- 核心观点:芯片电感赛道具备扩容逻辑,随着芯片TDP和电流的提升,对电感的需求量增加,且电感技术从单相一体成型升级为TLVR电感,带来价格溢价和竞争格局变化。
- 关键数据:
- 芯片TDP从B300的约1400W提升到Rubin的约2300W,提升幅度约80%。
- 单芯片电流从约1700A提升到3000A,提升幅度约80%。
- 对应三次侧供电,单芯片电相数提升幅度接近80%。
- 后续RubinUltra、Feynman芯片功率持续提升。
- 技术升级:
- 从单相一体成型电感升级为TLVR电感。
- TLVR电感底层壁垒:磁粉配方(高端软磁)+工艺制造壁垒,具备溢价,竞争缩圈。
- 产业现状:
- NV系列芯片截至Rubin仍采用单相一体成型电感。
- 后续Ultra芯片可能开始采用TLVR电感。