美光FY26Q2业绩超市场预期，FY26Q3指引乐观
核心观点：
- 美光FY26Q2业绩显著超市场预期，收入和利润均实现高速增长。
- 公司对FY26Q3的指引表现乐观，收入和EPS均高于市场预期。
- DRAM和NAND业务均供不应求，预计该情况将持续至2026年以后。
- 公司积极扩张产能，并推进制程工艺升级，以满足市场需求。
- AI驱动数据中心存储需求占比超过50%，HBM业务进展顺利。
关键数据：
- FY26Q2业绩：
- 收入：239亿美元，YoY+196%，QoQ+75%。
- 净利润：140亿美元，YoY+686%，QoQ+156%。
- EPS：12.20美元。
- FY26Q3指引：
- 收入：335亿美元（±7.5亿美元）。
- EPS：19.15美元（±0.4美元）。
- 毛利率：
- FY26Q2：74.9%。
- FY26Q3指引：81%。
- 分业务收入：
- DRAM：188亿美元，YoY+207%，QoQ+74%。
- NAND：50亿美元，YoY+169%，QoQ+82%。
- 下游分领域收入：
- Cloud Memory（CMBU）：77.49亿美元，YoY+163%，QoQ+47%。
- Core Data（CDBU）：56.87亿美元，YoY+211%，QoQ+139%。
- Mobile and Client（MCBU）：77.11亿美元，YoY+245%，QoQ+81%。
- Auto and Embedded（AEBU）：27.08亿美元，YoY+162，QoQ+57%。
- 库存：
- FY26Q2末库存：83亿美元，环比增加6200万美元，库存天数123天。
- DRAM库存天数：低于120天。
- 产能扩张：
- DRAM：完成对力积电铜锣厂区收购，计划在FY2026结束前开始建设另一个规模相当的无尘室；爱达荷州首座晶圆厂预计2027年年中开始产出晶圆，第二座晶圆厂场地准备工作已经启动；纽约、广岛进展顺利。
- NAND：新加坡NAND晶圆厂预计2028年H2开始产出晶圆。
- 资本开支：
- FY2026财年：超过250亿美元，主要来自洁净室设施的资本开支提升，其次是美国晶圆厂项目建设。
- FY2027财年：持续提升，与建设相关的资本开支相比于FY2026提升100亿美元。
- 制程工艺升级：
- DRAM的1-Gamma和NAND的G9工艺取得卓越进展，预计1-Gamma将成为美光历史上产量最高的节点。
- HBM进展：
- 26Q1开始量产并出货英伟达HBM4 36GB 12H，用于Vera Rubin，预计HBM4更快达到成熟良率；目前，也在对HBM4 16层产品进行样片测试（对应48GB）。
研究结论：
- 美光FY26Q2业绩强劲，主要得益于DRAM和NAND业务的供不应求，以及产品结构优化和价格上涨。
- 公司对未来市场前景持乐观态度，并积极扩张产能和推进技术升级，以满足不断增长的市场需求。
- AI和数据中心的快速发展为美光带来了新的增长机遇，HBM业务进展顺利，将进一步推动公司业绩增长。
