海力士专家调研20260802

目前已有一部分长协落地，但尚未全部完成，谈判对象主要是几家美国大型公司。协议在数量上锁定了三至五年，但单价每年重新审议一次。2027年的价格应该已经确定，并可能设定了价格上下限，但具体的价格细节属于高度保密信息。 鉴于存储厂商利润丰厚，下游CSP客户对当前持续上涨的价格持何种态度？服务器市场与消费电子市场客户的反应有何差异？ 目前CSP及服务器客户并未表现出强烈的抵触情绪，主要原因是他们仍面临显著的缺货问题，需求依然强劲。预计他们能够接受2026年第三季度乃至第四季度的价格上涨。然而，如果价格在2027年继续走高，可能会对他们的资本开支构成较大影响。相比之下，消费电子领域的客户抵触情绪非常严重。例如，在2026年第二季度，部分手机厂商因无法接受三星的报价而大幅减少了采购量，尽管三星方面也表现得相当强硬。 从季度节奏来看，服务器与消费类存储产品的价格涨幅趋势有何不同？2026年第四季度是否会出现供需平衡？ 对于服务器市场，预计2026年第三季度价格环比涨幅在20%以上，但达到30%的可能性不大；第四季度预计仍有微涨。而消费类市场的价格涨幅收窄速度会更快，到第四季度可能出现涨不动的情况。这主要是因为消费类客户，特别是手机厂商，在前期持续拉货导致库存水位升高，而终端销量却在减少，因此他们后续的采购量可能会进一步缩减。结合供给端产出并未大幅减少的情况，消费类市场在2026年第四季度有可能达到新的供需平衡。 服务器存储产品的季度定价机制是怎样的？临时报价与最终结算价之间是否存在变数？ 定价流程通常是，在季度初（例如月底）先设定一个临时价格用于出货，而最终的结算价格则要到季度末的最后一个月才能最终敲定。虽然协议条款允许根据供需变化调整最终价格，但在当前供需状况相对稳定的情况下，最终结算价与临时报价出现较大偏离的可能性不大。定价的主动权基本掌握在原厂手中。 展望2027年及以后，在AI发展的推动下，除了当前市场已充分预期的需求外，存储行业是否存在可能超出预期的新的增长点？ 当前市场对于由AI驱动的大容量NAND替代HDD等需求增长点已经有了比较充分的预期和计算。短期内很难看到新的爆发点。一个看得比较清楚但需要较长时间才能起量的潜在亮点是CXL。目前各家厂商已有CXL样品，但尚未达到量产水平，主要因为相关应用还未起量。预计CXL技术的大规模应用可能要到2028年，届时随着英伟达和谷歌的采用，或将成为市场的一个重要亮点。目前，市场对CXL的需求尚未计入预期。 CXL主要带动的是DRAM的需求。它是一种新的DRAM模块形态，不同于当前服务器普遍使用的RDIMM内存条。CXL通过改变软硬件架构，实现内存共享和内存池化的概念。 CXL技术在内存共享方面有哪些具体实现和发展？ CXL技术实现了内存池化，例如在NVLINK72的组合中，整个72个单元可以共享内存。其后续协议甚至可以延伸至跨机房的内存共享。CXL内存池中的基本颗粒是DRAM。 针对NAND领域，HBF的应用前景和量产时间是怎样的？ NAND领域的一个新增应用是HBF。目前产业界尚未预估其具体用量，主要取决于英伟达的使用情况。预计的量产时间点在2027年底，因此规模起量可能要到2028年。初期应用阶段，其使用量可能不会太大，类似于HBM技术发展早期的情形。 近期存储原厂在产能扩张的节奏上出现了哪些新变化？这些变化主要受何驱动，新增产能预计何时落地？ 近一个月内，存储原厂的扩产节奏明显加快，从此前的相对保守转为更为积极。这一转变的主要驱动力是近期与美国区签订了部分长协，使得厂商对未来需求的能见度更有把握。这些加速扩产的产线所新增的产能，预计主要将在2028年下半年开始释放。2028年上半年及之前的产能规划早已确定，无法再增加。 公司的扩产计划具体情况如何？其产能爬坡节奏和最终规模是怎样的？ 海力士大连二厂的扩产属于延续早前收购时承诺的既定计划，并非新增项目。该工厂预计在2027年上半年准备就绪，并于2027年下半年开始量产。其规模预计不会超过一厂，可能小于或等于一厂的水平。作为参考，一厂的月产能约为90K多晶圆。新工厂的产能爬坡通常需要两到三年才能达到满产规模。参照其他厂商新工厂第一年的量产节奏（如铠侠新厂首年约5K/月），大连二厂在2027年的月产能可能也达不到20K。一个较为合理的预期是，该工厂可能到2029年左右才能爬坡至与一厂相当的90K至100K月产能水平。 在美国区长协签订后，存储原厂加速扩产主要体现在哪些方面？DRAM和NAND的扩产方式有何不同？ 近期由美国区长协驱动的扩产主要集中在DRAM领域，晶圆投片量增加较多。这是因为DRAM技术发展到一定程度后，通过增加投片量是提升产能最有效的方式。相比之下，NAND行业则不需大幅增加晶圆投片，主要通过技术改造，如升级堆叠层数（例如从300层升级至400层），即可实现显著的产出增长。 各大存储原厂在DRAM产能扩张方面有哪些新的基地布局和时间规划？ 各原厂正在加速其现有基地的产能扩张，预计这些旧有基地的投片量将在2028至2029年间实现较快爬升。同时，也出现了一些新的基地规划。公司方面，除了在龙仁加速建设外，近期有信息显示计划在光州新建一个DRAM基地，这是由其国家总统牵头的新基建项目。三星方面，除了原计划于2028年量产的P5工厂，其在青州也有扩产动作。不过，这些新建基地的投产时间会更晚，预计要到2029或2030年才能准备就绪。 韩国存储厂商在美国的新建产能规划是怎样的，主要用于哪些产品，预计何时量产？ 两家韩国厂商（三星、公司）均有在美国建厂的承诺，这些美国工厂的产能主要用于HBM，涵盖前道、中道和后道的完整生产环节。预计量产时间点在2028至2029年。关于具体的产能规模，虽然没有确切数字，但通常一个新厂的规划产能达到100K/月属于一个中性水平。 未来至2028年和2029年的扩产规划是怎样的？ 行业有一个公开目标，即到2030年的产能要比2025年底翻一倍，但具体到每年的增长规划则相对温和，年增长率大约在16%到17%之间。 在当前的扩产规划下，半导体设备或零部件方面是否存在可能影响扩产进度的瓶颈环节？ 扩产过程中确实存在瓶颈环节，其中最主要的是EUV光刻机。由于逻辑芯片和存储芯片都需要使用EUV，导致ASML的供应非常紧张。其他设备如刻蚀、薄膜沉积等，其交货周期相对较短，不构成主要瓶颈。目前EUV设备的行业标准交货周期大约是两年半，而现在的实际等待时间已经超过两年半。除了EUV设备，洁净室的建设也是一个全球性的瓶颈，因为此前行业并未为此轮大规模扩产做好充分准备。在美国，获取建厂地皮和通过环保审批的流程也非常缓慢。这两个环节中任何一个出现延误，都可能导致扩产进度不及预期。 DUV光刻机目前是否存在短缺？考虑到海外厂商新建产能已全面转向EUV，而国内厂商仍依赖DUV，这对产品性能有何影响？ 所有的光刻机都处于短缺状态，但EUV和DUV的情况有所不同。海外领先厂商新建的产能已全部采用EUV技术，因为对于先进制程而言，EUV的效率更高。具体来说，韩系厂商从1a制程（大约相当于14纳米）开始就已全面转向EUV，因为使用DUV技术在这一阶段已显得落后。美光则是在1c制程（大约相当于12纳米）开始切换到EUV。相比之下，国内厂商由于无法获得EUV，只能继续使用DUV来生产DDR5等产品。虽然用DUV可以做出DDR5，但与使用EUV生产的同代产品相比，其速度较慢、功耗较高、良率也较差，整体生产效率存在显著差距。目前海外厂商使用14纳米、12纳米工艺生产DDR5，而国内厂商仍停留在16纳米或18纳米水平，产品性能存在代差。 韩系厂商从何时开始在DRAM生产中使用EUV技术？对于未来的High-NAEUV技术，预计将在哪个技术节点开始导入？ 韩系厂商大约在三、四年前，即从1a制程节点开始，就已大规模导入EUV技术用于DRAM生产。至于High-NAEUV，目前尚未排上日程。预计在1a、1b、1c、1d之后的0世代，可能要到0b或0c节点才需要导入High-NAEUV。考虑到行业最先进的制程在2026年底进入1d，而每个技术节点的迭代周期约为一年到一年半，High-NAEUV的采用将是几年之后的事情，0a节点并不需要。 公司在HBM4方面进展稍显落后，是否与EUV技术或其LogicDie的制程有关？ 公司在HBM4上的问题与LogicDie关系不大。HBM产品中逻辑die采用的是5纳米或4纳米制程。其中，4纳米逻辑die使用EUV技术。此前，三星采用的是1B制程，而公司采用的是1C制程。1C制程的逻辑die速度更快，具备先天优势。由于客户后续提升了对速度的标准要求，原有的1B制程在速度上稍显不足。为了满足新的性能要求，可以通过改动逻辑die（即底层的驱动电路）来提高其工作效率和速度。美光也采用了类似的技术方案。经过对逻辑die的改动，目前两家供应商的产品速度都已达标。 HBM4E是否必须采用1C制程？ 是的，HBM4E将全部采用1C制程。虽然通过让现有制程高负荷工作可以在一定程度上满足要求，但要达到HBM4E的标准，必须升级到1C制程。 全球NAND闪存市场以及公司在2026年和2027年的产能规划和增速是怎样的？ 从全行业来看，预计2026年NAND的比特数增速约为16%，到2027年，该增速预计将提升至22%左右。 公司大连工厂的NAND扩产计划具体是怎样的，包括时间表、产能和爬坡节奏？ 公司大连工厂的扩产项目属于二期工程。其洁净室预计在2027年上半年准备就绪，并计划于2027年下半年开始量产。该二期项目的产能规模预计不会超过一期（一期产能不足每月10万片）。更多投研资料加微：产能爬坡速度方面，预计第一年（2027年底）的产量会很少，可能仅为每月1万至2万片。通常情况下，新工厂的产能爬坡需要大约三年时间才能达到满产，因为设备是分批进入并需要逐条产线进行调试。 半导体工厂的建设周期在国内外有何差异？例如公司的工厂从规划到投产通常需要多长时间？ 从行业惯例来看，半导体工厂的建设周期在国内外存在显著差异。国内的建设速度非常快，通常一年以内即可完成，这不仅得益于洁净室的建设速度，也与国内高效的基建能力有关。相比之下，国外的建设周期较长，例如在韩国，通常需要两年左右的时间。一个工厂从规划到最终量产是一个长期的过程。以龙仁基地为例，虽然计划于2027年量产，但相关准备工作早已启动，只是由于市场行情不佳，项目节奏有所放缓。 当前EUV光刻机的订货周期是多久？这与洁净室的建设周期相比，哪个是更关键的时间瓶颈？ 目前EUV光刻机的订货周期大约需要两年半到三年。相较于洁净室通常两年的建设时间，EUV设备的交付周期更长，因此是整个产能建设过程中的关键时间瓶颈。 DRAM和NAND的市场定价机制是怎样的？针对联想、浪潮这类大客户，是采用协议价还是随行就市？价格调整的频率如何？零售市场的交易量占比极小，其价格不具备代表性。对于联想、浪潮等大宗采购客户，均采用协议价模式，具体为季度定价，即每季度调整一次价格。 2026年第二季度，服务器用DRAM和NAND的平均价格分别是多少？ 以2026年第二季度的行业均价来看，服务器用DDR5DRAM的价格约为每Gbit2.1美元，此价格已不区分具体速率，因为在当前价格高位下，不同速率间的溢价差距极小。 对于2026年第三、第四季度以及2027年全年的DRAM和NAND价格走势有何预期？ 2026年第三季度的价格尚未最终确定，但预计DRAM价格将上涨15%至20%，NAND价格涨幅可能在20%左右。展望第四季度，预计仍有上涨空间，但涨幅将收窄，DRAM可能微涨5%至10%，而服务器用NAND仍有10%至15%的上涨机会。对于2027年，预计全年整体涨幅将非常有限。 针对不同类型的客户，2027年的定价策略有何差异？大客户的长期协议价格是如何确定的？ 2027年的定价策略将呈现分化。由于服务器市场预计仍将处于缺货