立昂微：立昂微2025年年度报告

公司代码：605358 杭州立昂微电子股份有限公司2025年年度报告 重要提示 一、本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、公司全体董事出席董事会会议。 三、中汇会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 四、公司负责人王敏文、主管会计工作负责人吴能云及会计机构负责人（会计主管人员）罗文军声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 五、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 以实施权益分派股权登记日登记的总股本（扣除回购专户中股份数量）为基数，向全体股东每股派发0.15元现金红利（含税）。截至2026年3月31日，公司总股本为671,377,810股，扣除回购专户中股份数量2,591,500股，现金股利分派的股份基数为668,786,310股，以此计算预计派发现金红利100,317,946.50元（含税）。 如在本公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，因可转债转股/回购股份/股权激励授予股份回购注销/重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持每股分配比例不变，相应调整分配总额，并将另行公告具体调整情况。 本利润分配预案尚需提交公司股东会审议。 截至报告期末，母公司存在未弥补亏损的相关情况及其对公司分红等事项的影响□适用√不适用 六、前瞻性陈述的风险声明 □适用√不适用 七、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况否八、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况否九、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否 十、重大风险提示 公司已在本报告中详细描述存在的风险因素，敬请投资者予以关注并查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之六“公司关于公司未来发展的讨论与分析”中（四）“可能面对的风险”。 十一、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义......................................................................................................................................5第二节公司简介和主要财务指标..................................................................................................6第三节管理层讨论与分析............................................................................................................11第四节公司治理、环境和社会....................................................................................................45第五节重要事项............................................................................................................................63第六节股份变动及股东情况........................................................................................................82第七节债券相关情况....................................................................................................................89第八节财务报告............................................................................................................................91 第一节释义 一、释义 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司信息 二、联系人和联系方式 三、基本情况简介 六、其他相关资料 七、近三年主要会计数据和财务指标 (一)主要会计数据 报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明□适用√不适用 八、境内外会计准则下会计数据差异 (一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (三)境内外会计准则差异的说明： □适用√不适用 十、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。□适用√不适用 十二、存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润 √适用□不适用 十三、采用公允价值计量的项目 √适用□不适用 十四、其他 □适用√不适用 第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司从事的业务情况 （一）业务概况 公司是国内极少数的半导体垂直一体化平台型企业，横跨半导体硅片、功率半导体、化合物半导体三大细分行业，实现了横向多赛道覆盖与纵向关键环节的深度融合，形成了从前端核心材料到中后端高端芯片的完整产业闭环。 公司三大业务板块——半导体硅片、半导体功率器件芯片、化合物半导体射频及光电芯片，如驱动公司发展的“三驾马车”，各自聚焦细分领域，相互支撑、协同发展，已建立起行业领先的市场地位与核心竞争力。三大板块并非孤立的业务单元，而是依托共同的技术底蕴、共享的制造平台与协同的客户资源，形成的有机整体。这种复合型业务架构，共同构建了从硅片到芯片的一站式产品与解决方案平台，精准服务于能源革命、智能计算与无线连接的时代需求，构筑起抵御行业周期波动的战略纵深。 报告期内，公司持续聚焦核心主业，深耕技术创新，优化产品结构，积极把握新能源、汽车电子、新一代通信、卫星互联网、人工智能、机器人、无人机等高景气赛道的战略机遇，推动核心业务稳健发展，整体经营质量与核心竞争力实现持续提升。 半导体硅片业务：公司主营6英寸、8英寸、12英寸半导体硅抛光片及硅外延片，产品覆盖轻掺、重掺、N型、P型等多品类，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、模拟芯片、传感器等领域，下游覆盖新能源汽车、储能、新一代通信、工业控制、人工智能、消费电子、AI 服务器和数据中心等高端市场。轻掺硅片具有高电阻率、低缺陷密度、晶体完整性优异的特点，主要作为逻辑芯片、存储芯片、模拟及射频芯片的基础衬底，在产业链中处于芯片制造最前端，决定芯片性能、良率与可靠性，是高端制程不可或缺的核心材料。重掺硅片通过高浓度掺杂实现超低电阻率，主要用于功率器件、高压器件、大电流芯片，能够显著提升器件导通效率与散热能力。8英寸硅片主要面向功率器件、电源管理、汽车电子等成熟工艺平台，12英寸硅片则面向先进制程与高端功率芯片。 公司半导体硅片业务重点发展8英寸、12英寸重掺硅片与轻掺硅片，其中12英寸硅片已覆盖14nm以上技术节点逻辑电路和存储电路，以及客户所需技术节点的图像传感器件和功率器件。 半导体功率器件芯片业务：公司以特色工艺6英寸功率器件芯片为核心，形成SBD（肖特基二极管，沟槽型和平面型）芯片、FRD（快恢复二极管）芯片、MOSFET（金属氧化层半导体场效晶体管）芯片、TVS（瞬态抑制二极管）芯片等系列化产品布局。产品主要应用于新能源汽车、新能源逆变器、储能变流器、充电桩、工业电源、AI服务器电源、白色家电等场景，是电能转换与功率控制的核心元器件。SBD基于金属-半导体势垒结构，利用肖特基势垒实现低正向压降、超快开关速度，无反向恢复电荷，显著降低开关损耗。在产业链中为功率转换核心芯片，是车载电源、新能源逆变器、快充适配器的关键整流器件，保障系统高效、低噪、高可靠运行。FRD通过特殊掺杂与工艺优化反向恢复特性，兼具高耐压与快速关断能力，适配高频、高压功率回路。作为功率回路核心续流/整流器件，广泛用于新能源汽车电机控制器、新能源逆变器、工业UPS，提升系统效率与稳定性。MOSFET以栅极电压控制沟道导通，输入阻抗高、开关速度快、驱动简单，支持高频、高效功率控制。在产业链中为核心功率开关器件，覆盖新能源汽车OBC、车载DC-DC变换器、新能源组串逆变器、服务器电源，是电能转换与系统控制的核心执行单元。TVS利用雪崩击穿或齐纳击穿特性，在纳秒级吸收浪涌电压，保护后级电路免受过压损坏。作为电路保护核心器件，广泛用于汽车电子控制单元、通信设备、消费电子接口，保障系统在静电、浪涌冲击下安全稳定，是保障系统安全运行的关键基础器件。 公司半导体功率器件芯片业务重点发展车规级功率器件芯片及高附加值产品，覆盖650V–1200V全电压平台，在新能源与工业控制功率半导体领域形成稳定的市场竞争力。 化合物半导体射频及光电芯片业务：公司主要产品是HBT（异质结双极晶体管）、pHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）、VCSEL（垂直腔面发射激光器）及GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）芯片，广泛应用于轨道卫星通信（高、中、低）、新一代通信、导航系统、车载激光雷达、智能驾驶、人形机器人、扫地机器人、无人机、光通信及手机终端等高端场景。HBT基于砷化镓异质结，兼具高频率、高功率密度与线性度，适配射频功率放大。作为射频功率核心器件，用于手机射频前端、卫星通信终端、无线基站，保障信号大功率、高效率发射。pHEMT基于砷化镓/铝镓砷异质结构，利用二维电子气实现超高频率、低噪声、高增益，适配毫米波与微波频段。在产业链中为射频前端核心放大器件，用于新一代通信基站、低轨卫星通信、雷达系统，实现信号低噪放大与远距离传输。VCSEL以垂直谐振腔结构，实现单模/多模激光发射，具有低阈值、高调制速率、易阵列集成特性。在产业链中为光电发射核心芯片，用于车载激光雷达、3D传感、数据中心光互联，是智能驾驶、机器视觉的核心感知光源。GaN-on-SiC芯片是以碳化硅为衬底、氮化镓为有源层，结合GaN高频、高功率与SiC高热导率优势，实现高压、高频、高温稳定工作。作为宽禁带射频/功率核心器件，突破硅基器件性能极限，提升系统功率密度与能效，用于新一代通信基站功放、卫星通信、新能源汽车车载电源、工业高频电源，是下一代射频与功率系统的核心升级方向。 公司化合物半导体射频及光电芯片业务以6英寸GaAs（砷化镓）射频芯片与VCSEL光电芯片为核心，构建覆盖射频放大、信号发射与光电探测的完整产品体系，具备自主可控的6英寸晶圆制造工艺壁垒，高端产品实现规模化突破。 （二）经营模式 公司采用“半导体硅片、半导体功率器件芯片、化合物半导体射频及光电芯片”三轮驱动、纵向一体化协同的经营模式，构建完整产业链布局。该模式通过各板块梯次发展与协同驱动，实现短期盈利稳定与长期增长动能结合，区别于单一业务或单一环节企业受行业周期与市场需求波动影响较大的局限。核心逻辑为：依托盈利稳定的中小尺寸硅片产品支撑大尺寸硅片的研发与产业化投入，以具有行业领先水平的重掺硅片业务为牵引带动轻掺硅片业务的技术创新和产能爬坡，持续巩固硅片板块全尺寸竞争优势；同时以成熟的半导体硅片及半导体功率器件芯片业务