
注:以下材料仅为公开资料整理,不涉及分析师的研究观点和投资建议,记录和翻译可能产生误差,仅供参考,如有异议,请联系删除。1Q24 要点总结:经营表现: DRAM:位元环比下滑 Teen,ASP 环比增长 20%;;NAND:位元环比持平,ASP 环比增长 30%;;财务表现: 收入结构——按产品划分:NAND 收入 4.35 万亿韩元(YoY+159%,QoQ+33%),占比 35%;DRAM 收入 7.58 万亿韩元(YoY+157%,QoQ+3%),占比 61%。公司预期 AI 展望:HBM3E/HBM4 1bnm 32GbDDR5 产品受高密度服务器 DRAM 需求推动NAND16ch eSSDQ1 表现强劲 SolidigmQLC 高密度 eSSD 产品受益于高性能 AI 用途,表现强劲 计划24 年推出 PCIe5 cSSD,以满足 AI PC 需求 CY24 终端市场位元需求: PC:经过下半年疲软后,企业需求预计将推动下半年复苏; windows 系统换代和 AI PC 有望驱动换机需求移动设备:除了部分配置 AI 功能的旗舰机型外,需求仍然疲软;下半年换及需求有助于带动 ASP 和内 容量提升服务器: 经历 17-18 年投资潮后,服务器将再迎来换代需求 高密度 eSSD 在 AI 服务器获得广泛采用。公司 CAPEX 预期:为了满足 HBM 需要,公司计划投资 M15X 工厂,因此 24 年全年 capex 将比原计划高 M15X预计 25 年年末开业总投资 20 万亿韩元,其中 5.3 亿韩元用于基础建设M15X 靠近 M15,M15 是 TSV 产线 公司 2Q24 预期:DRAM 位元(bit)环比增长 Mid teen HBM3E 出货量增加NAND 位元(bit)环比增长持平eSSD 出货量增加 受益于 AI 需求,行业逐步恢复利用率对于升级的投资是必要的考虑到 23 年基数较低,DRAM 和 NAND24 年的产量都会有所增长 因为 HBM 面积更大,Capex 将向 HBM 倾斜Q&AQ:高密度企业级 SSD 需求增长的驱动力是什么? A:AI 从训练转向推理,来自本地 AI 数据中心需求扩大,这导致高密度 NAND 需求增 长,因为 AI 需要处理非结构化的数据,这需要更复杂的工作负载,高密度 NAND 的功耗也更低,具有 TCO 优势。长期看,AI 会推动企业对高性能、低功耗存储解决方案的 需求除此外,客户还需要解决数据中心的空间限制,这也需要高密度 eSSD 产品,这种 eSSD产品需要 QLC 技术,公司计划借助 Solidigm 布局这个方向公司在高密度 eSSD 上有优势,正如公司在高密度 DRAM、HBM 上的优势一样。Q:下半年 HBM 短缺的可能性有多大? A:今年 AI 的需求仍然强劲,而且可能集中于下半年,供给侧方面,供应商正在逐步 使利用率 回升,并优先投入 HBM。 尽管如此,HBM 的晶圆容量比 DRAM 更大,它的尺寸是常规 DRAM 的两倍,今年的产能仍将有限。此外,如果下半年 PC、智能手机、通用服务器需求有所改善,需求超出预期,那么可 能会出现供 给短缺 Q:目前按应用划分,客户和公司的库存水位是多少?预计正常化时间是多少?A:(1)由于供应商大幅减产,库存一直在消耗,此外,由于公司聚焦 HBM 等 AI 存 储需求,通用及传统内存产品的供应在今年会受到闲置,客户会根据当前内存库存水平和下半年需求改善前景战略性管理库存。 (2)Q1 库存与上个季度相比变化不大,但需求回升(3)eSSD 的库存可能略有下降; (4)消费级方面,由于内存价格上涨以及旧内存库存去化,上半年库存降幅预计有 限,但进入下半 年,客户需求将有所改善,并推动行业库存正常化(5)公司 Q1 销量仍高于产量,所以公司 DRAM、NAND 的成品内存库存都是下降 的 ,鉴于今年扩产集中于先进技术,库存占比较大的传统产品将在下半年开始快速下降,甚至在年底进入短缺。 Q:M15X 的时间线和规模是多少?Yong-in 厂呢?美国厂是否可能与台积电亚利桑那项目合作?A:(1)公司需要额外的洁净室来满足 AI 对内存的需求,公司将投资 M15X 来维持份 额,M15X 可以利用 Jeong 的现有基础设施,因此可以在 2025 年年底完成建厂,此 外,M15X 的优势还在于接近 M15,可以利用 M15 扩大的 TSV 产能。(2)Yong-in 还在场地准备,2027 有望建设第一个工厂(3)美国厂预计 2028 H2 开始生产。(4)公司会根据需求预测调整投资期限、规模及量产速度、规模 Q:8 层、12 层的进展?公司在 HBM3E 是否能够维持优势? A:今年 HBM3E 的需求主要是 8 层,公司会在 Q3 完成 12 层的开发,并进行资 格认 证。公司会做好准备来确保明年的供应,HBM3E 由于更高的性能、密度和成本优于 HBM3,且由 于公司 EUV 的成熟度,量产工作也在按计划进行,目前的进展表明 HBM3E 可以在不久的将来达到 HBM3 同样的良率水平,这也有助于稳定成本。公司持续建立产能,并改善良率和质量,HBM3E 预计成为盈利能力更具竞争力的产 品。Q:2025 年 HBM 扩产计划?2025 年 HBM 供给会超过需求吗A:公司去年称 ,2024 年增加的 HBM 产能已经售罄,公司还在积极与 AI 客户交涉,以 扩大中长期的业务机会。公司看到 CSP 在 AI 服务器的投资有所增加,此外,AI 服务质量也有额外的要求,HB M 的需求可见度比半年前更高。对于 HBM 供过于求的担忧,实际上,随着数据和模型规模的增长、用户的增加、AI 服 务商的增加,需求也会增加。公司正在与更多的客户讨论 2025 及以后的产能,考虑到 设备交付时间,公司将及时投资、扩产,准备与客户共同成长。Q:如果下一代 HBM 标准放宽,对公司路线图有什么影响?混合键合预计什么时候落 地? A:(1)如果标准被放宽,那么混合键合可能会被推迟,现在还在混合键合的早期阶 段,在产能和 质量上都有技术问题需要解决,出于 HBM 供应可靠性和成本的考量,最 好还是等到技术更加成熟再进行。 (2)公司将继续将经过验证的 MR-MUF 技术应用于 16 层 HBM 产品,虽说如此,混合 键合确实证明其是高密度、高堆叠 HBM 的重要技术,公司会持续投入以保证领先地位(3)混合键合很复杂,需要控制键合层的平整度,键合强度以及颗粒控制也需要在纳 米级别完成,公司也在计量、检验上进行合作研究以确保稳定的质量控制。Q:Q1 库存减值的回收规模有多大?现在还有多少减值规模?NANDQ2 ASP 增长的可 能性是多少?A:Q1 的回收主要来自 NAND,回收约 9000 亿韩元,略高于上个季度,展望下季度, 随着存储 ASP 的继续上升,以及库存的消化,预计还会进一步回收减值额,但幅度会 缩小。Q1 在 eSSD 产品推动下,产品结构改善、ASP 提升幅度好于预期、库存减值回收,NAND 恢复盈利Q2 预计定价环境继续顺风,eSSD 需求保持强劲,即使不考虑库存减值回收的一次性因 素,NAND 也是能够实现盈利的,Solidigm 的性能正在快速提高,高密度eSSD 收入进 一步增长。 Q:公司预计如何恢复利用率? A:过去两年公司都在大幅削减投资和产能来应对经济低迷,现在行业正在恢复利用率 以满足新产品不断增长的需求。DRAM 和 NAND 对 AI 的供需动态有些不同,因此利用 率策略也有所不同 (1)DRAM 方面,公司正在努力扩大供应,虽然晶圆投入有所增加,但 HBM 的技术 复杂度和尺寸条件下,成品增幅仍然有限,随着下半年传统 DRAM 产品需求改善,预 计下半年利用率复苏会比预期快,但即使恢复 100%的利用率,随着技术复杂度提升,晶圆产能也会下降,因此年底前 DRAM 行业产能应该不会回到历史峰值(2)NAND 方面也有望受益于 AI,但目前没看到一般应用的需求改善,考虑到 NAND 不存在 HBM 的供给短缺,利用率恢复将较为审慎,重点会放在 eSSD 等需求明显改善 的产品上,逐步减轻利用率不足的负担。Q:大连晶圆厂如何推进到 144 层以上? A:大连厂的使用计划取决于 eSSD 的需求、地缘政治、晶圆厂空间等因素。 对于是否将 CTF 技术用于 Solidige SSD 的问题,自收购以来,公司就在持续推动双方的 技术结合,因此 CTF(Charge Trap Flash)和 floatinggate 都会推进Q:今年 Capex 的增量是多少?由于 ASP 提升好于预期,自由现金流将大幅增加,预 计借款额降幅多少? A:2024 年 Capex 比预期高,但增量主要集中在 HBM,通用产品的短期供需影响有限。 公司会重点关注市场份额、新机遇、以及投资于未来的增长,并平衡财务稳健度,进行产能投资规划。Q:为什么客户需要定制 HBM 方案?公司的战略是什么? A:这是由客户需求驱动的,即最大化 HBM 的性能,以提升 AI 系统表现,定制 HBM 的特点是 Base die 的差异化,base die 在 HBM 底部并控制 HBM,同时与 GPU/ASIC 进 行连接,公司计划通过调整 base die 以及封装技术实现HBM 的差异化,为此,公司与 台积电签署备忘录,将在 HBM4 展开合作,这有助于实现定制 HBM。