芯片电感赛道扩容逻辑与投资机会分析

一、量增逻辑：芯片功率升级带动供电需求提升从B300到Rubin芯片，芯片TDP从约1400W提升至2300W，单芯片电流从约1700A提升到3000A，增幅接近80%，对应三次侧供电的单芯片电相数也同步提升近80%。后续Rubin Ultra、Feynman芯片功率还将持续提升，进一步拉动电感需求。二、价增逻辑：被动元器件升级带来溢价空间在垂直供电架构下，芯片电感将从传统单相一体成型电感升级为TLVR电感。TLVR电感具备双重技术壁垒：高端软磁磁粉配方以及叠加工艺制造，因此具备天然溢价能力，行业竞争格局也随之缩圈。三、产业现状与市场前景目前NV系列芯片截至Rubin仍采用单相一体成型电感，后续Ultra版本若启用垂直供电架构，将切换至TLVR电感谷歌TPU V8、V9均有望使用TLVR电感预计2027、2028年芯片电感市场空间均将实现翻倍以上增长四、相关投资标的横店东磁：已获谷歌TLVR电感磁芯订单，NV订单落地在即铂科新材：客户以NV系为主龙磁科技：聚焦谷歌系供应链顺络电子：布局TLVR电感、钽电容业务