核心观点：
公司发布2026年第一季度报告，实现营收29.15亿元(YoY+34.13%)，归母净利润9.30亿元(YoY+197.20%)，扣非归母净利润4.78亿元(YoY+60.09%)。综合毛利率达到39.89%(QoQ+0.6pp)，研发支出9.08亿元(YoY+32.15%)。收入端增长主要因应用于先进逻辑与存储的高端产品实现量产，运量显著提升。利润端，本期出售拓荆科技股票产生税后净收益约3.97亿元。期末合同负债达28.53亿元，存货达72.59亿元，显示公司在手订单饱满。
关键数据：
- 2025年营收123.85亿元(YoY+36.62%)，归母净利润21.11亿元(YoY+30.69%)，扣非归母净利润15.50亿元(YoY+11.64%)，综合毛利率39.17%(YoY-1.89pp)。
- 刻蚀设备实现收入98.32亿元(YoY+35.12%)，全球累计出货超6800台。
- 薄膜设备实现收入5.06亿元，同比增长224.23%，LPCVD设备累计出货量突破300个反应台。
- 25年薄膜设备新签订单约7.56亿元，同比增长约59%。
- MOCVD设备开发出用于SiC和GaN功率器件、MicroLED等领域的新产品。
研究结论：
高端刻蚀设备全面导入应用，先进薄膜设备运付量快速增长。先进存储中，超高深宽比刻蚀机已有300多台反应器实现稳定量产，下一代90:1超高深宽比低温CCP刻蚀设备已运付客户端验证。第二代ICP刻蚀设备在3DDRAM应用中取得140:1高深宽刻蚀结果，并付运到国内领先存储客户端认证。全新化学气相刻蚀设备实现大于700:1的SiGe/Si高选择比，在GAA和3DDRAM关键工艺的实验室验证中全面满足客户要求。薄膜设备方面，减压EPI设备已在成熟制程客户端验证成功，并已付运至先进制程客户；常压外延设备现已完成开发，进入晶圆验证阶段。公司累计已有超8300个反应台在国内外180余条芯片及LED生产线全面量产。
投资建议：
国内半导体先进设备公司，维持“优于大市”评级。国内半导体设备需求旺盛，公司平台化发展优势有望逐步体现，预计公司2026-2028年营业收入158.70/207.00/267.93亿元，归母净利润30.47/39.22/49.22亿元，当前对应PE分别为77/60/48倍。
风险提示：
下游晶圆制造产能扩充不及预期风险，新产品开发不及预期风险，国际关系波动和地缘政治风险等。
