东吴电子：光互联需求高增下光芯片硬缺口投资机遇

算力需求推动光互联技术向Scale Up演进，英伟达、谷歌等巨头算力架构迭代将带动光芯片数量级需求跃升。2027-2028年成为光芯片需求核心增量期，传统可插拔、NPO、CPU、2.4T相干光模块均拉动光芯片需求，预计2027年各类场景下EML与CW需求总量突破数十亿颗。

三大光芯片品类格局分化明显。100G EML供需缺口约20%，短期温和涨价；200G EML技术壁垒最高、缺口最大，全球仅2-3家厂商量产，2024Q4起大规模交付；低功率CW已实现国产替代，2027年需求达4-5亿颗，NPO规模化带来30%增量；高功率CW（400毫瓦）壁垒最高，仅海外1家厂商量产，2026年供给仅450万颗，供需极度紧张，衬底消耗为EML的6-7倍形成关键约束。

本报告重点分析了光芯片赛道的核心增量逻辑、主要品类供需格局及发展趋势。报告指出，算力需求是核心驱动力，2027-2028年将成为光芯片需求核心增量期；三大光芯片品类（100G EML、200G EML、低/高功率CW）格局分化明显，中高功率CW成中长期确定性最高增量方向；同时关注多架构需求叠加效应，传统可插拔、NPO、CPU、2.4T相干光模块均拉动光芯片需求。

当前光芯片市场呈现供需缺口扩大、技术壁垒提升、多品类并行发展的特点。100G EML供需缺口约20%，短期温和涨价；200G EML技术壁垒最高、缺口最大，全球仅2-3家厂商量产；低功率CW已实现国产替代，需求快速增长；高功率CW（400毫瓦）供需极度紧张，仅海外1家厂商量产，衬底消耗是关键约束。多架构需求叠加，2027年各类场景下EML与CW需求总量突破数十亿颗。

本报告提示的主要风险包括技术路线替代风险和产能供给约束风险。技术路线替代风险方面，NPO架构硅光方案或替代部分EML需求，CIPO量产可能缩短EML产品生命周期。产能供给约束风险方面，磷化铟衬底供给不足、光芯片良率偏低、配套器件短板（如法拉第光片）或制约光芯片出货量释放。这些因素可能影响光芯片市场的供需平衡和厂商的竞争格局。