中信证券前瞻美光科技MUFY26Q2业绩速评业绩及指引继续大超预期F

【业绩概览】1）当季营收239亿美元（同比+196%，环比+75%），高于公司此前指引的183-191 亿美元，高于彭博一致预期的197亿美元。 2）当季Non-GAAP毛利率74.9%（同比+37.0ppts，环比+ 【中信证券前瞻】美光科技（MU）FY26Q2业绩速评：业绩及指引继续大超预期，FY26资本开支将进一步提升—————————— 【业绩概览】1）当季营收239亿美元（同比+196%，环比+75%），高于公司此前指引的183-191 亿美元，高于彭博一致预期的197亿美元。 2）当季Non-GAAP毛利率74.9%（同比+37.0ppts，环比+18.1ppts），高于公司此前指引的67%-69%，高于彭博一致预期的69.1%。 3）当季Non-GAAP净利润140亿美元（同比+686%，环比+156%），对应EPS为12.20美元，高于公司此前指引的8.22-8.62美元，高于彭博一致预期的9.00美元。 4）业绩指引：公司预计FY26Q3营业收入327.5-342.5亿美元，高于彭博一致预期的236.6亿美元；预计Non-GAAP毛利率约81%，高于彭博一致预期的72.4%；预计Non-GAAP EPS为18.75-19.55美元，高于彭博一致预期的11.22美元。 【业务概况】1）DRAM：当季营收188亿美元（同比+207%，环比+74%），占总营收的79% 。 当季bit出货量环比增长mid-single digits，ASPs环比增长mid-60s。 2）NAND：当季营收50亿美元（同比+169%，环比+82%），占总营收的21%。当季bit出货量环比增长low single digit，ASPs环比增长high-70s。 【HBM】1）HBM4：已在CY26Q1开始批量出货36GB 12H HBM4产品，该产品为英伟达Vera Rubin 设计，公司预计良率达到成熟阶段的速度将快于HBM3E；同时，公司已sample 48GB 16H HBM4产品。 2）HBM4E：开发工作正在顺利推进，公司预计将于CY2027 ramp volume。 【供需&其他】1）需求：公司预计CY26行业DRAM和NAND bit 需求都将受到供应限制，并维持预计供不应求的紧张态势延续至CY26之后。 2）供给：公司预计CY26行业DRAM和NAND bit出货量将分别增长low-20s、约20%（此前预计均同比增长约20%）；公司预计CY26自身DRAM和NAND bit出货量增长将大致与行业增长保持一致。 3）资本开支：公司预计FY26资本开支将超过250亿美元（此前指引200亿美元，增长的主要部分来自洁净室设施相关的资本支出），同时，公司预计FY27资本支出将大幅增加，以支持与HBM和DRAM相关的投资。 4）工厂进度：（a）铜锣厂收购：交易提前完成，公司预计FY2028起现有晶圆厂将支持可观的产品出货量，并预计FY2026末前开始建造规模相近的第二个洁净室。 （b）Idaho：维持预计首批晶圆将在CY2027中期产出，第二个晶圆厂的场地准备工作已经开始。 （c）New York：首个晶圆厂已破土动工，初步场地准备工作比计划提前。 （d）Hiroshima：洁净室扩建的场地准备工作取得良好进展。 （e）新加坡：公司决定建设一个新NAND晶圆厂，预计首批晶圆将在CY2028H2产出。