AI硬科技和应用系列深度(一) AI算力重塑光互联,高速率光模块与CPO产业化提速 证券分析师:宋辰超(分析师)分析师登记编号:S1190526050001 报告摘要 AI算力增长大幅领先互联带宽,系统级协同与定制网络推动光互联升级。AI计算能力快速提升,而PCIe、内存及网络带宽增速相对滞后,互联逐渐成为算力释放的重要瓶颈。随着GPU、ASIC出货增加、单芯片速率及光模块配比提高,光互联由Scale Out向跨机架Scale Up及Scale Across拓展。英伟达通过NVLink、NVSwitch和NVLink Fusion推进系统级协同,谷歌、Meta、AWS则围绕自研芯片建设差异化网络,推动AI网络向高带宽、低时延和低功耗方向持续演进。 高速光模块向1.6T及硅光加速演进,核心光电器件价值量持续提升。当前800G仍是主流,1.6T快速渗透,3.2T成为下一代方向。传统EML方案保持主流,硅光依托高集成度加快渗透,带动激光器、DSP、Driver、TIA、PD及无源器件向高带宽、低功耗和高可靠性升级。 光电转换持续向计算芯片靠近,NPO先行、CPO打开长期成长空间。NPO将光引擎移至ASIC附近并保留可拆卸特性,在降低损耗的同时兼顾维护便利;CPO则将光引擎与ASIC/XPU共同封装,缩短信号传输距离。英伟达、博通、台积电、AyarLabs及Marvell等厂商分别围绕CPO交换机、先进封装平台和光引擎芯粒加快布局。产业链核心环节涵盖外部激光源、EIC/PIC、MRM/EAM调制器、2.5D/3D封装、FAU/DFAU、MPC及保偏光纤,其中封装能力、光纤耦合精度和测试效率是影响规模量产进度的关键。 AI集群连接密度不断提升,高芯数光纤及精密连接器需求加速释放。Scale Up与高速网络升级推动光纤用量、光缆芯数和端口密度提高,布线向高密度、低损耗和模块化发展。MPO向高芯数、小型化演进,MMC、SN-MT等接口逐步导入;MT插芯具备精密制造、专利授权和客户认证壁垒,高端产能相对紧缺。 目录 1、算力-网络数倍级剪刀差,网络架构迭代加速 2、光互联载体:1.6T/硅光光模块加速,上游器件紧缺提升 3、光互联载体:CPO量产/NPO先行,核心器件价值提升 4、光互联传输:布线/光纤/MPO/插芯,AI连接密度驱动需求释放 1.1本质逻辑1:算力与网络增速的数倍级差距 互联速度/内存速度已远远落后算力增长速度。算力从2020年到2024年,增长了28倍;同时期PCIE带宽仅增长2倍、GPU内存仅增长2.4倍,算力与带宽增长的巨大不匹配为互联带来投资机会。 芯片增长带来连接速度的持续提升。Blackwell架构的GPU拥有2080亿个晶体管,GPU的制造过程需要两个集成电路板,而这两个板子通过每秒10TB的数据传输速率进行连接,第五代NVLink最新版本的NVIDIA NVLink@提供了突破性的1.8TB/s双向传输速率。 资料来源:Wu et al.(2026)、北京大学、清华大学,arXiv、太平洋证券 资料来源:SemiAnalysis、NVIDIA、太平洋证券 1.2本质逻辑2:计算芯片出货,对应带宽传输增加 AI计算集群(GPU/ASIC)的出货量是驱动光模块和网络带宽需求的根本动力。AI芯片与外部进行数据交换,取决于芯片本身的网络接口速率以及网络架构; 光模块比例提高:对于英伟达,更先进的平台需要更高的配比(GB200 1:2~3提升至VR2001:4~6),光模块速率也从800G提升至1.6T; ASIC芯片带宽配比更高:谷歌TPU芯片平均配比1:4、亚马逊Trainium芯片平均配比1:4、Meta MITA-T芯片配比1:8~12,配比提升带来光模块的总量提升。 1.3光网络架构:三种网络架构scale up/out/across Scale Up(节点内互联):传输介质:短距离(机架内)以铜缆为主,成本低、功耗低、可靠性高;长距离(跨机架)正向光互联演进,如共封装光学(CPO)、近封装光学(NPO)技术; Scale Out(节点间互联):传输介质:当前主流为可插拔光模块(800G/1.6T),未来趋势硅光、3.2T、轻相干光模块。Scale Across(跨数据中心互联):跨区域协同训练,将多个数据中心GPU集群用于单一大型AI模型训练,相干光模块(Coherent ZR/ZR+)是Scale Across场景中长距离传输的关键技术 资料来源:Broadcom官网、太平洋证券 资料来源:摩根士丹利研究部、Gartner(高德纳)、Dell’Oro集团、太平洋证券 1.4光网络架构:NV网络架构核心系统级协同设计 英伟达网络架构的核心和特点为一个核心、三大支柱。其核心是系统级协同设计(Extreme Co-Design),通过将计算、网络和软件深度整合,构建一个完整的、端到端的AI基础设施平台。其特点体现在三个相互关联的网络维度上,根本目标是降低每Token成本和提升每瓦性能。这意味着网络设计必须服务于最大化GPU利用率、最小化通信延迟和功耗。 NVLink:是NVIDIA专有的高速GPU互连技术,目前已发展到第六代,单GPU带宽3600GB/s,是PCIe Gen6的14倍以上;NVSwitch:是实现多GPU全互联的关键芯片,单GPU带宽翻倍至3.6TB/s,NVL72系统总带宽达260TB/s;NVLink Fusion:让定制芯片(包括CPU和XPU)与NVIDIA的NVLink scale-up网络技术以及机架级扩展架构相集成 资料来源:NVIDIA、太平洋证券 资料来源:NVIDIA、太平洋证券 1.5光网络架构:Google/Meta/Aws自研芯片+定制网络 谷歌网络:自研TPU + ICI + OCS (3D Torus)架构,强调低成本、高扩展、低延迟、全自研软硬件协同。Virgo的定位是专为TPU v8t(训练集群)设计的全新横向扩展(Scale-out)网络架构,支持超过100万颗TPU芯片组成单一训练集群。 Meta网络:自研MTIA +以太网主导+高速光互联,强调开放机架架构、多供应商策略;DSF(解耦调度结构)& NSF(非调度结构),其中NSF:基于L3 CLOS网络,使用NVIDIA Spectrum 4交换机(51.2T),支持20,736个GB300 GPU。Amazon (AWS)网络:自研Trainium+NeuronLink+自研网络,强调运营灵活和开放生态;最新扁平数据中心网络架构RNG,新型分布式路由协议,利用随机图的特性,在端点之间找到大量边不相交的路径,成本比胖树低45%。 资料来源:Meta Engineering、太平洋证券 目录 1、算力-网络数倍级剪刀差,网络架构迭代加速 2、光互联载体:1.6T/硅光光模块加速,上游器件紧缺提升 3、光互联载体:CPO量产/NPO先行,核心器件价值提升 4、光互联传输:布线/光纤/MPO/插芯,AI连接密度驱动需求释放 2.1光模块:传统分立式(EML)市场主导方案 目前光模块市场中传统分立式(即采用EML等独立元器件的可插拔模块)仍是主流,长距离传输性能优异(如FR/LR),耦合效率高,编码误码率低,目前800G是主力,1.6T渗透率快速提升,3.2T是下一代在研产品。 工作原理:EML将DFB激光器与EAM调制器单片集成,通过电信号实现高速光强调制,具有高带宽、低啁啾和良好的传输性能。模块结构:发射端由EML芯片、Driver等组成TOSA,接收端由PD、TIA等组成ROSA,再与DSP、PCBA及光接口组装成完整光模块。EML芯片供应商:Lumentum、Coherent、三菱电机、东山精密。 资料来源:Coherent、LightCounting、Bernstein分析、太平洋证券 资料来源:GB-Link Technology Inc. Ltd、太平洋证券 2.2光模块:硅光(CW光源)渗透率快速提升 硅光光模块将调制器、光路等集成在单一芯片上,器件数量减少,组装复杂度降低,有利于大规模量产。CITI预测硅光渗透率在2028年将达到60%,对应的光芯片需求(含EML和CW激光器)在2028年将达到17.14亿颗,3年复合年增长率(CAGR)为62%。光源与模块结构:由于硅材料发光效率较低,硅光模块通常采用外置Ⅲ-Ⅴ族连续波激光器提供光源,并通过耦合结构将光注入硅光芯片;芯片上可集成调制器、波分复用器、探测器等器件。 工艺与发展趋势:硅光芯片以SOI晶圆为基础,采用与CMOS兼容的光刻、刻蚀、沉积和金属化工艺制造,具备高集成度和规模化生产潜力;目前仍面临光源耦合、热调谐及先进封装等挑战。 硅光调制器:硅光调制器主要基于等离子色散效应——通过施加电压改变硅材料中的载流子浓度,从而改变折射率和吸收系数,进而控制光信号的强度或相位 光源(激光器):普遍采用外置连续波(CW)激光器方案——使用InP、GaAs等III-V族材料制成的激光器作为光源,“外挂”到硅基芯片上 制造工艺:直接复用成熟的CMOS集成电路产线(光刻、刻蚀、沉积等工艺),在硅晶圆上“雕刻”光路系统。典型工艺流程包括:SOI衬底→深紫外光刻→硅刻蚀→锗外延→金属化→钝化→测试 2.3有源器件:DSP-信号质量的修复引擎 核心功能:DSP芯片承担着全链路信号重建的核心功能,补偿信号损伤、支撑高阶调制与高速率;解决高速电信号经过PCB、光纤后的衰减、串扰、抖动问题,是AI算力光互连主要芯片。 完整信号链路:交换机高速电信号→ DSP编码整形→ TIA /激光驱动→ EML光芯片;接收端:光电信号→ TIA → DSP均衡纠错→输出干净数字信号给GPU /交换机。 海外:Marvell(收购Inphi)、博通深耕光DSP超20年,完整自研SerDes、ADC、核心IP永久不对外授权;国内:可商用量产:仅橙科微、华为海思实现400G PAM4 DSP小批量落地;华为仅内部自用,不对外销售。 资料来源:MaxLinear官网、太平洋证券 资料来源:Marvell官方产品白皮书、太平洋证券 2.4有源器件:TIA/Driver-信号放大和修复的稳定器 Driver位于发射侧,接收来自DSP或交换芯片的电信号,将其放大并整形为足够大的电流,驱动激光器(如EML、VCSEL)或调制器发光。其核心要求包括:高带宽、低抖动、低功耗以及高线性度,以确保光信号质量的上限; TIA位于接收侧,连接光电探测器(PD或APD)。当PD将微弱的光信号转换为微安级甚至更小的光电流后,TIA负责将这极其微弱的电流信号转换为电压信号并放大,供后续电路处理。TIA的性能直接决定了光模块的接收灵敏度、信噪比(SNR)和误码率(BER)海外:224G高速TIA/Driver垄断,MACOM、MaxLinear、Semtech、Marvell;掌握全套SiGe工艺IP、高频模拟电路专利,深度绑定英伟达、谷歌云厂商硅光/ CPO方案; 国内:厦门优迅、芯耘光电、亿芯源。 资料来源:优迅股份招股说明书、太平洋证券 资料来源:资料来源:MaxLinear官网、太平洋证券 2.5有源器件:探测器(PD)-光电转换起点 PD光电探测器(接收端光芯片):位于ROSA /接收光引擎前端,将光纤输入的光信号转换为微弱光电流,是整个光通信系统“光→电”转换的起点。 核心指标:响应度(A/W)、3dB带宽、暗电流/噪声、结电容、饱和光功率、线性度和可靠性;高速光模块中,PD需要在小尺寸、低电容下兼顾高带宽和高响应度,并与TIA近距离封装以降低寄生效应。 技术路线:PIN PD成本低、速度快、结构简单,是数据中心短中距模块主流;APD通过雪崩倍增获得内部增益,接收灵敏度更高,适合长距/弱光场景;硅光方案中多采用Ge-on-Si探测器与PIC集成。 产业趋势: