台韩先进制程格局与发展趋势会议内部交流纪要

一、核心要点

1. 本次为国泰海通证券面向签约客户的内部交流，内容仅供内部学习，不得外发。
2. 制程性能对比：
   • 台积电2纳米优于三星2纳米，三星2纳米相当台积电3纳米，晶体管密度、速度、功耗分别低9%、6%、3%，面积相当。
   • 三星7纳米良率较台积电低7%-9%，性能差10%，双方先进制程差距逐步缩小。
3. 三星先进制程产能：
   • 四纳米月产能约3.7万片，五纳米约5.8万片，三纳米约2.2万片。
   • 2026年下半年三星美国工厂2纳米量产初期月产能预计3万余片，韩国工厂优先服务内部DX部门。
   • 三星先进制程产能利用率：七纳米约93%、五纳米约88%、四纳米约85%、三纳米约15%、两纳米约72%。
   • 三星8至5纳米制程产能约5.2万片，非头部客户仅获13%（约6500片）。
4. 三星两纳米良率约43%，计划年底提升至55%，良率爬坡速度快于三、四纳米时期。
5. 先进制程应用：
   • 七纳米及以上用于汽车电子、服务器等，四、五纳米用于GPU等。
   • 三星两纳米未来最可能供货AI推理、自动驾驶、移动消费芯片，服务器芯片优先级最低。
   • 七、五、四纳米覆盖移动消费、AI推理训练等。
6. 客户策略：
   • 谷歌、特斯拉等同时合作台、韩，视三星为抗衡台积电的第一供应商以争取产能与议价权。
   • 7纳米以下仅三星能抗衡台积电。
   • 三星7纳米受客户选择，因制程接近台积电、台积电产能紧、三星可同步供存储。

二、风险与关注

1. 先进制程量产卡点转向封装测试环节，2.5D、3D堆叠方案可能影响性能发挥。
2. 受美国政策限制，国内非头部客户获取台积电先进制程困难，主要通过三星获取四、五纳米代工。
3. 三星非头部客户产能分配留待应对海外临时加单，暂未释放更多产能。

三、发展趋势

1. 制程方向：
   • 先进制程向1.4纳米推进，三星1.4纳米推迟至2029年，优先吃透GAA技术，求稳推进。
   • 台积电未急于布局2纳米以下技术。
2. 格局变化：
   • 英特尔计划2027年左右加入竞争，自研18A、14A技术，拟拓展晶圆代工业务及整合封装存储的IDM模式。
3. 核心要素：
   • 先进制程竞争涵盖制程、封装、存储环节，需通过2.5D CoWoS、Tube等封装技术缩短信号传输距离，配合高带宽存储满足算力需求。