晶盛机电首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线SiC衬底应用打开公司成长

核心观点与关键数据

• 12英寸碳化硅衬底加工中试线通线：9月26日，晶盛机电浙江晶瑞SuperSiC的首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线，实现从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发及100%国产化，标志着晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进。
• 技术兼容性：该中试线可兼容导电型及半绝缘型碳化硅衬底加工。

SiC衬底应用前景

• CoWoS封装技术：SiC凭借高热导率和高工艺窗口，有望显著提升CoWoS结构散热并降低封装尺寸。英伟达GPU芯片（H100至B200）均采用CoWoS技术，通过高密度堆叠集成芯片，缩小封装面积并提升性能。单晶SiC的耐化学性使其可通过刻蚀制备更高深宽比的通孔，例如美国尼尔森科学采用的350 μm碳化硅可制备109:1的SiC中介层，远高于常规硅中介层的17:1。
• AR眼镜镜片基底材料：SiC的高折射率（支持80度以上FOV）、高热导性、高硬度和热稳定性，使其成为AR眼镜镜片的理想基底材料，可有效解决光波导结构中的彩虹纹和色散问题，并提升散热能力。

晶盛机电产能与技术突破

• 扩产计划：晶盛积极扩产6英寸和8英寸衬底产能，已具备12英寸衬底生产能力。
• 技术突破：晶盛攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，成功长出12英寸导电型碳化硅晶体。

盈利预测与投资评级

• 盈利预测：维持公司2025-2027年归母净利润预测为10/12/15亿元。
• 投资评级：维持“买入”评级，因公司多业务仍具备成长性。

风险提示

• 下游应用拓展不及预期，技术研发不及预期。