立昂微：2026年半年度报告

公司代码：605358 杭州立昂微电子股份有限公司2026年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、公司全体董事出席董事会会议。 三、本半年度报告未经审计。 四、公司负责人王敏文、主管会计工作负责人吴能云及会计机构负责人（会计主管人员）罗文军声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 五、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 六、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告中涉及未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 七、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 八、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 九、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否 十、重大风险提示 公司已在本报告中详细描述存在的风险因素，请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析中‘五、其他披露事项之（一）可能面对的风险’”中的相关内容。 十一、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义..........................................................................................................................................4第二节公司简介和主要财务指标......................................................................................................5第三节管理层讨论与分析..................................................................................................................7第四节公司治理、环境和社会........................................................................................................22第五节重要事项................................................................................................................................24第六节股份变动及股东情况............................................................................................................36第七节债券相关情况........................................................................................................................41第八节财务报告................................................................................................................................44 第一节释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司信息 六、其他有关资料 □适用√不适用 七、公司主要会计数据和财务指标(一)主要会计数据 单位：万元币种：人民币 八、境内外会计准则下会计数据差异 □适用√不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。□适用√不适用 十、存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润 √适用□不适用 十一、其他 □适用√不适用 第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 （一）报告期内公司所属行业情况 报告期内，全球半导体行业在人工智能（AI）基础设施建设的强劲拉动下，进入前所未有的高速增长阶段。世界半导体贸易统计组织（WSTS）已将2026年全球半导体市场规模大幅上修至1.51万亿美元，同比增长约90%；2027年预计继续增长约27%，达到约1.9万亿美元，行业整体呈现算力领跑、存储超级周期、先进封装迭代、第三代半导体放量的全新发展格局。 1、半导体硅片领域：AI算力重塑硅片消耗结构，行业开启量价齐升新周期 报告期内，半导体硅片行业步入新一轮“触底—复苏—涨价”周期，AI算力爆发正在重塑全球硅片消耗结构，行业呈现量价齐升态势。根据国际半导体产业协会（SEMI）旗下的硅产品制造商组织(SMG)于2026年7月29日发布的硅片行业季度分析报告显示，2026年第二季度全球硅晶圆出货量同比增长7.4%，达到3,573百万平方英寸（MSI），2025年同期为3,327百万平方英寸。出货量较2026年第一季度记录的3,275百万平方英寸环比增长9.1%。日本胜高株式会社（SUMCO）表示：第二季度硅晶圆出货量保持稳健增长，强劲且不断增长的AI相关需求已从先进逻辑和存储领域扩展至功率器件、光电子及其他市场。此外，工业和汽车需求正在复苏，而存储器价格压力则限制了PC和智能手机需求。器件制造商正大力投资扩产，硅晶圆需求增长预计将持续。全球硅片市场长期由日本信越化学（Shin-Etsu）、SUMCO、中国台湾环球晶圆等海外寡头垄断，前三家合计占据全球70%以上份额。国内12英寸硅片国产化率仅约10%，相当一部分高端硅片仍需依赖进口，国产化替代潜力充足。 从需求端来看，AI算力已在重塑硅片消耗结构，带动各尺寸硅片全面放量。单台AI服务器硅片消耗量为传统服务器的3.8倍，其中电源管理芯片用片占比冲至40%，单台AI服务器功率芯片耗硅量达普通服务器5倍；HBM高带宽内存对12英寸硅片消耗为传统DRAM的3倍；3D NAND全面切换双晶圆键合工艺后，12英寸硅片需求直接翻倍。叠加新能源汽车800V高压平台普及、工业控制复苏，8英寸与12英寸硅片全面进入紧缺状态。据SUMCO测算，2026年AI对先进制程12英寸硅片新增需求达100万片/月，占全球12英寸硅片需求10%以上；随着国内晶圆厂大规模扩产，SEMI预计2026年中国大陆地区12英寸晶圆产能将达到321万片/月，约占全球总产能的三分之一，国产替代空间广阔。 从供给端来看，硅片行业具备重资产、产能爬坡周期长的典型特征，行业整体供给弹性偏弱。一条12英寸硅片产线从设备采购到产能稳定爬坡通常需要18至24个月不等，产能投放节奏显著滞后于下游需求的爆发速度。海外头部厂商近年无大规模新增扩产计划，存量大尺寸产能又多被长协订单锁定；为应对存储市场对12英寸轻掺硅片的强劲需求，部分海外厂商正持续调整产能结构，将产线资源向12英寸轻掺产品倾斜，进一步收紧重掺硅片的市场供给，加剧供需缺口。与此同时，原材料、人力成本持续上行，叠加全球石化供应链波动扰动，行业综合生产成本持续抬升。受供需与成本双重驱动，2026年全球三大硅片巨头接连两轮提价，适配AI/HPC场景高端硅片涨幅高达20%，国内硅片厂商同步跟进，根据产品结构差异实施不同幅度调价。市场结构性分化日益凸显：适配PMIC及功率器件的重掺硅片因供给缺口更大，涨价弹性更强；而轻掺硅片则主要受益于先进制程扩产，呈现稳步放量态势。 当前国产12英寸硅片行业盈利水平整体偏低，主要受三大因素制约：一是定价因素，国产12英寸硅片在国产替代进程中普遍较海外产品折价约两成，以价格优势换取市场份额，压制了整体盈利空间；二是折旧压力，硅片属于重资产行业，海外成熟的12英寸产线折旧已基本摊销完毕，而国内厂商普遍正处于高额折旧摊销期，折旧费用对利润影响较大；三是验证及爬坡周期长，12英寸产线从投产到达产，从产能爬坡到实现稳定盈利通常需要3-5年的过程，这也是半导体硅片国产化进程中必经的发展阶段。但长期来看，随着规模效应释放、产品结构升级及行业景气持续，盈利修复确定性较强。 2、功率半导体领域：传统硅基器件稳步进阶，AI与新能源双轮驱动行业变革 报告期内，功率半导体行业下游需求多点开花，整体实现稳步增长。市场格局上，硅基器件仍为基本盘，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体则持续渗透，形成“硅基为主、宽禁带为辅”的共存态势。新能源汽车、工业控制与储能、AI算力数据中心三大下游应用共同拉动行业景气上行。据全球市场洞察公司（GlobalMarketInsights）2026年3月数据显示，2025年全球功率半导体市场规模达557亿美元；若剔除SiC、GaN等宽禁带器件（约42亿美元），硅基功率半导体市场约为515亿美元，仍占据绝对主流地位。 三大需求引擎合力支撑行业稳步增长。从市场结构看，新能源汽车与储能合计占据45%的份额，工业控制占比25%，而AI数据中心正崛起为新的增长极——其服务器功耗可达传统服务器的3至5倍，海外头部厂商已率先在数据中心部署SiC与GaN混合供电方案，持续拉动高压MOSFET、快恢复二极管（FRD）、肖特基二极管等器件需求上行。与此同时，英伟达等大厂正积极推动800VHVDC高压直流架构的应用，该架构具备转换损耗低、传输效率高、铜材用量省等显著优势，有望成为未来AI数据中心的主流供电方案，进一步带动SiC、GaN及功率模组需求放量。在新能源汽车、光伏、充电桩、储能等应用场景中，系统电压亦持续攀升，对功率器件的耐压等级和散热性能提出了更严苛的要求。由此，行业研发重心在持续深耕芯片设计的基础 上，不断加大对双面散热、银烧结、顶部冷却等先进封装技术的研发投入，以应对高压高功率场景下的可靠性挑战。 从国产替代进程看，中低端MOSFET、IGBT已实现较高程度国产化，国内厂商市场份额持续提升，但高端车规级及超高压IGBT产品仍高度依赖海外企业，国内厂商尚存较大追赶空间。 总体而言，硅基器件凭借成本优势、成熟可靠性与完善生态，仍将在主流应用中长期主导；而第三代半导体在高压、高频、高温场景下的渗透率将不断提升，为行业打开长期成长空间。叠加AI算力与高压新能源场景持续扩容，功率半导体行业的中长期增长确定性充足。 3、化合物半导体射频与光电领域：卫星通信与车载感知双轮拉动，国产替代加速突破 化合物半导体射频及光电芯片是5G/6G移动通信、卫星互联网、智能机器人、车载激光雷达、高速光通信等新兴领域的核心元器件，下游应用场景持续拓宽，带动行业市场规模稳步扩张。据YoleIntelligence（Yole）预测，2026年全球整体射频前端市场规模达550亿美元，2026年至2030年复合年增长率9%，其中中国整体射频前端市场规模1,440亿元人民币，2026年至2030年复合年增长率12.30%。 从技术迭代与应用格局来看，砷化镓（GaAs）射频芯片目前仍是消费电子与通信基站场景的主流方案，5G规模化部署及未来6G技术迭代，是其核心增长驱动力。其中，HBT、pHEMT工艺已成熟应用于手机功率放大器、WiFi模组、卫星通信终端等终端产品，适配民用高频通信需求。与此同时，GaN-on-SiC凭借优异的导热性能与电气特性，在高功率、超高频高端场景中渗透