海力士专家调研20260802

这份研报主要围绕海力士的专家调研展开，核心内容包括长协与价格机制、季度价格趋势、定价机制、AI驱动增长点、扩产节奏与规划、扩产瓶颈、DRAM扩产、NAND市场与扩产、半导体工厂建设周期、HBM市场与定价、市场走势与风险、新型内存与价格差异、服务器内存市场等方面。调研显示部分长协已落地，主要谈判对象为美国大型公司，数量锁定三至五年，单价每年重审。2027年价格已确定，可能设定上下限，细节保密。服务器市场2026年Q3价格环比涨幅超20%，消费类市场价格涨幅收窄快。AI驱动NAND替代HDD等需求增长已预期，短期内无新爆发点。存储原厂扩产节奏加快，主要驱动力为与美国区长协，2028年下半年产能释放。EUV光刻机是主要瓶颈，交货周期超两年半。NAND市场2026年比特数增速约16%，2027年约22%。HBM用年度定价，2026年价格未变，HBM3E每GB约12-13美元，HBM4预计19美元。NAND走势比DDR坚挺，因单价低、性价高。

报告对赛道/行业发展趋势进行了深入分析，指出AI驱动NAND替代HDD等需求增长已预期，短期内无新爆发点。CXL是潜在亮点，但量产需时，预计2028年大规模应用，目前未计入预期。CXL主要带动机DRAM需求，实现内存共享和池化。存储原厂扩产节奏加快，主要驱动力为与美国区长协，2028年下半年产能释放。韩系厂商美国新厂产能用于HBM，涵盖前、中、后道，2028-2029量产。NAND市场2026年比特数增速约16%，2027年约22%。HBM用年度定价，2026年价格未变，HBM3E每GB约12-13美元，HBM4预计19美元。NAND走势比DDR坚挺，因单价低、性价高，需求外溢至NAND。车规级存储需求好、供给紧，ADAS驱动，增速迅猛（中国区年增70%-80%），未来或填补部分需求缺口。

报告重点分析了长协与价格机制、季度价格趋势、定价机制、AI驱动增长点、扩产节奏与规划、扩产瓶颈、DRAM扩产、NAND市场与扩产、半导体工厂建设周期、HBM市场与定价、市场走势与风险、新型内存与价格差异、服务器内存市场等方面。长协方面，部分长协已落地，主要谈判对象为美国大型公司，数量锁定三至五年，单价每年重审。价格趋势方面，服务器市场2026年Q3价格环比涨幅超20%，消费类市场价格涨幅收窄快。AI驱动方面，NAND替代HDD等需求增长已预期，短期内无新爆发点。扩产方面，存储原厂扩产节奏加快，主要驱动力为与美国区长协，2028年下半年产能释放。瓶颈方面，EUV光刻机是主要瓶颈，交货周期超两年半。DRAM扩产方面，韩系厂商从1a制程开始用EUV，High-NAEUV预计0b/0c节点导入。NAND市场方面，2026年比特数增速约16%，2027年约22%。HBM市场方面，HBM用年度定价，2026年价格未变，HBM3E每GB约12-13美元，HBM4预计19美元。市场走势方面，NAND走势比DDR坚挺，因单价低、性价高。

报告对市场现状进行了全面判断，指出部分长协已落地，主要谈判对象为美国大型公司，数量锁定三至五年，单价每年重审。2027年价格已确定，可能设定上下限，细节保密。服务器市场2026年Q3价格环比涨幅超20%，消费类市场价格涨幅收窄快。AI驱动NAND替代HDD等需求增长已预期，短期内无新爆发点。存储原厂扩产节奏加快，主要驱动力为与美国区长协，2028年下半年产能释放。EUV光刻机是主要瓶颈，交货周期超两年半。NAND市场2026年比特数增速约16%，2027年约22%。HBM用年度定价，2026年价格未变，HBM3E每GB约12-13美元，HBM4预计19美元。NAND走势比DDR坚挺，因单价低、性价高，需求外溢至NAND。手机需求下行（同比下修15%-20%），对存储行业构成风险，2027年将持续。车规级存储需求好、供给紧，ADAS驱动，增速迅猛（中国区年增70%-80%），未来或填补部分需求缺口。

研报提示了几个主要风险，首先是手机需求下行（同比下修15%-20%），对存储行业构成风险，2027年将持续。其次是扩产瓶颈，EUV光刻机是主要瓶颈，交货周期超两年半，洁净室建设也是瓶颈，美国建厂地皮和环保审批缓慢。DUV光刻机短缺，国内厂商仍依赖DUV，产品性能落后于EUV。此外，消费电子客户对价格上涨态度温和，因缺货问题需求强劲，可接受2026年Q3/Q4上涨，但2027年持续上涨可能影响资本开支。消费电子客户抵触严重，如2026年Q2部分手机厂商减产因三星报价过高。新型内存MRMEMM增长快但基数低，当前缺货下客户兴趣不大。服务器内存与消费级价差显著，但转换难，消费级产品（如SSD）筛选次品供给不足。这些因素都可能对市场带来不确定性。