- 事件:英伟达计划在新一代GPU芯片的CoWoS工艺中以碳化硅取代硅中介层,预计2027年导入。
- 英伟达GPU采用CoWoS结构:英伟达GPU芯片从H100到B200均采用CoWoS封装技术,但随着芯片功率增大,散热需求提升。
- SiC的优势:单晶碳化硅具有高热导率(490 W/m·K)和耐化学性,可有效提升CoWoS结构散热并缩小封装尺寸。
- SiC新应用场景:以英伟达H100为例,若未来替换成碳化硅中介层,对应76,190张衬底需求;台积电预计2027年推出更大面积中介层,进一步增加衬底需求。
- 晶盛机电产能布局:公司已攻克12英寸碳化硅晶体生长技术,成功长出12英寸导电型碳化硅晶体,积极扩产6&8寸衬底产能。
- 盈利预测与投资评级:维持公司2025-2027年归母净利润预测为10.1/12.5/15.4亿元,对应动态PE分别为46/37/30倍,维持“买入”评级。
- 风险提示:碳化硅导入CoWoS工艺不及预期,技术研发不及预期。