速递美光FY26Q2业绩点评业绩超市场预期FY26Q3指引乐观兴证电子

FY26Q2业绩超市场预期。 FY26Q2美光实现收入239亿美元，YoY+196%、QoQ+75%；实现净利润140亿美元，YoY+686%、QoQ+156%；实现EPS 12.20美元。 FY26Q3指引：FY26Q3收入335亿美元（±7.5亿美元）；指引EPS为19.15美元（±0.4美元）。 速递：美光FY26Q2业绩点评：业绩超市场预期，FY26Q3指引乐观【兴证电子】 FY26Q2业绩超市场预期。 FY26Q2美光实现收入239亿美元，YoY+196%、QoQ+75%；实现净利润140亿美元，YoY+686%、QoQ+156%；实现EPS 12.20美元。 FY26Q3指引：FY26Q3收入335亿美元（±7.5亿美元）；指引EPS为19.15美元（±0.4美元）。 毛利率：FY26Q2毛利率为74.9%；指引FY26Q3毛利率81%。 分业务来看：1）DRAM：188亿美元，YoY+207%、QoQ+74%；其中，Bit出货量增长5%，ASP增长65% ，由行业供需紧张和产品结构优化驱动。 2）NAND：50亿美元，YoY+169%、QoQ+82%；其中，Bit出货量增长低个位数，ASP增长75-80%。 3）其他：0.95亿美元。 下游分领域来看：中小云客户收入增速高于超大云厂商；1）Cloud Memory（CMBU）：77.49亿美元，YoY+163%、QoQ+47% ；主要有价格上涨和产品组合优化驱动，毛利率为74%，QoQ+9pct。 2）Core Data（CDBU)：56.87亿美元，YoY+211%、QoQ+139%；由更高的定价和出货量驱动，毛利率为74%，QoQ+23个pct。 3）Mobile and Client(MCBU)：77.11亿美元，YoY+245%、QoQ+81%；由更高的定价驱动，但销量下滑，毛利率为79%，QoQ+25个pct。 4）Auto and Embedded(AEBU)：27.08亿美元，YoY+162、QoQ+57%；由更高的定价驱动，但销量下滑，毛利率为79%，QoQ+23个pct。 供需关系：2026年DRAM和NAND均供不应求，预计该情况会持续到26年以后，从中期维度来看，目前仅能满足客户50%-2/3的需求。 其中26年DRAM Bit出货量约20%+，NAND bit出货量约20%。 AI驱动数据中心存储需求占比超过50%。 订单：战略协议（SCA）而非长协（LTA）。 与客户签订SCA，在更长的时间维度内，包含具体的承诺，为公司和客户均提升稳定性。 （目前已经签署1个5年SCA，之前的LTA多为1年协议） 库存：FY26Q2末库存为83亿美元，环比增加6200万美元，库存天数123天，其中DRAM库存天数仍然特别紧张（低于120天）。 产能扩张：1）DRAM：本周早些时候宣布完成对力积电铜锣厂区收购，预计该厂区在FY2028 财年开始大批量出货；且计划在FY2026结束前开始建设另一个规模相当的无尘室；爱达荷州首座晶圆厂预计2027年年中开始产出晶圆，第二座晶圆厂场地准备工作已经启动；纽约、广岛进展也顺利。 2）NAND：新加坡NAND晶圆厂预计2028年H2开始产出晶圆。 资本开支：预计FY2026财年资本开支超过250亿美元，上调主要来自于洁净室设施的资本开支的提升，其次是美国晶圆厂项目建设。 预计FY2027财年持续提升，与建设相关的资本开支相比于FY2026提升100亿美元。 制程工艺升级：DRAM的1-Gamma和NAND的G9工艺取得卓越进展。 预计1y将成为美光历史上产量最高的节点。 HBM进展：26Q1已经开始量产并出货英伟达HBM4 36GB 12H，用于Vera Rubin，预计HBM4会比HBM3E更快到达成熟良率；目前，也在对HBM4 16层产品进行样片测试（对应48GB）。