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InP衬底紧缺斜率陡峭

2026-08-04 未知机构任云鹏

核心观点：InP反攻斜率陡峭，缺口远大于预期，紧缺程度已超越DRAM/NAND。
关键数据：
- 缺口率：预计2026-2028年缺口率分别为81%/65%/48%。
- 速率与功率关系：速率越高功率越大产出越少，EML100G/200G/400G分别为2.3%/0.7%/0.1%；CW70mW/100mW/200mW分别为8.5%/6.1%/3.8%。
- 800G高增长：1.6T/3.2T高斜率CPO再爆量。
- CAGR：800G/1.6T/3.2T/CPO所需InP衬底26-28年CAGR分别为31%/156%/576%/1057%。
研究结论：InP紧缺斜率陡峭，需重点关注衬底相关企业。
组合建议：衬底企业【AXT】、【兴业科技】、【光智科技】。

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