光刻胶是光刻工艺的关键材料,半导体光刻胶技术壁垒高,主要体现在原材料和制造端。原材料方面,光刻胶由树脂、光引发剂、添加剂和溶剂组成,其中树脂成本占比接近50%,且高端树脂国产化量产供应量极低;光引发剂和添加剂也主要依赖进口。制造端,光刻胶配方复杂,无法通过现有产品反推配方,验证周期长,需要与客户高度协同;此外,高端光刻机设备购置及维护成本高,对光刻胶企业设备投入要求较高。
中国晶圆厂建设加速+芯片制程提升,驱动半导体光刻胶市场空间快速增长。KrF光刻胶随着3D NAND堆叠层数迅速增加,使用量也将大幅提升;ArF光刻胶主要用于先进制程的多重光刻工艺,其用量也随着市场对先进工艺产品的需求不断增长;EUV光刻胶随着先进制程道次的增加,使用量将大幅增加。预计2024-2026年中国大陆半导体光刻胶总体需求量增速将快速复苏,达到12.04%、11.50%和7.71%。
半导体光刻胶+原材料壁垒突破,“专精特新”企业助力国产进口替代加速。美日企业垄断光刻胶市场,国产化率低,未来国产替代空间广阔。我国光刻胶树脂国产化壁垒突破,助力国产光刻胶进口替代加速。佳先股份布局光刻胶上游原材料,助力树脂国产突破;瑞红苏州多年深耕光刻胶领域,助力光刻胶国产化。北交所作为“专精特新”中小企业的主阵地,光刻胶领域聚集了一批具备稀缺性的优质公司,在细分领域上通过半导体光刻胶+原材料壁垒突破,助力光刻胶实现国产替代。
风险提示:原材料波动风险、市场竞争风险、国际贸易争端风险。