电子周观点：多款设备新品推出，国产化由替代向创新转变

周观点：多款设备新品推出，国产化由替代向创新转变 半导体设备：多设备新品推出，单点向生态演进。SEMICON China会上，多家设备厂发布新品： 增持（维持） 1）北方华创：正式发布全新一代12英寸高端ICP刻蚀设备—NMC612H，聚焦先进逻辑与先进存储领域关键刻蚀工艺需求，将ICP小尺寸刻蚀的深宽比提升到数百比一。此外，公司发布12英寸D2W混合键合设备—Qomola HPD30及12英寸W2W混合键合设备Gluoner R50，QomolaHPD30聚焦SoC、HBM、Chiplet等3D集成全领域应用对芯片互连的极限要求，Gluoner R50可实现更高对准精度、更高质量的混合键合。 2）中微公司：推出四款覆盖硅基及化合物半导体关键工艺新产品，包括新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备Primo Angnova™、高选择性刻蚀机Primo Domingo™、Smart RF Match智能射频匹配器及蓝绿光Micro LED量产MOCVD设备Preciomo Udx®，进一步丰富了公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备及核心智能零部件领域的产品组合及系统化解决方案能力，持续夯实平台化发展的基础，助力公司在规模化拓展进程中实现高质量发展。 作者 3）拓荆科技：1）ALD：发布了两款原子层沉积新品VS-300T Astra-sSiN和PF-300T Altair TiN，满足高产能需求并具有优异的坪效比和CoO；2）PECVD：公司PECVD设备装机量及工艺覆盖率均达到国内第一，实现PECVD工艺全覆盖。公司还发布全球首创Volans 300键合空洞修复设备，解决键合界面空洞修复难题，提高3D IC产品良率和产线稳定。 分析师佘凌星执业证书编号：S0680525010004邮箱：shelingxing1@gszq.com 相关研究 1、《电子：2026年度策略：算力闭环加速，重塑价值新锚点》2026-03-252、《电子：AI驱动先进硅片需求高增，大硅片行业延续复苏势态》2026-03-253、《电子：周观点：AI进入推理+Agent时代，重视算力+存力主线》2026-03-22 4）盛美上海：展示了其单片清洗设备、槽式清洗设备以及电镀设备的全系列产品。其SAPS兆声波清洗技术在去除微小颗粒方面具有独特优势，已应用于先进制程的晶圆清洗。UltraECP电镀设备在铜互连、锡银凸块电镀等工艺中实现了国产替代，为国内封测厂提供了高性价比的选择。 5）华海清科：展示了其CMP设备与晶圆再生服务，Universal-300系列设备技术水平已达到国际主流标准。 半导体材料：关键领域持续突破，国产化进程加速。多家企业在SEMICON展览会展示了其全球竞争力。鼎龙股份抛光垫产品在国内市场占有率持续提升，打破了由陶氏化学等美企垄断的局面；江丰电子成为全球仅有三家进入到3nm工艺制程的半导体溅射靶材供应商之一，其超高纯金属溅射靶材技术水平国际领先，产品已打入全球最先进的半导体制造产线；安集科技发布氧化铈抛光液新品，凭借其高抛光选择比、高抛光速率等优势，在先进制程中应用越来越广泛，打破日美氧化铈抛光液垄断。周观点：见相关标的 风险提示：下游需求不及预期、研发进展不及预期、地缘政治风险。 内容目录 1半导体设备：多款新品推出，产品矩阵完备...........................................................................................32半导体材料：关键领域持续突破，国产厂商加速替代..............................................................................63相关标的............................................................................................................................................74风险提示............................................................................................................................................7 图表目录 图表1：北方华创NMC612H刻蚀设备.....................................................................................................3图表2：超百区ESC温度调节能力示意....................................................................................................3图表3：北方华创D2W混合键合设备Qomola HPD30...............................................................................4图表4：北方华创W2W混合键合设备Gluoner R50..................................................................................4图表5：中微公司Primo Angnova™设备..................................................................................................4图表6：中微公司Primo Domingo™设备..................................................................................................5 1半导体设备：多款新品推出，产品矩阵完备 SEMICON 2026展会上，北方华创、中微公司、拓荆科技等公司推出多款新品： 北方华创：正式发布全新一代12英寸高端电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备—NMC612H。该设备聚焦先进逻辑与先进存储领域关键刻蚀工艺需求，针对超高深宽比、超高均匀性、精确形貌控制等挑战，攻克了全新一代精准偏压控制、射频多态脉冲控制、超高速通讯网络控制等多项技术难题，搭配全国产超百区独立控温静电卡盘及具备完全自主知识产权的温控算法，将ICP小尺寸刻蚀的深宽比提升到数百比一，均匀性带入埃米级时代，标志着北方华创持续引领高端ICP刻蚀设备领域的发展方向，突破性技术优势可满足更先进节点的芯片制造要求，携手芯片制造商共同迎接AI时代的机遇与挑战。该产品具备以下四大优势： 1）全新一代精准偏压控制：实现电子伏特量级、窄能量分布的离子入射能量和离子方向的精确控制，满足更小线宽、更高深宽比结构的超高精度刻蚀需求。 2）量产级超百区精细控温静电卡盘：通过具备完全自主知识产权及全国产供应链的超百区独立控温静电卡盘，实现优于0.3°C的温度均匀性控制。 3）射频多态脉冲（MLP）及快速匹配算法成套解决方案：匹配时间由秒级降低至毫秒级，具备同步脉冲、异步脉冲以及三频同启等多种RF模式，实现对单步工艺配方等离子体成分和能量的精确调控。 4）原位原子层沉积（ALD）模块：具备同腔室内任意交替使用ALD沉积和刻蚀工艺能力，突破了传统刻蚀设备的功能局限，赋予产品更多更广的应用场景。 资料来源：北方华创公众号，国盛证券研究所 资料来源：北方华创公众号，国盛证券研究所 此外，北方华创发布12英寸芯片对晶圆（Die to wafer，D2W）混合键合设备—QomolaHPD30及12英寸W2W混合键合设备Gluoner R50： 1)Qomola HPD30：聚焦SoC、HBM、Chiplet等3D集成全领域应用对芯片互连的极限要求，突破微米级超薄芯片无损拾取、纳米级超高精度对准和无空洞高质量稳定键合等关键工艺挑战，成功攻克高速多轴联动控制、纳米级图像识别、全局坐标精准定位、多规格芯片自适应、AI实时感知与智能补偿等多项核心技术，并融合全套自研高精度光学成像系统与运动控制、全局标定、末端姿态调整等先进算法，实现了芯片纳米级对准精度与高速键合产能的更优平衡，成为国内率先完成D2W混合键合设备客户端工艺验证的厂商。 2)Gluoner R50：聚焦CIS、3D NAND、3D DRAM等核心应用，集成纳米级全域对准、精细的界面活化处理、键合波控制及大翘曲晶圆自适应等关键技术，可实现更高对准精度、更高质量的混合键合。 资料来源：北方华创公众号，国盛证券研究所 资料来源：北方华创公众号，国盛证券研究所 中微公司：推出四款覆盖硅基及化合物半导体关键工艺新产品，包括新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备Primo Angnova™、高选择性刻蚀机Primo Domingo™、Smart RF Match智能射频匹配器以及蓝绿光Micro LED量产MOCVD设备Preciomo Udx®，进一步丰富了公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备及核心智能零部件领域的产品组合及系统化解决方案能力，持续夯实平台化发展的基础，助力公司在规模化拓展的进程中实现高质量发展。 1）Primo Angnova™：产品采用中心抽气设计，配备业界领先的对称气流控制阀、高流导和高速分子泵系统，可实现极高的反应气体通量，大幅度扩展反应腔体压力控制范围。在功率源和等离子体方面，集成了具有中微公司自主知识产权的第二代LCC射频线圈和直流磁场辅助线圈MFTR，并配备先进的四段脉冲控制，可实现对离子浓度和离子能量的高精度独立控制。在温度控制方面，PrimoAngnova™采用超过200区独立温控的DurgaIIIESC静电吸盘，分区控温精度显著提升，结合晶圆边缘连续AEIT（晶圆边缘阻抗主动调节）设计，实现了优异的片内刻蚀均匀性。在系统集成与效率方面，PrimoAngnova™搭载了中微公司成熟的PrimoC6V3传送平台，最多可配置6个主刻蚀腔体与2个LLStrip除胶腔体，有效降低综合运行成本。PrimoAngnova™则为5纳米及以下逻辑芯片技术以及同等技术节点难度的先进存储芯片的制造领域，提供了自主可控、技术领先的ICP刻蚀工艺解决方案。 资料来源：中微公司公众号，国盛证券研究所 2）Primo Domingo™：采用全对称腔体结构与优化流场设计，在气体注入、温度控制、压力调控等关键环节实现系统整合，确保晶圆表面刻蚀的高度均匀性与工艺重复性。Primo Domingo™独特的集成气柜设计，可缩短气体注入距离，实现更快脉冲气体精密控 制，为刻蚀工艺提供精准保障。设备内部采用了高抗腐蚀管路与特殊涂层材料以应对工艺所需的高活性刻蚀气体，保障设备长期可靠运行。此外，Primo Domingo™配备了双制冷/双加热晶圆基座，支持宽范围精准温控，显著提升了刻蚀工艺的均匀性与稳定性。Primo Domingo™同样搭载中微公司量产的Primo C6V3传输系统，可灵活搭配主刻蚀腔和辅助退火腔，满足不同刻蚀应用的需求。 资料来源：中微公司公众号，国盛证券研究所 拓荆科技：1）ALD方面：发布了两款原子层沉积新品VS-300T Astra-s SiN和PF-300TAltair TiN，性能先进，同时满足高产能需求并具有优异的坪效比和CoO；2）PECVD方面：公司PECVD设备装机量及工艺覆盖率均达到国内第一，实现PECVD工艺全覆盖。PF-300L Plus nX应用领域包括先进逻辑后道层低介电薄膜，并兼容逻辑≤28nm后道层间低介电薄膜，实现介质薄膜的“