磷化铟专家交流要点20260809

根据专家交流，3寸磷化铟衬底实际产量为100G EML芯片500-600颗/片，70mW CW芯片700-800颗/片。市场低估单片衬底产量，2026上半年依赖通美消化旧库存，Q3缺口出现后逐步提价，最新报价4500元，年内预计再涨1-2次。

2026年需求量验证数据显示，源杰需十几万片，华芯需8-10万片，全磊需5-6万片，索尔思需10-12万片（对应1000万只光模块），AAOI预计2028年超100万片，Lumentum、Coherent数据持续增长。

器件口径差异大源于生产环节良率差异。衬底→外延（约20层）→光刻刻蚀→划片→测试→封装耦合→模块，各环节良率差异大（外延单步约60-70%），且磷化铟脆性导致切割良率极低。未来高速率芯片需掺铁衬底，材料更脆，良率更低。

外延厂商采购衬底难度加大，行业扩产进度低于预期，缺口明显。扩产慢的原因包括炉子调试、良率爬坡、工人培训；海外高端设备已被订满。通美作为全球龙头，2027利润预计2.5-3亿美元（不考虑涨价）；国内产能以云南锗业领先，溢泰和先导扩产值得期待。

研报提示，磷化铟脆性导致切割良率极低，未来高速率芯片需掺铁衬底，材料更脆，良率可能更低。扩产进度低于预期，海外高端设备供应紧张，可能导致产能释放不及预期。此外，各环节良率差异大，外延单步约60-70%，需关注整体生产效率提升的挑战。