中国"存”，存世界 长鑫科技深度报告

长鑫科技深度报告 华西计算机团队2026年7月19日 分析师：刘泽晶SAC NO：S1120520020002邮箱：liuzj1@hx168.com.cn 核心观点 长鑫科技：国产DRAM龙头企业 长鑫科技是国内领先的DRAM研发设计制造一体化企业，具备DRAM产品研发、设计、生产及销售能力，产品覆盖DDR、LPDDR等系列。公司持续推进DDR5及LPDDR5等高代际产品研发与量产，不断优化产品结构。受益于DRAM行业景气回升及产销规模扩大，公司营业收入快速增长，并于2025年实现扭亏为盈。随着DDR5等高代际产品持续放量、产品结构不断优化及规模效应逐步释放，未来业绩增长空间有望进一步打开。 AI算力驱动全球DRAM需求扩张，量价共振驱动存储进入上行周期 AI算力增长持续提升服务器对内存容量和带宽的需求，叠加现有产能受限导致的价格上涨，量价共振带动全球DRAM市场进入新一轮扩张周期。当前行业竞争格局高度集中，海外头部厂商占据主要市场份额，同时出口管制持续加码，国产DRAM自主替代需求进一步提升。随着技术迭代及产能建设持续推进，长鑫科技市场份额有望进一步提升。 国产替代与AI算力需求共振，长鑫科技依托技术、产能和客户优势加速成长。 长鑫科技正处于国产替代、AI算力扩张与存储周期上行三重共振阶段。国内DRAM自给率仍低，政策、国资和产业协同为扩产研发及客户导入提供支持；AI服务器需求增长，推动DDR5、服务器DRAM及HBM市场扩容。公司已形成DDR、LPDDR完整产品矩阵，并布局HBM，叠加IDM模式、跳代研发和产能优势，单位成本下降、盈利能力改善。随着头部客户绑定、产能爬坡和高端产品放量，公司有望实现份额、收入与利润同步提升。 投资建议：公司是国内DRAM研发设计制造一体化龙头企业。由于AI产业发展对于存储需求快速提升，作为AI基建的核心环节，长鑫科技作为国内实现存储自主可控的核心企业，受益于行业景气度提升和国产替代共振，有望实现快速发展。盈利预测如下：盈利预测如下：预计2026-2028年公司营业收入分别为2776.90 /3917.94 /5726.94亿元，归母净利润为1244.05/1821.17/ 2906.02亿元，考虑到长鑫科技是A股第一家存储行业IDM公司，给予2026年40XPE，目标市值5万亿。 风险提示：1）宏观经济下行风险；2）行业竞争加剧；3）技术开发与客户导入进度不及预期；4）需求不及预期。 目录01国产DRAM龙头，业绩逐步释放 02供需矛盾凸显，存储行业迎上行周期03乘AI之风，国产替代正当时04投资建议与风险提示 1.1公司概况：国产DRAM产业化突破与产品迭代 长鑫存储是中国领先的DRAM存储芯片企业，具备存储芯片研发、制造及销售一体化能力。公司成立于2016年，总部位于安徽合肥，专注于DRAM芯片研发及产业化布局，产品覆盖DDR、LPDDR等系列，应用于移动终端、个人电脑、服务器及物联网等领域。 公司持续推进DRAM核心技术突破，逐步实现国产存储芯片从研发到量产的跨越。公司围绕先进工艺和产品研发持续投入，基于19nm工艺推出自主研发DDR4产品，实现国产DRAM产业化突破，并进一步推进DDR5、LPDDR5等新一代产品研发及量产。 公司产品升级方向与下游高性能存储需求增长趋势匹配。DDR5相比DDR4具备更高的数据传输速率和带宽，主要面向PC、服务器等对存储性能要求更高的场景；LPDDR5则强调低功耗和高速传输，主要应用于智能手机、智能汽车等移动终端。随着DDR5、LPDDR5等新产品逐步完成客户验证并实现量产，公司产品应用领域有望由传统PC向服务器、汽车电子等高性能应用拓展。 公司业务发展历程 1.2公司股权结构：合肥国资为基石，多元资本助力发展 公司形成多元资本共同参与的股权结构，为长期发展提供资金与产业资源支持。长鑫科技股东涵盖地方国资、国家产业基金、产业资本及金融机构等多类投资者，其中合肥国资平台、国家集成电路产业投资基金二期等核心股东共同参与投资，同时引入阿里、小米、美的等产业资本及多家金融机构，形成市场化、多元化的股权体系。 公司不存在单一控股股东及实际控制人。公司董事会由11名成员组成，不存在任何一名股东能够决定董事会半数以上成员选任的情形，上市后前五大股东持股比例均不超过30%，多元化股东结构有利于形成权力制衡，并为公司融资及产业合作提供多方支持。多元股东背景强化产业协同能力，为公司技术研发和产能扩张提供支持。地方政府、产业基金和市场化资本共同参与，有助于公司持续获得 资金支持、产业资源和生态合作机会，推动国产DRAM产业持续发展。 1.3营收高速增长，盈利能力持续修复 公司营收规模快速增长，进入高速发展阶段。受益于DRAM行业周期回暖、AI算力需求提升以及国产替代进程加速，公司营业收入持续增长，2023-2025年分别实现营收90.87亿元、241.78亿元和617.99亿元，2026年上半年预计营收达到1100-1200亿元，同比增长612.5%—677.3%，已超过2025年全年水平。公司盈利能力显著改善，2025年实现扭亏为盈。随着存储行业景气度回升、产品结构优化以及规模效应，公司亏损幅度持续收窄，2026年上半年实现归母净利润500—570亿元，同比增长2244%—2544%，利润进入快速释放阶段。前期资本投入形成阶段性压力，长期有助于支撑产能扩张。IDM模式下，公司晶圆厂建设及设备投入规模较大，历史折旧成本对利润形成一定影响，但随着产能利用率提升和收入规模扩大，固定成本摊薄效应逐步显现，盈利能力有望持续提升。 1.4收入结构持续优化，产品增长驱动业绩提升 从产品收入结构来看，公司长期以LPDDR系列为主要收入来源。2023—2025年LPDDR收入占比较高，由于LPDDR系列产品主要应用于智能手机和平板电脑等移动设备领域，公司快速拓展相关下游客户且客户对公司产品认可度较高。2025年，随着DDR5产品快速放量，DDR系列收入占比由13%提升至32%。 从下游应用结构来看，公司DRAM产品主要应用于移动设备、服务器及个人电脑等领域。移动设备是公司产品的主要应用方向，收入占比较高，服务器的DRAM产品收入占比仍相对较低。2024年开始，受益于数据中心等基础设施建设需求持续增长，同时公司的DDR5新一代产品快速导入服务器客户，收入占比由2023年的4.60%提升至2025年的26.51%，但随着人工智能下游需求持续增长及服务器产品持续放量，相关领域收入及占比有望进一步提升。 1.5高研发投入构筑技术壁垒，固定资产投入影响短期盈利 持续加大研发投入，支撑公司技术迭代与产品竞争力。2023年至2025年，公司累计研发投入达206.05亿元，保持高强度研发投入，显著高于国内半导体行业平均水平，其中，公司2025年研发投入达95.93亿元，较中芯国际同期55.19亿元高约40.74亿元，公司在DRAM先进工艺研发和产品迭代方面保持较高投入强度，为DRAM先进制程与产品升级提供长期支撑。 资本开支持续增长，短期折旧承压，长期规模效应有望释放。2023—2025年，公司购建固定资产、无形资产及其他长期资产现金支分别为由436.58亿元、712.30亿元、497.39亿元，固定资产扩张带动折旧费用持续增加，2025年达到247亿元，对短期利润有一定压力；随着产线成熟、产能利用率提升及出货规模扩大，固定成本摊薄效应将逐步体现。同时，资本开支增长也将带动半导体设备、材料等上游产业链需求提升。 2.1DRAM：AI算力的核心存储基石 DRAM是AI计算系统中的核心存储芯片，承担高速数据缓存功能。在AI服务器中，GPU/NPU负责计算任务，而DRAM负责向处理器提供高速数据读写支持，通过高带宽、低延迟的数据传输提升计算效率，是AI基础设施的重要组成部分。 AI算力增长推动DRAM需求升级，高性能存储成为基础设施关键环节。随着大模型规模扩大及AI应用复杂度提升，AI计算对内存容量和带宽提出更高要求，对内存容量、带宽及数据传输效率提出更高要求。其中，HBM通过提供更高存储带宽满足AI计算的数据吞吐需求，DDR5通过提高容量与传输速率满足服务器性能需求，二者逐渐成为AI服务器的重要存储方案。 DRAM应用场景持续拓展，AI PC、智能汽车及边缘计算等新兴领域带来新增需求。除AI服务器外，DRAM广泛应用于个人电脑、智能手机、智能汽车、数据中心及工业物联网等场景，随着AI PC、智能汽车及边缘计算等新兴领域的发展，DRAM应用场景持续拓展。 2.2全球DRAM市场扩张，AI算力驱动需求增长 AI算力推动DRAM市场进入扩张周期，全球市场规模持续提升。根据TrendForce数据，全球DRAM市场规模预计由2025年的1,505亿美元增长至2030年的5,710亿美元，CAGR达30.6%，AI基础设施建设成为行业增长核心驱动力。 AI服务器需求快速增长，推动DRAM搭载量持续提升。大模型训练与推理对存储容量及带宽提出更高要求，AI服务器DRAM搭载量显著提升，预计全球服务器DRAM搭载量将由2025年的19,953MB增长至2030年的69,340MB，HBM及高性能DDR5成为关键需求来源。 AI需求增长叠加供给结构调整，共同推动DRAM市场扩容。一方面，AI服务器建设加速带动DRAM需求增长；另一方面，三星、SK海力士、美光等厂商将部分产能转向HBM等高价值产品，传统DRAM供给受限，推动产品价格上涨，量价共同驱动行业规模增长。 2.3竞争格局高度集中，国产替代加速 多轮行业竞争与市场整合后，全球DRAM市场形成高度集中的寡头格局，三星电子、SK海力士、美光科技三家厂商合计占据全球DRAM市场90%以上份额。DRAM行业早期参与厂商众多，曾包括三星、SK海力士、美光、尔必达、南亚科技等多家企业。随着DRAM行业长期经历周期波动及价格竞争，部分厂商因持续亏损退出市场或被并购整合，其中尔必达于2012年申请破产并被美光收购，行业竞争格局逐步向具备技术、资本和规模优势的头部厂商集中。 长鑫科技凭借技术突破和产能建设快速崛起，有望推动国产DRAM市场份额持续提升。公司持续推进DDR、LPDDR等产品迭代，已实现DDR5、LPDDR5/5X等新一代产品量产，并进入服务器、移动设备、个人电脑及智能汽车等应用领域。根据CFM闪存市场数据，2026年第一季度长鑫科技全球DRAM市场份额已提升至7.7%，随着产能扩张、技术升级及国产替代需求提升，公司市场份额有望进一步增长，逐步改变全球DRAM竞争格局。 2.4出口管制持续加码，国产DRAM自主替代提速 中国是全球主要DRAM消费市场，但核心产品长期依赖境外供应，自主供给能力仍显不足。根据长鑫科技招股意向书，2024年中国DRAM市场规模约250亿美元，占全球市场规模超过四分之一，但全球DRAM供给长期集中于三星电子、SK海力士和美光科技等海外厂商，一旦境外供应受限或出口管制升级，将直接影响下游产业链稳定，自主替代需求持续提升。美国持续扩大半导体出口管制范围，设备及技术获取约束不断增强。2022年美国对部分先进计算芯片及半导体制造设备实施出口限制；2025年取消外国企业在华晶圆厂的VEU免许可待遇；2026年美国国会提出MATCH Act，拟进一步收紧半导体制造设备出口管制。长鑫科技实现国产DRAM“从0到1”，产品代际持续升级。公司于2019年推出自主DDR4产品，随后推进DDR5、LPDDR5及LPDDR5X量产，逐步完善国产DRAM产品布局。外部限制持续加码，进一步凸显国产DRAM自主替代的迫切性。美国出口管制已逐步延伸至半导体制造设备、技术服务及许可政策，先进设备和工艺获取难度持续提升。在此背景下，长鑫科技持续推进技术研发和产能建设，加快完善国产DRAM产品体系。 美国半导体出口管制演