长鑫科技冲刺科创板上市，本土存储链迎黄金发展
国产存储巨头IPO，带动产业链协同发展
- IPO募投优化产能，将形成产业带动效应：长鑫科技拟募资295亿元用于产能优化、工艺迭代及前瞻研发，加快DRAM产能建设，完善产业链布局，提升我国DRAM产业核心竞争力，并推动供应链本土化。全球DRAM竞争格局集中，长鑫科技正逐步进入主要厂商阵营，2024年全球市场份额已增至3.97%。公司产品结构快速迭代，已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，并提供DRAM晶圆、芯片、模组等多样化方案，可满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商，核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。
- 产销攀升带动业绩高增，盈利能力持续改善：全球DRAM市场增长空间广阔，预计2029年市场规模达2045亿美元，CAGR为15.93%。中国DRAM市场规模占全球比重超过四分之一，长期高度依赖进口，本土厂商仍有广阔的市场空间。长鑫科技产能和产量快速增长，产能利用率稳步提升。2025年前三季度，公司营收迅速增长至320.8亿元，同比增长97.8%，综合毛利率上升至35%。预计2025年实现营收550-580亿元，净利润20-35亿元，实现转正；25Q4预计实现营收229-259亿元，净利润79.8-94.8亿元，净利率转正为35%-37%。
明年DDR4供应量将迅速下降，现货价格维持强劲涨势
- NAND Flash现货市场：在26Q1合约价格上调预期影响下，现货市场价格进一步调涨，但部分买家采取观望态度，市场成交量平淡。
- DDR现货市场：Samsung明确表示不会递延EOL计划，2026年DDR4供应量快速下降，现货价格仍维持强势。
台积电2纳米量产，工艺突破推动行业变革
- N2制程：台积电2纳米（N2）技术已按计划于2025年第四季开始量产，代表着半导体产业在追求摩尔定律极限的道路上又迈出了关键一步。N2制程是首个采用全环栅极（Gate-all-around）纳米片晶体管的制程节点，能显著提升电磁控制力，有效减少漏电问题，并允许在不牺牲性能或功耗效率的前提下，进一步缩小晶体管尺寸，进而大幅增加晶体管密度。
- N2制程优势：与前一代N3E制程相较，N2在相同功耗下可提升10%至15%的性能，若在相同性能下，则能降低25%至30%的功耗。晶体管密度可提升15%（混合设计）或20%（纯逻辑设计）。
- 后续路径：台积电已规划好清晰的后续路径，推出N2P和A16等升级版本，将进一步巩固台积电在先进制程技术上的领先地位。
相关标的
- 存储模组：香农芯创、开普云（金泰克）、德明利、江波龙、佰维存储
- 存储芯片：兆易创新、澜起科技、东芯股份、普冉股份
- 半导体设备：中微公司、北方华创、拓荆科技、百傲化学（芯慧联）、华海清科、芯源微、中科飞测、芯碁微装、盛美上海
- 半导体材料：雅克科技、鼎龙股份、彤程新材、安集科技、兴森科技、天承科技、联瑞新材、兴福电子、德邦科技、华海诚科
- 封测：长电科技、通富微电、甬矽电子、汇成股份
- 国产算力底座：中芯国际、华虹半导体
风险提示
- 下游需求不及预期
- 研发进展不及预期
- 地缘政治风险
