美光科技FY2026Q3业绩点评及业绩说明会纪要

证 券 研 究 报告 美光科技（MU）FY2026Q3业绩点评及业绩说明会纪要 会议时间：2026年6月25日 营收同比增长超三倍，预计存储供需紧张格局仍持续 会议地点：线上 ❖事项： 华创证券研究所 2026年6月25日，美光科技发布FY26Q3报告，并召开业绩说明会。❖评论： 证券分析师：岳阳邮箱：yueyang@hcyjs.com执业编号：S0360521120002 1.总体业绩情况：FY26Q3实现营收414.56亿美元（QoQ+74%，YoY+346%），高于指引区间上限（指引中值为335亿美元上下浮动7.5亿美元），创历史最大环比增幅，主要得益于人工智能驱动的内存需求增长、结构性供应限制。FY26Q3的Non-GAAP毛利率达到创纪录的84.9%（QoQ+10pct，YoY+45.9pct），超过指引（指引为约81%），主要得益于产品售价上行推动，同时也得益于运营端持续高效落地以及产品结构优化带来的利好。2.数据中心市场预期及进展情况：预计在人工智能和传统服务器的共同推动 证券分析师：吴鑫邮箱：wuxin@hcyjs.com执业编号：S0360523060001 下，服务器销量在2026年的增长率将在高双位数%区间。智能体人工智能正在从底层重构数据中心基础设施架构，机房部署不再仅配置AI加速机柜，还新增两类机柜：用于智能体控制平面调度与程序运算的CPU机柜，以及支撑规模快速扩容的内容存储机柜。预计2026自然年，行业数据中心DRAM、NAND位元出货量较两年前实现翻倍以上增长。公司1γ（1伽马）DRAM制程与G9 NAND闪存制程均处于顺利量产爬坡阶段，有望成为美光史上出货规模最大的两代制程节点。下一代DRAM与NAND制程研发进展顺利，按规划将于2027自然年下半年进入大规模量产。12层堆叠HBM4量产爬坡速度达到12层堆叠HBM3E的两倍，目前HBM4产品营收已突破10亿美元。公司预计12层堆叠HBM4达成成熟良率的节奏，将大幅快于前代12层堆叠HBM3E。3.战略客户协议：美光在行业内率先推出条款约束力极强的新型战略客户协 联系人：卢依雯邮箱：luyiwen@hcyjs.com 相关研究报告 《Marvell Technology（MRVL）FY27Q1业绩点评及业绩说明会纪要：数据中心需求强劲，公司预计FY29定制业务超百亿美元》2026-05-31《Analog Devices, Inc. (ADI) FY26Q2业绩点评及 业绩说明会纪要：数据中心需求强劲汽车持续复苏，收入及EPS均超指引上限》2026-05-25《NVIDIA（NVDA）FY2027Q1业绩点评及业绩说明会纪要：业绩增长强劲，AI需求叙事好转》2026-05-22 议（SCA）模式，公司现已面向数据中心、消费电子、汽车各大终端市场客户，落地完成16份战略客户协议。此类协议常规期限为五年，覆盖2026自然年至2030自然年年末。该类协议采用照付不议（take-or-pay）模式，客户具备法定约束力，需在多年合约期内采购约定体量的产品。头部大额协议针对现有产品，普遍以当前2026自然年第二季度市场价格设置价格上限，并在整个合约周期内约定价格下限。另有部分SCA营收占比相对偏小，采用固定定价模式或未设置价格区间，价格随行就市。当全部规划SCA签署完毕后，采用固定定价、或是以当前2026年二季度市价及相近价位作为价格上限的协议，对应营收占比预计达到公司总营收的40%。已签署的16份SCA中，有14份按照合约最低采购单价测算，剩余合约周期累计保底营收规模约1000亿美元。依据当前已签约SCA条款，公司预计可收取定金及相关履约资金合计220亿美元。4.行业供需情况预判：（1）需求：目前公司判断，DRAM与NAND闪存的 供需紧张格局将在2027自然年之后仍持续延续。（2）供给：2026年公司DRAM产能增速预计基本匹配行业整体产能增速，而NAND产能增速将略低于行业平均水平。从新建晶圆厂的产能释放节奏看，公司预计2027年中期在爱达荷州的dram新厂开始量产出货，收购的力芯半导体铜锣工厂将于27年年中开始贡献出货；28年nand新加坡新厂开始量产出货。5.FY26Q4业绩指引：预计FY26Q4营收为500亿美元（QoQ+20.6%， YoY+341.9%），上下浮动10亿美元，毛利率在86%左右（QoQ+1.1pct）。FY26Q4资本开支预计约100亿美元，对应FY2026全年资本总投入约270亿美元。FY2027单季资本开支水平预计高于第四财季；FY2027整体资本开支同比增量中，超一半来自厂房建设类投入，公司提前落地洁净室产能建设，匹配长期需求。❖风险提示： 技术研发不及预期，扩产不及预期，下游需求不及预期 目录 一、FY2026Q3业绩情况 ........................................................................................................3 （一）业绩总览...............................................................................................................3（二）供给情况...............................................................................................................3（三）现金流&资本支出................................................................................................4（四）库存.......................................................................................................................4（五）全年需求展望.......................................................................................................4 二、营收拆分...........................................................................................................................4 （一）按产品营收拆分...................................................................................................4（二）按业务部门营收拆分...........................................................................................5（三）按终端市场营收拆分...........................................................................................5 三、公司业绩指引...................................................................................................................8 四、Q&A环节.........................................................................................................................9 五、风险提示.........................................................................................................................12 一、FY2026Q3业绩情况 （一）业绩总览 营收：FY26Q3实现营收414.56亿美元（QoQ+74%，YoY+346%），高于指引区间上限（指引中值为335亿美元上下浮动7.5亿美元）创下公司连续第五个季度营收新高。本次环比营收增量约176亿美元，创下公司历史最高单季环比增幅，主要得益于人工智能驱动的内存需求增长、结构性供应限制。当前DRAM与NAND闪存行业需求持续大幅高于行业供给总量。受全赛道人工智能拉动需求叠加供给端结构性紧缺制约，公司预计供需紧张格局至少将延续至2027自然年之后。 毛 利 率 ：FY26Q3的Non-GAAP毛 利 率 达 到 创 纪 录 的84.9%（QoQ+10pct，YoY+45.9pct），超过指引（指引为约81%），主要得益于产品售价上行推动，同时也得益于运营端持续高效落地以及产品结构优化带来的利好。FY26Q3毛利率同比增幅超一倍，创下公司历史新高。 图表1美光FY26Q3总体业绩 （二）供给情况 ⚫公司当前全力提升旗下晶圆厂产出效率：协同设备供应商加快设备采购、进厂装机与产能爬坡节奏，通过设备替换、升级改造提升整体生产效率。近期公司已与ASML签署多年EUV光刻机供货协议，支撑公司在1δ（1德尔塔）制程及后续新一代节点大规模导入EUV工艺。 全球制造版图扩张工作稳步推进： ⚫美国本土：公司大手笔布局前沿DRAM制造产能，爱达荷州ID1、ID2两座晶圆厂建设工程有序推进，ID1工厂按计划将于2027自然年年中产出首批晶圆，ID2工 厂则预计在2028自然年年末投产；纽约州晶圆厂集群首座厂房已于今年1月正式破土动工。弗吉尼亚州马纳萨斯工厂近期启动1α（1阿尔法）DDR4工艺量产，可更好满足汽车、工业、医疗、航空航天及国防领域客户对成熟制程产品的需求。 ⚫中国台湾铜锣厂区：新近完成收购的现有占地30万平方英尺晶圆厂房预计2027自然年年中实现规模化出货，投产节奏较此前预期提前约四分之一。公司已在该厂区动工兴建规模相当的第二座洁净室，该厂房可适配EUV设备进驻。 ⚫其他：日本、新加坡其余厂区的建设进度与时间规划均按原定计划有序落地。新加坡厂区将在现有中国台湾先进封装能力的基础上，打造又一处先进封装卓越中心。预计自2027自然年上半年起，该基地将为公司HBM封装产能形成可观增量。 （三）现金流&资本支出 公司FY26Q3经营现金流为254亿美元，资本开支投入71亿美元，对应自由现金流达183亿美元，创下公司单季自由现金流历史新高。 （四）库存 公司FY26Q3末存货规模为86亿美元，存货周转天数为120天。其中DRAM库存处于极度紧张水平，存货周转天数不足120天。 （五）全年需求展望 2026年，公司DRAM产能增速预计基本匹配行业整体产能增速，而NAND产能增速将略低于行业平均水平。目前公司判断，DRAM与NAND闪存的供需紧张格局将在2027自然年之后仍持续延续。 DRAM方面，公司预计2026自然年行业DRAM位元出货量增速处于20%出头至25%左右区间，较此前预期小幅上调。 NAND方面，公司预计2026自然年行业NAND位元出货量同比增速约20%，与此前指引维持不变。 二、营收拆分 （一）按产品营收拆分 ⚫DRAM：FY26Q3的DRAM产品线实现营收313亿美元，占总营收的76%，营收环比增长67%，同比增长343%；位元出货量环比增长低个位