量增: 从B300到Rubin,芯片TDP从约1400W提升到2300W,对应单芯片电流从约1700A提升到3000A,提升幅度约80%。因此对应三次侧供电来说,单芯片对应的电相数提升幅度也接近80%。后续Rubin Ultra、Feynman芯片功率持续提升。
价升: 垂直供电架构下,被动元器件升级,对于电感来说是从单相一体成型电感升级为TLVR电感。TLVR电感底层壁垒来自于磁粉配方(高端软磁),叠加工艺制造壁垒,使得TLVR电感具备溢价,竞争缩圈。
产业现状: 目前NV系列,截至Rubin仍采用单相一体成型电感,后续若在Ultra中开始采用垂直供电架构,将开始采用TLVR电感。谷歌TPU V8、V9均有望使用TLVR电感。预计27/28年市场空间均翻倍以上增长。
➡相关标的
横店东磁 (已获谷歌TLVR电感磁芯订单、NV订单落地在即)、铂科新材 (NV系为主)、龙磁科技 (谷歌系为主)、顺络电子 (TLVR、钽电容)
量增: 从B300到Rubin,芯片TDP从约1400W提升到2300W,对应单芯片电流从约1700A提升到3000A,提升幅度约80%。因此对应三次侧供电来说,单芯片对应的电相数提升幅度也接近80%。后续Rubin Ultra、Feynman芯片功率持续提升。
价升: 垂直供电架构下,被动元器件升级,对于电感来说是从单相一体成型电感升级为TLVR电感。TLVR电感底层壁垒来自于磁粉配方(高端软磁),叠加工艺制造壁垒,使得TLVR电感具备溢价,竞争缩圈。
产业现状: 目前NV系列,截至Rubin仍采用单相一体成型电感,后续若在Ultra中开始采用垂直供电架构,将开始采用TLVR电感。谷歌TPU V8、V9均有望使用TLVR电感。预计27/28年市场空间均翻倍以上增长。
➡相关标的
横店东磁 (已获谷歌TLVR电感磁芯订单、NV订单落地在即)、铂科新材 (NV系为主)、龙磁科技 (谷歌系为主)、顺络电子 (TLVR、钽电容)