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SK海力士2026年第二季度业绩及发展规划纪要

2026-07-29 未知机构 程思齐Sophie
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发布时间:2026-07-29 一、核心业绩表现 1. 2026年Q2营收79.3万亿韩元,同比增257%、环比增51%创历史新高;运营利润60.5万亿韩元,同比增557%,运营利润率76%创历史新高2. AI相关产品(服务器DRAM、企业级SSD)推动DRAM、NAND价格显著上涨;HBM3E、AI服务器DRAM带动存储容量出货量增长 二、产能与产品布局 1. 产品进展:HBM4已量产、产能爬坡中,良率及质量接近HBM3E水平;HBM4E已送样,2027年量产;下一代IHBM研发中,封装内集成散热元件可降热阻超30%;DRAM已量产SoC产品,计划扩大321层NAND产能 2. 产能与投资:2026年资本支出达40万亿韩元;产能以韩国为核心,强化龙仁、器兴的DRAM及AI存储生产、清州的NAND及先进封装能力;中长期产能结合AI需求及效率,通过现有产能挖潜+必要新建推进,目前无海外新增未公开投资 三、市场展望与战略 1. AI驱动存储呈结构性增长:DRAM、NAND需求预计同比增20%、10%,供需紧平衡长期持续;AI存储从训练转向推理,NAND成核心组件,ESSD为主要支撑 3. 客户与合作:与核心客户签订多年战略合作协议(LTA,期限约5年)保障供应稳定;HBM供应及定价正与核心客户协商,兼顾技术价值与合理收益;将深化与下一代计算生态合作,拓展业务机会四、资本市场相关 1. 2026年7月10日在美国纳斯达克上市美国存托凭证(ADR),为迄今境外企业最大规模美国IPO;2026年7月31日起ADR可自由转公司股票,当前转换额度为1779万股,公司暂未确定是否提高ADR发行占比 2. 资本分配:聚焦AI增长投资、稳健财务、股东回报三者平衡;近期减持铠侠股份及ADR募资后现金储备大增,正在评估额外股东回报方案,年内将公布相关计划 五、风险与关注 1. 客户部分高附加值产品交付推迟曾影响DRAM平均销售单价,下半年HBM4量产、1纳米常规DRAM出货增加将改善2. 需持续关注AI基础设施投资调整对需求的影响,确保产能扩张与需求匹配避免过剩