美光FY2026 Q4营收达542.29亿美元,环比增长31%、同比增长379%。Non-GAAP毛利率87.0%,GAAP毛利率86.8%,同比提升42.1个百分点、环比提升2.2个百分点。DRAM与NAND收入分别占比73%与26%,均实现量价齐升,ASP环比上涨显著。HBM与数据中心SSD需求强劲,大部分2027年产量已售出,价格高于2026年。
AI服务器需求持续扩张,推动存储价格上行。传统DRAM与NAND涨幅收敛但趋势未逆转,HBM涨幅扩大。企业级SSD需求年增预计超80%,采购由大模型训练转向实际部署。服务器出货与单机存储需求提升强化AI存储景气度,预计2026、2027年服务器单位出货量增长约17%-19%。数据中心SSD成为NAND业务重要增长来源,FY2026 Q4收入约100亿美元,是上年同期的10倍以上。
存储行业供需持续偏紧,预计延续至2027-2028年。HBM供给紧张,2027年ASP同比增长121%。8hi方案缓解供给与成本压力,但单位容量成本高于12hi。新增产能释放节奏慢,供给改善呈渐进式。美光爱达荷一号工厂预计2027年年中开始晶圆产出,新加坡HBM封装设施预计2027年初运营。长期客户协议覆盖2030年前超35%总营收。端侧AI与Physical AI有望成为新的长期增长来源。
当前存储市场呈现价格持续上涨、供给紧张格局。4Q26 Conventional DRAM合约价季增10%-15%,HBM Blended季增15%-20%,NAND Flash季增15%-20%。传统DRAM与NAND涨幅收敛但趋势未逆转,HBM涨幅扩大。PC与手机端需求承压,供给收缩支撑价格。企业级SSD需求强劲,预计2026年位元需求年增将突破80%。
本报告提示的主要风险包括:下游需求不及预期可能导致存储价格涨幅放缓;存储价格上涨可能受限,影响厂商盈利能力;地缘政治风险可能干扰供应链稳定。此外,新增洁净室与技术升级短期内难以有效缓解供给约束,新洁净室产能爬坡需要数季度,HBM3E向HBM4/HBM4E升级亦增加晶圆资源消耗。