出海算力光芯片怎么看光互联需求高增下光芯片硬缺口带来的投资机遇20260913

这份研报主要分析了光芯片市场的供需状况、技术路线、增长趋势以及投资机遇。报告指出光芯片作为AS硬件领域最具潜力和确定性增长的领域，受到广泛关注。EML和CW激光器技术在NPU、CPU及2.4T相干模块等领域的应用前景广阔，预示着光互联方案将成为未来主流。报告详细分析了EML芯片、200G EML芯片、CW激光器等的技术路线与供需状况，指出100G和200G页面芯片存在明显供需缺口，特别是200G页面最为紧缺且扩产难度大。此外，报告还探讨了磷化铟衬底供应不足、良率问题等供应链瓶颈，以及未来增量来源如Scale up和谷歌6D Tros架构等。最后，报告介绍了国内光芯片企业如长光华星的布局和发展潜力。

光互联行业未来发展趋势向好，光芯片市场正处于高速增长阶段。EML和CW激光器技术路线前景广阔，将广泛应用于NPU、CPU及2.4T相干模块等领域，推动光互联方案成为未来主流。从供需趋势看，100G和200G页面芯片存在明显供需缺口，特别是200G页面最为紧缺且扩产难度大。未来增量来源包括Scale up和谷歌6D Tros架构等，将带动整个光芯片需求量级的数量级跃迁。此外，高技术壁垒的高功率CW激光器和200G页面芯片等技术的突破将对市场未来增长产生重要影响。

研报重点分析了光芯片市场的技术路线与供需状况、市场供需缺口与增长趋势、供应链瓶颈与市场展望，以及未来增量来源和国内光芯片企业布局。在技术路线方面，报告详细分析了EML芯片、200G EML芯片和CW激光器的特点和应用场景，指出EML芯片集成度高、应用场景广泛，但短期面临NPO架构硅光PIC路线的替代威胁；200G EML芯片技术壁垒最高，供需缺口最大；CW激光器低功率部分已实现国产替代，高功率部分仍稀缺。在市场供需方面，报告预测2027年光芯片市场将面临明显的供需缺口，特别是100G和200G页面，200G页面最为紧缺且扩产难度大。在供应链瓶颈方面，报告指出磷化铟衬底供应不足，良率问题也限制了整体出货量。未来增量来源包括Scale up和谷歌6D Tros架构等，将带动整个光芯片需求量级的数量级跃迁。国内光芯片企业如长光华星已批量出货100G页面，进入200G页面内部测试阶段，并在70毫瓦、100毫瓦CW光芯片及400毫瓦高功率激光芯片等方面均有布局，预计2027年初月产能有望突破千万颗级别，年产能将达到数十亿级别，向千亿乃至2000亿市值发展潜力巨大。

目前光芯片市场正处于高速增长阶段，但同时也面临明显的供需缺口和供应链瓶颈。从技术路线看，EML和CW激光器技术路线前景广阔，但不同技术路线存在差异化的供需状况。EML芯片集成度高、应用场景广泛，但短期面临NPO架构硅光PIC路线的替代威胁；200G EML芯片技术壁垒最高，供需缺口最大，全球仅少数厂商能量产，目前尚处于产能和良率迭代阶段；CW激光器低功率部分已实现国产替代，高功率部分仍稀缺，但国内企业在低功率领域占据较大市场份额，并开始向高功率领域拓展。从市场供需看，100G EML芯片2027年供需缺口预计仍接近20%，价格温和可控；200G EML芯片研发难度高，全球仅少数厂商能量产，目前尚处于产能和良率迭代阶段；高功率CW激光器2026年市场需求量约450万颗，主要应用于2.4T相干模块和CPU交换机，2027年需求将大幅增长至1200万颗+2560万颗；NPO方案2027年光引擎规模化放量至2000万，对应120到150毫瓦CW激光器需求达到8000万到1亿颗。从供应链看，磷化铟衬底供应不足，高功率CW激光器对衬底消耗巨大，瓶颈将进一步加剧；光芯片良率普遍较低，平均在50%至60%，限制了整体出货量。

研报提到了光芯片市场面临的一些风险提示。首先，磷化铟衬底供应不足是主要的供应链瓶颈之一，高功率CW激光器对衬底消耗巨大，这将进一步加剧瓶颈。其次，光芯片良率普遍较低，平均在50%至60%，这也限制了整体出货量。此外，不同技术路线如EML芯片和NPO架构硅光PIC路线之间存在替代威胁，200G页面芯片扩产难度大，这些都可能影响市场供需格局。虽然报告指出高技术壁垒的高功率CW激光器和200G页面芯片等技术的突破将对市场未来增长产生重要影响，但技术突破本身也存在不确定性。投资者应关注相关领域的技术进步和市场需求动态，以把握投资机会，但需注意相关风险。