指引FY26Q3毛利率将超80%

业绩简评

2026年3月19日，公司披露FY26Q2（25.12~26.2）业绩，实现营收238.6亿美元，同比+196%，环比+75%。GAAP毛利率为74.4%，同比+37.6pcts，环比+18.4pcts；Non-GAAP毛利率为74.9%，同比+37.0pcts，环比+18.1pcts。GAAP净利润137.8亿美元，同比+771%，环比+163%；Non-GAAP净利润140.2亿美元，同比+686%，环比+156%。公司指引FY26Q3营收为335±7.5亿美元，GAAP/Non-GAAP毛利率均为81%左右，GAAP/Non-GAAP EPS分别为18.9±0.4美元/19.15±0.4美元。

经营分析

1. DRAM、NAND价格持续上行：FY26Q2 DRAM营收188亿美元，同比+207%，环比+74%，价格环比上涨约65%，位元出货量环比增长中个位数；NAND营收50亿美元，同比+169%，环比+82%，价格环比上涨75~80%，位元出货量环比增长低个位数。
2. 数据中心存储需求快速增长：预计2026年底，数据中心DRAM与NAND的位元数需求将超过行业总位元数市场的50%。AI需求驱动传统服务器需求增长，预计2026年服务器出货量同比增长10~15%。
3. HBM进展顺利：HBM4 36G 12H产品为英伟达Vera Rubin平台设计，已在26Q1实现出货。预计HBM4良率爬坡速度将快于HBM3E，HBM4E产品预计27年开始量产爬坡。
4. 资本开支提升：预计FY26资本开支超过250亿美元，FY27资本开支同比增长超过100亿美元，主要用于支持HBM、DRAM相关产能投资。

盈利预测、估值与评级

公司是全球存储龙头厂商，有望受益AI带动的存储上行周期。HBM进展顺利，为Vera Rubin设计开发的产品已经开始出货。由于半导体行业产能建设周期较长，公司资本开支提高难以短期快速拉动行业供给，存储涨价趋势有望持续。预计公司FY26~FY28 GAAP净利润分别为607、1284、1711亿美元，维持“买入”评级。

风险提示

下游需求不及预期；原厂减产不及预期；行业竞争加剧风险；存货减值风险；产品迭代不及预期；产品禁售风险。