这份研报分析了科创半导体设备板块的午后延续上攻情况,指出板块修复力度增强。报告强调半导体设备材料的中期逻辑不受短期利率扰动,核心逻辑包括资本开支上修和国产替代加速。AI算力需求推动先进逻辑、存储和先进封装扩产,设备更新投入持续,尤其在GAA等技术演进下,设备单位价值量提升。国产替代方面,刻蚀、清洗等环节已进入多客户复购阶段,薄膜沉积等方向处于快速突破期。
半导体设备材料赛道的发展趋势向好,主要受资本开支上修和国产替代加速驱动。AI算力需求持续增长,推动先进逻辑、存储和先进封装扩产,设备更新投入不断。GAA等技术演进下,设备单位价值量提升。国产替代方面,刻蚀、清洗等环节已进入多客户复购阶段,薄膜沉积等方向处于快速突破期,显示国产化进程加速。
研报重点分析了半导体设备材料的资本开支上修和国产替代加速两大方向。资本开支上修得益于AI算力需求推动的先进逻辑、存储和先进封装扩产,设备更新投入持续增加。国产替代方面,刻蚀、清洗等环节已进入多客户复购阶段,薄膜沉积等方向处于快速突破期,显示国产化进程加速,提升国产设备市场份额。
当前市场现状显示半导体设备材料板块修复力度增强,但受美国加息预期影响存在短期震荡。长期逻辑不受短期利率扰动,核心在于资本开支上修和国产替代加速。科创半导体设备ETF鹏华午后上攻,当前位置估值和拥挤度已消化,随着加息预期落地、AI资本开支上修和国产替代推进,配置性价比凸显。
研报提示短期市场受美国加息预期影响可能存在波动,但长期逻辑不受短期利率扰动。需关注技术演进带来的设备更新投入变化,以及国产替代进程中的竞争格局变化。此外,资本开支上修的持续性需持续跟踪,以及国际环境变化可能带来的政策风险。