长鑫科技深度20260111

2026年01月12日16:57 关键词 DRAM长兴科技存储国产替代资本开支设备材料良率产能HBM EUV键合逻辑专利DUV长兴扩产三星海力士美光 全文摘要 申万宏源研究公司分析指出，存储市场展现出长期增长潜力，强调国产替代为产业带来的重要机遇，尤其是2025年至2026年被视为关键催化剂时期。讨论中，长兴科技作为案例，因其在DRAM及长信科技领域的前瞻性策略与高关注度而被提及。分析涵盖了技术升级、国产化率提升、资本开支对产能扩张的影响，以及对长兴科技等公司在存储市场未来地位的乐观预期。 长鑫科技深度-20260111_导读 2026年01月12日16:57 关键词 DRAM长兴科技存储国产替代资本开支设备材料良率产能HBM EUV键合逻辑专利DUV长兴扩产三星海力士美光 全文摘要 申万宏源研究公司分析指出，存储市场展现出长期增长潜力，强调国产替代为产业带来的重要机遇，尤其是2025年至2026年被视为关键催化剂时期。讨论中，长兴科技作为案例，因其在DRAM及长信科技领域的前瞻性策略与高关注度而被提及。分析涵盖了技术升级、国产化率提升、资本开支对产能扩张的影响，以及对长兴科技等公司在存储市场未来地位的乐观预期。同时，长城和长江存储等企业的动态也被纳入考量，凸显技术创新与国产替代对存储行业发展的驱动作用。整体而言，报告积极展望存储市场前景，强调国内企业在推动行业进步中的关键角色。 章节速览 00:00长兴科技DRAM专场：国产替代与产业催化剂 本次电话会议强调了存储领域，特别是DRAM及长兴科技的重要性，指出25至26年产业催化剂充分，长线看好存储主题与国产替代。会议内容仅供内部参考，严禁泄露，申万宏源研究将追究法律责任。会上，资深分析师深入讲解了DRAM及长兴科技的市场理解，强调了其在国产替代中的关键作用。 01:32存储原厂研究方法与市场趋势分析 会议介绍了存储原厂的研究方法，指出与逻辑代工厂相比，存储原厂的研究相对简单，因为其产品基于通用平台制造，迭代新平台时推进较为容易。会议还回顾了前两场关于存储产业链的讨论，并强调了研究闪迪、美光等存储原厂对于理解行业动态的重要性。 03:46 DDR内存工艺与性能解析 对话围绕DDR内存的工艺、性能及成本展开，提及三星最新一代DDR工艺接近10纳米，可生产DDR3至DDR5，性能差异主要由电压、成本与面积决定。工艺升级虽有提升，但DDR标准品更注重电压与成本优化。良率对存储芯片影响较小，即便低至40%仍可生产。 06:45长兴存储技术升级与产能扩展分析 对话深入探讨了长兴存储技术的发展路径，从最初的46纳米技术平台到2022年17.5纳米制成的第三代平台，再到预计2025年完成的15纳米级以下第五代平台。长兴通过收购专利技术，建立了自主研发体系，并在合肥和北京的工厂大规模扩产。2022年，长兴面临美国BS禁令，通过跳过第二代直接开发第三代平台，实现了技术升级。2025年，长兴计划在北京厂新增10000片/月的小产线，以应对美国设备限制，确保产能稳定。整个过程中，长兴的技术升级和产能扩展策略，展现了其在存储行业的竞争力和市场适应性。 10:47半导体设备国产化与存储平台升级 讨论了半导体设备在存储平台升级中的重要性，以及国产厂商如何通过参与新平台研发加速订单增长。强调了海 外二手设备市场的巨大价值，以及国产化率提升对本土厂商的利好影响。 12:20本土晶圆厂技术路径与设备需求分析 对话讨论了本土晶圆厂未来三年的资本开支和技术路径，指出设备订单可能超出市场预期，特别是迭代速度快的本土晶圆厂。技术路径方面，从16纳米到19纳米节点开始使用EUV光刻机，未来将转向3D架构以克服DUV限宽问题。3D架构通过堆叠晶圆提升工艺，但对精度要求极高。外协晶圆厂在22纳米或28纳米逻辑工艺上有较大拉动作用，长期来看，选择外协可节省资本开支。 15:42长青存储份额提升与行业竞争分析 对话讨论了长青存储在全球市场的份额增长，从4%提升至25年三季度的9%，预计未来可达30%以上，得益于国内厂商逆周期扩产和工艺提升。美系厂商考虑采购长青DDR5产品，表明本土厂商技术水平与海外巨头相当，存储元件更易融入海外供应链。围绕30%市占率目标，资本开支成为行业重点。 18:40朝鲜DRAM厂商产能扩张与资本开支分析 朝鲜DRAM厂商通过升级产线提升产能，计划至2026年达到65万片月产能，需投资3000亿以上。其资本开支主要用于技术革新和厂房升级，未来新厂建设将显著增加半导体设备和耗材需求。 22:55长城集团及其子公司上市与技术发展分析 长城集团及其子公司武汉新兴、豪茂威的业务发展和上市计划受到关注。2023年，长城进行了股改，武汉新兴专注于逻辑代工，豪茂威则在封装领域，计划申报IPO。2024年，武汉新兴恢复申报，预计2025年更新材料。长城在64层工艺上采用混合结合技术，未来可能与三星进行专利交叉授权，涉及DRAM专利。长城的技术优势和产能规划显示其在扩展上短期内无重大瓶颈。 25:37长城存储国产化进程与产能扩张分析 长城存储在2022年面临设备供应挑战，通过一年半时间实现4.0平台国产化，2024年底解决国产线问题，2025年产能显著提升至16万片/月，国产化率高达60-70%，并计划基于F3建设160和260层产品线，预期下半年材料报批，标志着A股半导体资源证券化的重要节点。 发言总结 发言人3 他对本次会议进行了总结，强调了对存储行业的深入研究方法。他首先回顾了过去几场针对存储领域讨论的情况，包括长兴公司发布招股说明书时的产业链推荐及后续对上游设备和材料的加推。随后，他将讨论重点转向存储原厂的研究，特别关注了A股缺乏类似标的背景下，IDM模式与设计制造分离公司的差异。 他详细介绍了存储原厂的研发重点，如电路设计、核心器件工艺整合和晶圆制造，以及如何利用公益平台进行高效管理。他指出存储技术迭代主要基于相同工艺平台，产品差异体现在性能参数上。 他详细分析了长兴公司的发展历程、技术平台升级及未来技术路线图，强调了国产化率提升对资本开支和产能扩增的影响，并强调了设备、材料配套产业的重要性。 他还对比了存储行业与逻辑代工行业的异同，指出存储技术的可研究性和发展路径的相对简单性。最后，他指出了存储市场投资机会和相关公司的发展潜力，特别提到了长城公司和长江存储集团的动态及其上市可能带来的市场影响。他强调了对这些公司和整个存储行业投资的关注，并表示将提供进一步的更新和分析。 发言人2 她，即申万电子的分析师杨海燕，在周日下午的存储第三场专场汇报中，首先对参与的投资人表示了感谢，并着重强调了对存储领域，尤其是国产替代板块的长期乐观态度。她指出，预计2025年至2026年间，产业将受到一系列强有力的催化剂的推动。汇报中，杨海燕特别提到了长兴科技，该公司的12月30日提交的招股说明书引起了广泛关注。她透露，专场的后续内容将由资深高级分析师袁航老师负责，详细讲解DRAM及长信科技，并强调了团队为此准备了详尽的PPT资料。 发言人1 他强调，会议交流内容仅限参会人员内部参考，不得泄露或外发，任何泄露行为均构成侵权，申万宏源研究有权依法追究法律责任。 要点回顾 在研究存储原厂时，与逻辑代工厂相比有何不同之处？ 发言人3：存储原厂的研究相对简单一些，因为它们的内部工艺平台较为通用且结构简单，主要涉及电路设计、核心器件工艺整合和晶圆制造几个核心研发方向。不像逻辑代工厂需要深挖制程和工艺平台细节，存储原厂的工艺平台一旦确定，产品迭代主要是基于这个通用平台进行优化和升级。 存储产品的变化主要体现在哪些方面？ 发言人3：存储产品如DDR1、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5等本质上没有太大变化，主要是参数如感染频率、时钟频率、核心频率和延迟等。每一代新的存储产品通过改变外围电路以符合新的标准来实现性能提升，而并非在工艺上有大幅度突破。 不同代际的存储产品在工艺和性能上有哪些差异？ 发言人3：不同代际的存储产品在工艺上可能使用相同或相似的线宽（例如从12纳米到10纳米），但在性能上会有电压、成本、面积等方面的差别，如DDR5相比前一代产品在功耗、尺寸、成本等方面有所优化。同时，即使是不同代际的存储芯片，只要良率达到一定水平，都可以进行生产，只是大规模量产阶段良率对成本的影响更为显著。 对于长春科技而言，其发展历程和工艺技术是如何演进的？ 发言人3：长春科技最早通过与齐梦达合作获得46纳米左右的初始工艺平台，并在2019年收购了美国rebus和加拿大y land的部分专利技术，建立了自主研发体系。从2021年开始，长春科技直接跳过了第二代工艺，开发了第三代平台，并在2022年面对美国BS禁令的压力下，开发出了17.5纳米制成的工艺，这也是其真正意义上大规模扩产的平台。 逻辑芯片的一个直观评估方式是什么？存储芯片领域的技术指标是什么？ 发言人3：逻辑芯片的一个直观评估方式是通过查看每平方毫米的晶体管密度，例如7纳米工艺通常在每平方毫米有约1亿个晶体管，而5纳米则在1.3亿左右。存储芯片领域的一个重要指标是魏源密度，即每平方毫米能容纳多少GB的数据。长兴的近似技术在三大原创统计产品中表现优秀，其最新的技术升级使得魏源密度达到了0.24GB每平方毫米。 对于正在开发的第五代制成技术有何预期？长兴在建新产线方面的规划有哪些可能的方向？ 发言人3：第五代制成技术预计将在15纳米级以下，这意味着在线宽微缩的过程中性能将得到增强。同时，这种技术进步有助于降低成本，提高生产效率。长兴可能的建线规划包括将合肥的近一、近三产线升级到近四代工艺，以及北京的近似产线升级为非美线近4B工艺。此外，预计2025年北京厂会申报一个环境评估新项目，旨在增产10万片每月，随后复制该产线以应对美国对17纳米以下比拉姆设备的出口限制。 存储芯片厂商如何通过设备投资进行扩产？ 发言人3：存储芯片厂商通常会在产线升级和维护性资本开支上投入大量资金，如韩国和美国的二手半导体设备厂商（如麦格里集团和赢球）会帮助随出厂找寻合适的设备。一旦跑通新平台并实现放量生产，后续的扩展只需按照相同的方案进行设备更换和升级。 国产设备厂商如何受益于存储芯片公司的技术升级？ 发言人3：国产设备厂商若参与存储芯片公司新平台的研发并在技术升级后导入生产，将能快速获得大量订单。尽管初期资本开支高，但国产化率较低，不过随着国产化率提升至40%以上，本土晶圆厂未来三年的潜在资本开支可能会超出市场预期。 长兴在技术路径上可能的选择有哪些？ 发言人3：长兴在14纳米以下的节点可能会转向采用3D架构，通过两片晶圆Stackeddie工艺来实现RAM的进一步发展，因为随着DUV技术的限制，继续提高性能需要创新的架构解决方案。 建合工序在未来长兴工艺放量中的角色是什么？ 发言人3：如果长兴开始采用更先进的3D架构，建合工序将成为增量最大的部分。分离的22纳米或28纳米逻辑工艺虽然相对简单，但其需求也会带动相关配套厂商的发展，尤其是对于找寻外协晶圆厂的长兴而言，这会为其带来一定的拉动效应。 长青在招股书中的数据是基于什么口径？实际在全球DRAM市场的份额应该是多少？ 发言人3：长青在招股书中披露的数据是按照市场份额占比来写的，根据transformer的口径计算，其实际份额会更高，尤其是在2025年第三季度，已经占到全球市场份额的九个点左右。 长青在这一轮周期中份额提升的原因是什么？存储行业为何能带来定价权，以及国内存储厂商扩产的影响是什么？ 发言人3：长青份额提升主要是由于竞争者较少，只有三星、美光、海力士以及国内的长兴等三大原厂和一些国内存储公司。在国内中游厂商逆周期扩产以及海外厂商扩产幅度较低（约30%）的情况下，国内存储公司按照翻倍的速度扩产，并且工艺提升，使得市场份额有望进一步增长。存储行业作为重资产行业，经过两轮左右的投产后，相关厂商将获得一定的定价权。国内存储