FY26Q2美光收入、净利润及EPS均大幅超市场预期，收入达238.60亿美元（同比+196%、环比+75%），净利润140.21亿美元（同比+686%、环比+156%），EPS 12.20美元（超预期）。公司指引FY26Q3收入335亿美元（±7.5亿美元）、EPS 18.90美元（±0.4美元），均超预期。
毛利率表现优异，FY26Q2达74.9%（超预期），指引FY26Q3为81%（超预期），主要得益于价格提升、成本控制及产品组合优化。
分业务来看：
- DRAM：收入187.68亿美元（同比+207%、环比+74%），ASP增长60%+，主要由供需紧张和产品结构优化驱动，Bit出货量增长中个位数（约5%）。
- NAND：收入49.97亿美元（同比+169%、环比+82%），ASP增长70%，Bit出货量增长低个位数（约3%）。
- 其他：收入0.95亿美元。
下游领域表现：
- Cloud Memory（CMBU）：收入77.49亿美元（同比+163%、环比+47%），毛利率74%（环比+9pct），由价格上涨和产品组合优化驱动。
- Core Data（CDBU）：收入56.87亿美元（同比+211%、环比+139%），毛利率74%（环比+23pct），由定价提升和出货量驱动。
- Mobile and Client（MCBU）：收入77.11亿美元（同比+245%、环比+81%），毛利率79%（环比+25pct），由定价提升驱动，销量下滑。
- Auto and Embedded（AEBU）：收入27.08亿美元（同比+162、环比+57%），毛利率79%（环比+23pct），由定价提升驱动，销量下滑。
行业供求：2026年DRAM和NAND持续供不应求，预计情况将持续至26年以后，目前仅能满足客户50%-2/3的需求。26年DRAM/NAND Bit出货量预计约20%+。
战略协议：公司推动SCA而非LTA，已签署首个5年SCA，提升与客户的稳定性。
库存：FY26Q2末库存83亿美元，环比增加6200万美元，库存天数123天，DRAM库存天数低于120天。
扩产节奏：
- DRAM：完成力积电铜锣厂区收购（FY2028开始出货），计划FY2026结束前建设新无尘室；爱达荷州首座晶圆厂预计2027年年中量产，第二座场地已启动；纽约、广岛进展顺利。
- NAND：新加坡晶圆厂预计2028年H2开始量产。
工艺：DRAM 1-Gamma、NAND G9工艺进展卓越。
HBM进展：Q1开始量产HBM4 36GB 12H（用于Vera Rubin），预计HBM4良率更快；HBM4 16层产品已进入样片测试；HBM4E开发稳步推进，预计2027年量产。
HBF进展：处于早期阶段，与客户早期沟通。
资本开支：预计FY2026超250亿美元（主要来自洁净室及美国晶圆厂建设），FY2027持续提升，建设相关资本开支较FY2026增加100亿美元。
股息：季度股息提升30%，至每股0.15美元。
