晶盛机电首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线SiC衬底应用打开公司成长

12寸碳化硅衬底加工中试线通线，可兼容导电&半绝缘型。 9月26日，首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，至此，浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化，标志着晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进， 【晶盛机电】首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线，SiC衬底应用打开公司成长空间【东吴机械】 12寸碳化硅衬底加工中试线通线，可兼容导电&半绝缘型。 9月26日，首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，至此，浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化，标志着晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进，迈入高效智造新阶段。 SiC凭借其高热导率和高工艺窗口，有望显著提升CoWoS结构散热并降低封装尺寸。 英伟达GPU芯片从H100到B200均采用CoWoS封装（芯片-晶圆-基板）技术。 CoWoS通过将多个芯片（如处理器、存储器等）高密度地堆叠集成在一个封装内，显著缩小了封装面积，并大幅提升了芯片系统的性能和能效。 但随着GPU芯片功率增大，将众多芯片集成到硅中介层容易导致更高的散热需求。 ②与硅中介层相比，单晶SiC还具有更好的耐化学性，因此可以通过刻蚀制备出更高深宽比的通孔，进一步缩小CoWoS封装尺寸。 美国尼尔森科学采用的350 μm碳化硅能够制备出109:1的碳化硅中介层，显著高于常规硅中介层的17:1深宽比。 SiC具备高折射率、高热导性，成为AR眼镜镜片的理想基底材料基底材料的折射率越高，AR镜片的FOV就更大，单层SiC镜片即可实现80度以上FOV，可以提供更轻薄的尺寸和更大更清晰的视觉效果。 高折射率同样可以有效解决光波导结构中的彩虹纹和色散问题。 高导热性则有效提升了AR眼镜的散热能力和性能表现。 同时，SiC材料的高硬度和热稳定性亦支持刻蚀工艺的引入，有效提升产能和良率。 晶盛积极扩产6&8寸衬底产能，已具备12寸能力。 晶盛目前已经攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破，成功长出12英寸导电型碳化硅晶体。 盈利预测与投资评级：我们维持公司2025-2027年归母净利润预测为10/12/15亿元，但考虑到公司多业务仍具备成长性，维持“买入”评级。 风险提示：下游应用拓展不及预期，技术研发不及预期。