
FY26Q2美光收入、净利润大超市场预期。 FY26Q2美光实现收入238.60亿美元,同比+196%、环比+75%,大超市场预期(192.05亿美元);实现净利润140.21亿美元,同比+686%、环比+156%,大超市场预期(98.35亿美元);实现EPS 12.20美元,大超市场预期(8.59美元)。 < 【小熊团队】美光FY26Q2业绩快评:收入、利润大超市场预期,指引超市场预期 FY26Q2美光收入、净利润大超市场预期。 FY26Q2美光实现收入238.60亿美元,同比+196%、环比+75%,大超市场预期(192.05亿美元);实现净利润140.21亿美元,同比+686%、环比+156%,大超市场预期(98.35亿美元);实现EPS 12.20美元,大超市场预期(8.59美元)。 FY26Q3指引大超市场预期。 公司指引FY26Q3收入335亿美元(±7.5亿美元),大超市场预期(221.04亿美元);指引EPS为18.90美元(±0.4美元),大超市场预期(10.50美元)。 毛利率及指引超市场预期。 公司FY26Q2毛利率为74.9%,超市场预期(68.6%);指引FY26Q3毛利率为81%,超市场预期(70.7%)。 (更高的价格、更低的成本、更有利的产品组合) 分业务来看:1)DRAM:187.68亿美元,同比+207%、环比+74%;其中,Bit出货量增长中个位数(大约5%),ASP 增长了60%+,由行业供需紧张和产品结构优化驱动。 2)NAND:49.97亿美元,同比+169%、环比+82%;其中,Bit出货量增长了低个位数(大约3%),ASP增长了70%。 3)其他:0.95亿美元。 下游分领域来看:中小云客户收入增速高于超大云厂商;1)Cloud Memory(CMBU):77.49亿美元,同比+163%、环比+47% ;主要有价格上涨和产品组合优化驱动,毛利率为74%,环比+9个pct。 2)Core Data(CDBU):56.87亿美元,同比+211%、环比+139%;由更高的定价和出货量驱动,毛利率为74%,环比+23个pct。 3)Mobile and Client(MCBU):77.11亿美元,同比+245%、环比+81%;由更高的定价驱动,但销量下滑,毛利率为79%,环比+25个pct。 4)Auto and Embedded(AEBU):27.08亿美元,同比+162、环比+57%;由更高的定价驱动,但销量下滑,毛利率为79%,环比+23个pct。 行业供求情况:2026年DRAM和NAND均供不应求,预计该情况会持续到26年以后,同上次电话会一样,从中期维度来看,目前仅能满足客户50%-2/3的需求。 其中26年DRAM Bit出货量约20%+,NAND bit出货量约20%。 AI驱动数据中心侧存储需求占比超过50%(TAM)。 战略协议(SCA)而非长协(LTA)。 与客户签订SCA,在更长的时间维度内,包含具体的承诺,为公司和客户均提升稳定性。 (目前已经签署1个5年SCA,之前的LTA多为1年协议) 库存情况:FY26Q2末库存为83亿美元,环比增加6200万美元,库存天数123天,其中DRAM库存天数仍然特别紧张(低于120天)。 扩产节奏:1)DRAM:本周早些时候宣布完成对力积电铜锣厂区收购,预计该厂区在FY2028 财年开始大批量出货;且计划在FY2026结束前开始建设另一个规模相当的无尘室;爱达荷州首座晶圆厂预计2027年年中开始产出晶圆,第二座晶圆厂场地准备工作已经启动;纽约、广岛进展也顺利。 2)NAND:新加坡NAND晶圆厂预计2028年H2开始产出晶圆。 工艺:DRAM的1-Gamma和NAND的G9工艺取得卓越进展。 HBM进展:26Q1已经开始量产并出货英伟达HBM4 36GB 12H,用于Vera Rubin,预计HBM4会比HBM3E更快到达成熟良率;目前,也在对HBM4 16层产品进行样片测试(对应48GB)。 下一代产品HBM4E开发在稳步推进,预计2027年实现量产爬坡,通过定制化同客户展开深度合作。 HBF进展:处于非常早期阶段,在和客户做早期的沟通。 资本开支:预计FY2026财年资本开支超过250亿美元,同上次电话会议相比,上调主要来自于洁净室设施的资本开支的提升,其次是美国晶圆厂项目建设。 预计FY2027财年持续提升,与建设相关的资本开支相比于FY2026财年提升100亿美元。 季度股息提升30%,提升至每股0.15美元。