑫科技顺利过会 2026年5月27日，长鑫科技顺利过会。上交所数据显示，长鑫科技科创板IPO申请已通过上交所上市委审议，并在同日提交注册，正式步入注册程序。长鑫科技是科创板试点IPO预先审阅机制后的首单受理及首单过会项目。此次公司拟募资295亿元，有望成为2026年以来A股最大IPO。 长鑫科技主营DRAM芯片的设计、研发、生产与销售，目前已完成DDR、LPDDR等多系列产品布局，可对外提供DRAM晶圆、芯片及模组等产品，产品广泛应用于服务器、移动终端、PC、智能汽车等领域。根据Omdia统计，从产能与出货量来看，长鑫科技位列国内DRAM厂商第一、全球第四。 依托存储行业超级周期，作为国产DRAM龙头的长鑫科技业绩迎来上行周期。财务数据显示，公司2026Q1实现营业收入508亿元，同比+719.13%；净利润330.12亿元，同比+1268.45%；归母净利润247.62亿元，同比+1688.30%。 产能端，公司2023-2025年产能均来自12英寸晶圆产线，产能、产量持续扩张，产能利用率逐年走高，三年分别达到87.06%、92.46%、95.73%。 对于2026H1经营情况，公司给出乐观业绩指引：预计区间营业收入1100-1200亿元 ， 同 比 增 幅612.53%-677.31%； 归 母 净 利 润500-570亿 元 ， 同 比 增 幅2244.03%-2544.19%；扣非净利润520-580亿元，同比增幅2278.89%-2530.30%。 2.2Intel加码先进封装，玻璃基板量产落地提速 据福布斯5月26日报道，Intel发力下一代先进封装与硅光子技术，将改造新墨西哥州里奥兰乔工厂，打造为全球首个玻璃基板量产基地。 AI带动先进封装需求持续攀升。对比传统有机基板，玻璃基板平整度高、不易翘曲，可有效提升封装密度与芯片互联性能。 Intel全球分工明确：亚利桑那州主攻封测技术研发，俄勒冈州、马来西亚及新墨西哥州承担量产任务。里奥兰乔工厂占地218英亩，1980年投产，2021年转型先进封装，主打EMIB、Foveros工艺，是美国顶尖一体化封装基地，仍具备扩产潜力。 该厂除规划玻璃基板量产外，已对外供应硅光子产品。硅光子结合共封装光学（CPO），可依托光互连替代传统铜互连，降低数据中心高速传输的功耗与成本。 2.3华为发布韬（τ）定律 2026年5月25日，华为何庭波在IEEEISCAS2026大会上发表《半导体新路径探索与实践》主题演讲，正式提出韬（τ）定律，为后摩尔时代半导体产业提供全新演进范式。 随着AI大模型与通用人工智能高速发展，传统摩尔定律依靠几何缩微的迭代路径，已逼近物理极限与成本瓶颈，行业亟需全新技术路线。在此背景下，华为提出韬（τ）定律，核心是以时间缩微替代几何缩微，通过压缩信号传输时延实现系统性能跃升，打破传统制程迭代限制。 韬（τ）为器件、电路、芯片、系统四层复合变量，依托逻辑折叠技术实现全链路时延优化。其中：器件层面优化晶体管与互连结构，降低传输损耗；电路层面采用立体堆叠布局，缩短布线距离、提升集成度；芯片层面通过软硬件全栈协同，强化并行算力、压缩运算耗时；系统层面依托灵衢总线重构互联协议、统一内存编址，大幅降低跨节点数据传输延迟，为后摩尔时代半导体技术迭代提供全新发展方向。 2.4Samsung交付首批12层HBM4E样品 2026年5月29日，Samsung宣布，已开始向全球主要客户交付业内首批12层48GBHBM4E样品。 HBM4E是HBM4的升级产品，采用Samsung第六代10nm级DRAM工艺（1c）搭配4nm逻辑基片，在容量、性能、能效及散热能力上实现全面升级，主打大模型、生成式AI与高性能计算场景。 该产品引脚传输速率稳定达14Gbps，最高可拓展至16Gbps，相较HBM4整体性能提升超20%，单堆栈内存带宽可达3.6TB/s，充分匹配AI系统与大模型的算力需求。容量方面，48GB规格较上一代提升30%以上；Samsung还将根据客户需求， 推出8层32GB、16层64GB等不同配置版本。 同时，依托低功耗设计与封装优化，产品能效提升16%，热阻降低超14%，散热表现大幅改善，可有效降低AI数据中心高负载运行下的能耗。 3.风险提示 1）行业周期波动风险：存储行业具备强周期性，当前行业高景气或随供需格局变化逐步回落，若下游终端、数据中心需求走弱，DRAM产品价格下滑，将导致行业整体营收及盈利能力承压。 2）业绩不及预期风险：长鑫科技业绩大幅增长依托行业高景气，若后续市场需求疲软、产品价格回落，公司上半年业绩存在未达预测区间的可能；同时产能扩张进度、产品出货量变化也会对经营表现形成扰动。 3）市场竞争加剧风险：全球存储巨头产能持续释放，海外DRAM厂商凭借规模、技术优势抢占市场，国内存储企业面临激烈竞争，或挤压国产厂商盈利空间。 爱建证券有限责任