电子行业周报：AI大时代，重视存储、PCB大周期

AI大时代，重视存储、PCB大周期 芯片持续迭代，PCB量价齐升。PCB价值量大幅提升，主要得益于1）PCB层数与工艺难度升级；2）功能集成增加。当前来看，AI服务器设计正迎来结构性转变，从英伟达Rubin平台的无缆化架构，到云端大厂自研ASIC服务器的高层HDI设计，PCB不再只是电路载体，而成为算力释放的核心层，PCB正式进入高频、高功耗、高密度的“三高时代”。以Rubin为例，2026年Rubin将实现量产，采用Cabless设计，过去依靠线缆实现连接，后续将改由PCB板直接承接。我们认为，伴随芯片升级，PCB除用量升级外，其规格、架构将进一步升级，有望向更高多层、更高阶数发展，直接带动上游材料实现质变，单台服务器PCB价值同比将实现倍增。此外，Rubin设计逻辑已成为产业共同语言，我们认为后续ASIC AI服务器有望同样导入高层HDI、低Dk材料与极低粗糙度铜箔，将带动整个PCB产业链条发展，往后展望，Tray间互联有望通过正交背板实现，进一步打开供应链成长空间。因此，我们认为，当前处于新方案落地前夕，需高度重视自上游材料至PCB板厂机会，2026年PCB供应链有望迎强发展机遇。 增持（维持） 作者 分析师郑震湘执业证书编号：S0680524120005邮箱：zhengzhenxiang@gszq.com HBM3E价格上调近20%，M15X提前量产抢占HBM4市场。随着英伟达即将正式向中国出口搭载HBM3E的AI芯片H200，三星电子与SK海力士决定将明年的HBM3E供应价格上调近20%。原厂正全力扩大HBM4生产能力，导致HBM3E供应能力不足，以及英伟达、谷歌、亚马逊等科技巨头大幅上调明年的HBM3E订单，成为价格上涨的重要因素。此外，据韩媒thelec报道，SK海力士M15X新工厂的量产时间较原计划提前4个月，抢占HBM4市场先机。目前SK海力士已完成1b HBM4工艺认证，采用改进型电路的HBM4晶圆将于2025年底完成制造，并计划在2026年1月初向英伟达交付下一代12层HBM4内存的最终样品。 分析师佘凌星执业证书编号：S0680525010004邮箱：shelingxing1@gszq.com 相关研究 1、《电子：周观点：存储供应短缺持续，看好大周期投资机遇》2025-12-132、《电子：AI芯片竞赛升级，科技巨头角逐未来》2025-12-063、《光学光电子：备货旺季将至，面板价格有望止跌回升》2025-12-04 科技大厂赴韩抢存储产能。12月25日消息，受存储芯片供应持续紧缺、价格大幅飙涨影响，苹果、微软、谷歌、Meta等全球科技大厂为保障自身足够供应，纷纷派遣采购高管赴韩，与三星电子、SK海力士等头部存储芯片厂商洽谈产能争取事宜。谷歌当前60%的HBM由三星电子供应，受TPU需求超预期影响，其采购负责人曾与SK海力士、美光谈判2026年额外供应，但均遭拒绝；鉴于相关采购主管未能提前与存储芯片厂商签署长期协议（LTA），导致供应链面临风险，谷歌管理层已将其解雇。此外，本月早些时候微软采购主管也曾到访韩国SK海力士总部，就LTA供应合同及价格展开谈判，SK海力士表示难以满足微软提出的合作条件。 原厂端持续推高合约价，成品价格显著上涨。从本周（2025.12.22-12.26）报价来看，1）NVME3.0全容量产品报价均呈上涨趋势，涨幅集中在5%-8%；NVME4.0全容量产品同步上涨，涨幅区间为2%-8%；SATA3.0市场所有容量报价亦呈上行态势，涨幅介于2%-10%之间。2）内存OEM市场D4板块全容量产品价格均呈上涨态势，涨幅区间为2%-5%；D3板块所有容量报价保持稳定，未出现波动。3）FlashWafer原厂合约价出现大幅上涨。其中32GTLC型号涨幅高达45.45%，原厂端正以空前力度推动价格上行。 风险提示：下游需求不及预期、研发进展不及预期、地缘政治风险。 内容目录 1芯片持续迭代，PCB量价齐升...............................................................................................................42存储行业动态更新...............................................................................................................................52.1HBM3E价格上调近20%，M15X提前量产抢占HBM4市场..............................................................52.2科技大厂赴韩抢存储产能，谷歌解雇采购主管...............................................................................62.3原厂端持续推高合约价，成品价格显著上涨...................................................................................63相关标的............................................................................................................................................94风险提示............................................................................................................................................9 图表目录 图表1：英伟达服务器架构情况..............................................................................................................4图表2：DRAM现货价格变化速览（美金）..............................................................................................5图表3：SSD市场报价（2025.12.22-12.26）...........................................................................................7图表4：DRAM市场报价（2025.12.22-12.26）........................................................................................7图表5：Flash Wafer市场报价（2025.12.22-12.26）................................................................................8 1芯片持续迭代，PCB量价齐升 AI服务器设计结构性转变，PCB价值量大幅提升。PCB在AI服务器中的价值量持续增长，一方面得益于PCB层数与工艺难度升级。PCB层数、阶数提升，板厚增加，线宽线距缩小，加工精度提高。材料等级升级均会带来价值量的提升。由于PCB是定制化产品，要求越高、难度越大，行业里具备生产能力的厂商就越少。综合来看，PCB工艺要求提升带来ASP成倍的增长。另一方面是得益于功能集成增加。PCB在服务器中承担功能更加复杂，在PCB上集成更多功能有利于降低组装难度，提升良率与自动化率，对客户来说虽PCB成本上升但整体效益更优，推动价值量占比有望持续提升。当前来看，AI服务器设计正迎来结构性转变，从英伟达Rubin平台的无缆化架构，到云端大厂自研ASIC服务器的高层HDI设计，PCB不再只是电路载体，而成为算力释放的核心层，PCB正式进入高频、高功耗、高密度的“三高时代”。 以Rubin为例，其传输速率需达到224Gbps，功耗超过2kW，2026年Rubin将实现量产，采用Cabless设计，过去依靠线缆实现连接，后续将改由Switch tray、Midplane与CX9/CPX等多层PCB板直接承接，使讯号完整性与传输稳定性成为设计的核心指标，Rubin平台为达成低损耗与低延迟，全面升级使用材料。从芯片数而言，Rubin CPX新增CPX GPU、CX9网卡数增加带来PCB用量提升。我们认为，伴随芯片升级，PCB除用量升级外，其材料、规格、架构将进一步升级，有望向更高多层、更高阶数发展，材料有望实现向M9演进，单台服务器的PCB价值比上一代实现倍增，此外，Rubin的设计逻辑已成为产业共同语言，我们认为后续ASIC AI服务器有望同样导入高层HDI、低Dk材料与极低粗糙度铜箔，将带动整个PCB产业链条的进一步发展，打开供应链成长空间。往后展望，正交背板的应用落地，头部PCB厂商再迎强发展机遇。 从材料端来看，AI服务器对PCB性能的需求也直接带动上游材料的质变。高速传输标准从M8向M9演进，CCL所使用的Q-glass和Low-DK2则以极低介电常数与介质损耗成为未来方向。铜箔方面，随着高速传输与集肤效应（Skin Effect）影响加剧，低粗糙度HVLP4铜箔成为主流。M9的性能飞跃体现在两个关键维度：电学性能：介电常数稳定在2.8-3.1（波动<1%），介质损耗因子极低（0.0005-0.002）。在224Gbps速率下，其信号衰减可控制在5%以内，误码率低于0.01%，显著优于M8（（信号衰减>30%，误码率>5%）。热管理性能：热膨胀系数比传统FR-4材料低约30%，能更好地匹配芯片热形变，保障系统长期可靠性。M9材料为下一代高性能计算芯片持续演进的关键基础材料。 2存储行业动态更新 从现货价格情况来看，DDR产品价格快速攀升，其中DDR4 16GB（（2G*8）3200价格涨幅惊人，可见当前存储行业景气度高涨及供需严重错配，高度重视本轮存储周期。 资料来源：ifind，国盛证券研究所 2.1HBM3E价格上调近20%，M15X提前量产抢占HBM4市场 HBM3E供应价格上调近20%。随着英伟达即将正式向中国出口搭载HBM3E的AI芯片H200，三星电子与SK海力士决定将明年的HBM3E供应价格上调近20%。原厂正全力扩大HBM4生产能力，导致HBM3E供应能力不足，以及英伟达、谷歌、亚马逊等科技巨头大幅上调明年的HBM3E订单，成为价格上涨的重要因素。 M15X新工厂的量产时间较原计划提前4个月，抢占HBM4市场先机。据韩媒thelec报道，SK海力士宣布将韩国清州M15X新工厂的量产时间较原计划提前4个月，此举被业内解读为针对英伟达下一代AI加速器Rubin对HBM4的需求提前布局，以抢占市场先机。根据调整后计划，SK海力士将于2026年2月启动M15X工厂HBM4所需1bDRAM量产晶圆的投入（原计划为6月），初期产能将以约1万张晶圆起步，年底逐步扩大至数万张晶圆规模；SK海力士加速M15X工厂量产进程的核心驱动力为满足英伟达的 供应需求——搭载HBM4的Rubin加速器预计于2026年下半年出货，而SK海力士已完成1b HBM4工艺认证，采用改进型电路的HBM4晶圆将于2025年底完成制造，并计划在2026年1月初向英伟达交付下一代12层HBM4内存的最终样品。 2.2科技大厂赴韩抢存储产能，谷歌解雇采购主管 12月25日消息，受存储芯片供