半导体设备行业点评：存储原厂Capex上调，看好半导体设备景气

美光宣布超2500亿美元投资计划，韩国政府联合三星、SK集团发布4755万亿韩元国内投资计划，全球存储原厂资本开支持续上修，看好半导体设备景气。

全球存储产能布局：2024年全球DRAM与NAND月产能约320万片，韩国、中国大陆、中国台湾分别占约45%、24%、16%，美国本土产能占比不足2%。
长鑫存储产能：到2028年月产能有望提升至50万片，全球DRAM市场份额由2025年的11%提升至约17%。
美光资本开支：FY2025约138亿美元，FY2026预计超过250亿美元，同比增长超80%。
三星资本开支：FY2026计划总投资（含研发）超过110万亿韩元（约733亿美元）。
SK海力士资本开支：FY2025约30.2万亿韩元（约256亿美元），FY2026预计仍将保持大幅增长。
HBM晶圆投入占比：三大原厂HBM晶圆投入占DRAM晶圆总投入的比重将由2025年约18%升至2026年约22%，2027年进一步升至约30%。

HBM需求激增：HBM对通用DRAM产能的持续挤占，有望成为本轮存储景气延续的重要支撑，并进一步推动存储厂商加快产能建设。
设备价值量分布：3DNAND层数扩展与HBM升级重塑设备价值量分布，沉积、刻蚀及量检测环节深度受益。
- 3DNAND：高深宽比刻蚀、介质薄膜沉积等工艺步骤持续增加，带动ALD、高深宽比刻蚀等设备需求增长。
- HBM：受益于TSV、混合键合等先进工艺导入，对薄膜沉积、深硅刻蚀、CMP及量检测设备提出更高要求。
- 良率管理：工艺复杂度提升带来的良率管理难度增加，推动量检测、缺陷检测及过程控制设备需求加速增长。