存储芯片行业：存储芯片本轮涨价能走多远？一文看懂产业链

存储芯片本轮涨价能走多远？一文看懂产业链 目录 1.行业现状分析........................................................................................................................................3 1.1背景....................................................................................................................................................3 1.2行业定义及发展历程....................................................................................................................4 3.行业趋势风险研判.............................................................................................................................18 1.行业现状分析 1.1背景 存储芯片是芯片行业的第二大产业，仅次于CPU、GPU等逻辑芯片。本轮存储芯片市场的热潮，源于全球范围内供需关系的深刻调整。需求端方面，人工智能基础设施建设的激增，导致对高端内存的需求前所未有，供给端方面，美光科技等国际大厂已预警短缺状态将持续。 存储芯片一般3-4年为一个周期，得益于上游SK海力士、三星等存储晶圆原厂主动控制产出，存储芯片价格从2023年下半年开始反转，进入第五个上行周期。2023年美光率先削减30%产能，为目前新一轮周期起点。 价格方面，我们预计将会持续，涨势至少会延续到2026年下半年。存储芯片价格自2025年9月以来持续上涨，其中DDR5内存颗粒现货价格涨幅已超过300%。256GBDDR5服务器内存的单条价格突破4万元。我们预计2026年一季度存储芯片价格将上升40%~50%，二季度预计还将再上涨约20%。 1.2行业定义及发展历程 1.2.1定义及介绍 存储芯片的存储与读取过程体现为电子的存储或释放，直接决定了数据洪流的承载与处理能力，其容量与速度，直接决定了数据洪流的承载与处理能力。 存储芯片也叫半导体存储器，是电子设备里负责存数据、读数据的关键零件。存储芯片能分成易失性和非易失性两种。 1）易失性存储芯片：就像电脑的内存（像SRAM、DRAM这类），里面的数据受到断电的影响； 2）非易失性的：比如PROM、Flash存储器、EPROM/EEPROM这些，哪怕断电，数据也能存着。现在市场上主流的是Flash和DRAM这两种存储器，两者加起来能占差不多99%的市场份额。 存储芯片，也称为半导体存储器，是以半导体电路作为存储媒介的存储器，用于保存二进制数据的记忆设备，是现代数字系统的重要组成部分。专用型存储芯片通常有特定的应用需求，或是在特定的市场细分中有竞争优势。当前应用较为广泛的品类主要包括NORFlash、SLCNANDFlash、利基型DRAM。 DRAM细分为标准型DRAM、移动型DRAM、绘图型DRAM、利基型DRAM等类别。标准DRAM主要应用于PC、服务器等。移动型DRAM主要为LPDDR，应用于智能手 机、平板电脑等场景。绘图型DDR用于显卡的显存（GDDR）。利基型DRAM，主要应用于液晶电视、数字机顶盒、网络播放器等产品。 国内在DRAM领域比较有代表性的企业是合肥长鑫、福建晋华、紫光国芯、兆易创新、北京矽成、东芯半导体、南亚科技（中国台湾）、华邦电子（中国台湾）、力积电（中国台湾）等。 1.2.2特点 行业特征方面，存储芯片的行业周期性非常明显，受国际垄断大厂的政策和供需变化影响大。 存储器是手机、电脑等电子设备实现存储功能的主要部件。技术壁垒高、研发周期长、国际竞争激烈，使得这一领域的创新创业难度极大。 成本占比方面，以手机为例，存储芯片成本端占比不同。 1）低端入门机（千元以下）：内存成本占比相对较高，可能在10%-15%甚至更高。因为手机整体物料成本低，处理器、屏幕、相机等部件都相对廉价，使得内存成本显得突出。 2）中高端机（2000-5000元）：内存成本占比适中，通常在8%-12%左右。手机的处理器（SoC）、高端屏幕、相机模组成本大幅上升，稀释了内存的占比。 3）顶级旗舰机（5000元以上）：内存成本占比最低，可能仅占5%-8%。因为除了顶级的SoC、屏幕、相机外，还会在精密结构、特殊材质、散热等方面投入高昂成本。 1.2.3技术方案 DRAM的基本存储单元由一个晶体管和一个电容组成。电容存储电荷表示数据(有电荷为1，无电荷为0)，晶体管作为控制开关。由于电容漏电，DRAM需要定期刷新(通常每64ms一次)以保持数据。 NAND Flash采用浮栅晶体管结构，浮栅被绝缘层包围，注入的电子可长期保存，从而实现非易失存储。读取时通过检测浮栅是否有电子来判断数据(0或1)。NANDFlash需先擦除再写入，以块为单位进行管理。NORFlash的存储单元 直接连接到位线和字线，支持随机访问，可直接执行代码，但集成度低于NANDFlash。 DRAM和NAND为两种不同的技术方案。DRAM的需求更集中、更具周期性，NANDFlash的需求更分散、场景更多元。 在产品标准方面，行业一般采用由固态技术协会（JEDEC）制定的产品标准，也就是大家熟悉的DDR1-DDR5。DRAM三巨头，都具备了DDR5/LPDDR5的量产能力。 在本轮存储芯片产业周期中，不同产品品类的技术轨迹和市场地位呈现出显著分化，HBM（高带宽内存）凭借其颠覆性架构成为金字塔顶端的明星产品。作为GPU和AI加速卡的“标配”内存，HBM通过2.5D/3D堆叠和硅通孔（TSV）技术实现了带宽的飞跃，其核心价值在于有效破解了制约算力性能的“内存墙”难题。当前行业正处在从HBM3e向HBM4过渡的关键节点，技术迭代速度不断加快。 1.2.4发展历程 2.1早期发展:从磁芯到半导体 存储技术从磁芯到半导体存储（DRAM、闪存）的演进，推动了信息技术的飞 跃；市场重心先后从日本转移至韩国，并正在向中国扩散，形成全球化竞争与创新格局。 1.3行业现状分析 1.3.1行业政策趋势 存储芯片作为信息存储的载体，其稳定性与安全性对国家的信息安全有着举足轻重的意义，因而国家政策大力支持存储芯片行业发展。如《信息化标准建设行动计划（2024—2027年）》《关于推动未来产业创新发展的实施意见》《制造业可靠性提升实施意见》《国务院关于印发“十四五”数字经济发展规划的通知》 《“十四五”国家信息化规划》等产业政策的支持促进了存储芯片行业的发展、增强了企业的自主研发能力、提高了国内存储芯片企业的整体竞争力。 1.3.2行业规模 在集成电路内部，存储芯片与逻辑芯片贡献了最大价值量。根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)的统计，2024年，全球半导体市场销售额约6305.49亿美元，其中，逻辑电路销售额约为2157.68亿美元，存储芯片销售额约为1655.16亿美元。 AI将有效带动存储芯片尤其是DRAM/HBM的增长。根据《Memory Marketoverview2025Update》，2024年全球存储市场约1700亿美元，DRAM约970亿美元，其中HBM174亿美元，在AI的带动下HBM到2030年将增长至到980亿美元,CAGR约33%。 存储行业规模持续增长。DRAM方面，预计供应短缺将持续到2027年第一季度，其中DDR需求增长20.7%，远超供应增长。NAND短缺情况预计延续至2026年第三季度。根据TrendForce数据，2026年DRAM位增长率或达26%，NAND位增长率或达21%，较2025年(22%/15%)呈现加速态势，主要受AI服务器、HBM渗透率提升及数据中心扩建等因素驱动。 1.4产业链分析 1.4.1相关产业链 产业链方面，存储芯片的上游主要为芯片设计与制造提供支撑的产业，包括设计工具（如EDA）、半导体IP、制造与封测所需的材料和设备。中游涵盖芯片的设计、制造与封测环节，分为外资与本土企业。外资代表有韩国三星、SK海力士，美国英特尔、美光、西部数据等；本土企业则包括长江存储、兆易创新、君正，以及封测领域的佰维存储等。下游是存储芯片的主要应用场景，涵盖通信设备、汽车电子、消费电子和计算机等领域。相关企业包括通信领域 的中国电信、TP-LINK，汽车领域的蔚来，消费电子领域的小米，以及计算机领域的华为和微软等。 中国存储芯片产业在政策支持和市场需求推动下快速发展。长江存储率先推出128层3DNAND Flash产品，长鑫存储在DRAM领域实现技术突破，逐步缩小与国际领先企业的差距。在存储芯片设计环节，兆易创新在全球NORFlash市场位居前三，北京君正在汽车电子存储领域形成特色，紫光国芯专注DRAM技术，这些企业共同推动国产存储芯片生态完善。 对于国产存储替代的优势，当前最核心的优势有两点，一是成熟制程的产能与成本势，国际巨头退出低端成熟市场后，国内企业凭借量产稳定性和性价比快速补位，在消费级存储、低端工业级存储领域形成份额壁垒，且能依托本土下游电子产业链实现供需联动；二是政策与市场双轮驱动，国内算力基建、终端制造带来本土刚需市场，叠加半导体配套政策扶持，为国产存储提供了业绩缓冲和技术迭代的窗口期。 1.4.2相关公司 市场份额方面，存储芯片一直被韩国的三星NAND、海力士，还有美国的美光垄断，市场份额占据全球95%以上。国内行业当前最核心的优势是结构性市场卡位与产业链协同能力，国内头部企业突破了先进的3D和DDR5技术并实现量产。全球存储芯片市场被海外企业高度垄断。DRAM作为存储器第一大产品，三星、海力士、美光垄断了全球96.5%的市场份额，行业集中度高，寡头明显；NAND领域，竞争格局相对DRAM领域较分散，三星、铠侠、SK海力士、西部数据、美光合计占据95.5%的市场份额。我国虽然是全球最主要的存储芯片消费市场，但由于产业起步较晚，市场占有率仍相对较低，国产替代空间广阔。 供给端，AI驱动的高端存储需求爆发，使三星、SK海力士、美光三大巨头加速将晶圆产能向HBM、DDR5等高附加值产品倾斜，同时大幅压缩成熟制程比重。美光的动作最为彻底，此前宣布退出消费存储品牌英睿达（Crucial）业务， 彻底剥离消费级产品线。AI等细分市场方面，尽管美光与同业正竭尽全力服务各个细分市场，但目前供应量仍远远不足。 产能周期方面，存储芯片从产能规划到量产需要2-3年周期，头部厂商2025年资本开支保持审慎，三星P4L厂、SK海力士M15X工厂等新增产能释放缓慢，进一步加剧了供需失衡。Trend Force预计2026年DRAM资本开支同比或增长23%，显著高于历史平均水平，反映存储厂商在技术升级(HBM、DDR5)和产能扩张方面的积极布局，存储周期下的供需共振格局进一步确立。 1）美光：专注DRAM、NAND和NOR闪存技术，产品覆盖计算机、移动设备、汽车、工业领域。技术创新与产能扩张并重。美光在技术创新方面投入巨大，2025年资本支出占营收30%，主要用于DRAM/HBM产能扩张。公司计划2027年在新加坡和美国新博伊西建设Fab，同时在纽约州雪城附近的Mega工厂规划未来20年的HBM产线。财务方面，美光2026财年第一季度毛利率为56.8%，环比提高11个百分点。战略方面，美光将新工厂产品明确锁定在AI专用的HBM芯片上，显示出它正将未来增长重心押注于人工智能这一高增长赛道。 2）三星