铜箔专题：AI驱动高端电子铜箔量价齐升，锂电供需反转盈利拐点已现

电新首席证券分析师：曾朵红执业证书编号：S0600516080001联系邮箱：zengdh@dwzq.com.cn 电动车首席证券分析师：阮巧燕执业证书编号：S0600517120002联系邮箱：ruanqy@dwzq.com.cn 联系电话：021-601997932026年6月10日 摘要 ◆AI铜箔：GPU平台迭代驱动铜箔代际跃升，且单台用量增加，海外产能紧缺，国产化加速。AI服务器从H100向GB200、Rubin升级，信号速率跃升，铜箔代际从RTF→HVLP1/2→HVLP3/4刚性迭代，PCB层数从20层升至40层+，单台高端铜箔用量从GB200的12kg增至GB300的30kg，Rubin系列若考虑使用LPU，用量或提升至100kg。我们测算2026年全球AI服务器高端铜箔需求2.4万吨，同比+260%，27年翻番至5万吨，30年需求达到11万吨+。当前，三井金属、卢森堡铜箔、中国台湾金居三家占全球高端有效供给80-90%，27年开始缺口扩大，国内德福、铜冠等厂商加速高端铜箔送样测试，26年有望开始批量出货，27-28年放量。同时，高端铜箔产能扩产核心瓶颈在于日本三船表面处理机，目前产能已被德福预定，订单排至28年，扩产有限，我们预计加工费有望持续上涨，当前HVLP3/4单吨利润达5-10万，载体铜箔盈利更高，厂商弹性大。 ◆锂电铜箔：储能爆发+海外放量+单车带电量上行三重驱动需求高增，但26-27年新增产能极少供给趋紧，加工费触底回升盈利逐季改善。我们预计2026年全球锂电需求35%左右增长，27年25%+增长，对应全球锂电铜箔需求分别为163/197万吨。供给端，锂电铜箔加工费下行周期持续4年，厂商扩产意愿低，26年全球锂电铜箔有效产能175万吨仅新增21万吨，27年198万吨新增23万吨，产能利用率26年为93%，27年提升至100%，供需格局持续收紧。盈利端，年初以来二线客户加工费已上调1500-2000元/吨，26Q1嘉元、中一、铜冠、德福、诺德全面扭亏，单吨利润达到2-3k元，考虑1万吨capex投资4-5亿，厂商目标合理单吨利润8k，仍在与下游持续议价，我们预计27年单吨利润有望提升至6-8k。 ◆产业链：海外高端铜箔龙头扩产保守，订单外溢至中国；国内电子箔厂商加速认证，锂电厂商稳基本盘拓电子箔。海外三井金属、古河电工、中国台湾金居垄断HVLP3+及载体铜箔，但扩产保守，27-28年高端铜箔供给缺口扩大，RTF及HVLP1-2订单率先外溢，HVLP3-4逐步突破。国内厂商有所分化，德福科技、铜冠铜箔侧重电子箔，德福RTF-3和HVLP1-3已批量供货，HVLP4及载体铜箔正在测试中，进展顺利，订单有望突破，26年底RTF及HVLP单月出货量有望达到2k吨；铜冠RTF及HVLP1-2代已大规模量产，RTF产销能力居内资首位，HVLP3-4已经通过部分客户测试，进度领先。嘉元科技、诺德股份、海亮股份、中一科技以锂电为主，并且加速高端电子箔验证，取得明显进展。 ◆投资建议：看好铜箔板块量利双升，建议增持铜箔板块，关注德福科技、嘉元科技、铜冠铜箔、中一科技、诺德股份、海亮股份、泰金新能、宝鼎科技等。极薄化+高端化为趋势，行业产能利用率回升至满产，加工费触底回升，板块26年盈利弹性显著。 ◆风险提示：价格竞争超市场预期、原材料价格不稳定；需求不及预期；技术迭代风险 PART1 AI服务器带动高端铜箔量利双升，国产化加速 PART2锂电铜箔供需格局反转，盈利逐季提升 PART3相关公司梳理：双重拉动，业绩反转持续提升可期 PART4投资建议与风险提示 PART1 AI服务器带动高端铜箔量利双升，国产化加速 铜箔是PCB的核心材料，随AI服务器升级 铜箔是AI算力硬件的"神经脉络"，贯穿服务器→PCB→CCL全产业链： ◆PCB：是AI服务器的物理骨架与信号高速公路。单机内含6-8块功能异构的PCB板，按价值量可分为三层：高速互联层（GPU加速卡、NVSwitch基板、网卡板，占单机PCB价值量70%+，层数24-32层，铜箔等级HVLP-3/4/5）、通用计算层（主板、背板，占20%，14-16层）、配电与辅助层（电源板等，占10%，8层以下）。随着GPU平台迭代，PCB的层数、面积、铜箔代际同步升级。 ◆CCL（覆铜板）：是PCB的基材，占PCB成本的50-60%，由树脂（环氧树脂）+玻璃纤维布+铜箔压制而成。树脂提供绝缘和粘合，玻纤布提供机械强度，铜箔提供导电通路。 ◆铜箔：是CCL的核心导电层，占CCL成本约30%，直接决定信号传输质量。铜箔表面粗糙度（Rz）越小，高频信号损耗越低。铜箔有光面和毛面之分，光面用于精细线路蚀刻，毛面用于与树脂结合增强附着力。 GPU升级驱动铜箔代际跃升：信号速率提升是核心驱动力 ◆GPU平台迭代是铜箔代际升级的核心驱动力。英伟达芯片信号速率从A100的56G NRZ跃升至Rubin的448GPAM4，速率每翻一倍，对铜箔表面粗糙度的要求就降低一个数量级——从RTF的Rz 2-5μm，到HVLP-3的<1.5μm，再到HVLP-4的<1.0μm，直至HVLP-5的<0.5μm（行业基本HVLP1-2为一个代际，3-4为一个代际，5尚未使用）。 ◆核心原理在于趋肤效应的物理约束。高速信号在铜箔中传输时，电流并非均匀分布，而是集中在表面极薄的纳米级深度内。铜箔表面越粗糙，信号在凹凸处散射越严重，插入损耗和误码率随之指数级上升。当信号速率达到112G PAM4（H100平台），RTF铜箔的损耗已无法满足PCIe6.0标准的信号完整性要求，HVLP铜箔成为刚性需求。同时，光模块向1.6T升级，带动载体铜箔需求。 载体铜箔：技术壁垒最高，AI光模块/先进封装核心材料 ◆载体铜箔（DTH）技术壁垒极高、盈利能力最强，是全球铜箔产业中技术难度最大、附加值最高的品类。其厚度仅1.5-3μm，采用"载体层+剥离层+超薄铜箔"三层结构，通过磁控溅射或电沉积制备。核心难点在于剥离层配方需精确控制剥离力，超薄铜箔均匀性要求纳米级精度，表面轮廓Rz≤1.5μm以便"闪蚀"工艺，行业良率约60%。 ◆载体铜箔是全球最赚钱的铜箔品类，单平价格10-15美元/㎡，毛利率50-80%，净利率40-50%。主要用于IC载板、mSAP工艺、CoWoP封装、存储芯片（HBM）及800G/1.6T光模块PCB。我们预计26年全球载体铜箔需求约5000-6000万平，其中AI相关领域需求1500万平左右（光模块1.6T按照2500万个*0.023㎡*14层约80万平+800G的50万平），由于AI相关领域27-28年有望维持翻番增长，总体载体铜箔可实现20-30%增长。全球主要由三井金属和卢森堡铜箔两家供应，截至2025年，三井月产能400万平+，占据全球95%份额。 AI服务器升级，带动铜箔显著升级及用量提升 ◆AI服务器算力升级驱动铜箔用量与铜箔代际双升。AI服务中高端铜箔主要用于OAM、UBB和主板三大区域，背板和网卡为副板，基本可使用RTF。GB200中OAM主要使用HVLP1-2，UBB和主板使用HVLP3-4，因此单台服务器高端铜箔使用量为12kg左右；而GB300均使用HVLP3-4，对应高端铜箔使用量为30kg左右（50张CCL，单张铜箔重量0.5-0.8kg）。Rubin系列，OAM和UBB层数增加，且新增CPX主板和MidPlane，高端铜箔用量增加至40kg，若LPU应用，则单台服务器高端铜箔用量有望提升至近100kg。 AI服务器升级，带动铜箔显著升级及用量提升 ◆全球AI服务器出货量高增且平台迭代，对应拉动高端铜箔需求：以英伟达为例，25年出货量以GB200为主，26年切换至GB300，预计出货量5.5万台，27年切换至Rubin，出货量预计8万台+，同时预计英伟达占全球60-70%的份额。因此我们测算2026年高端铜箔（HVLP3-4）的需求2.4万吨，27年预计需求5万吨，预计28年近7万吨。 电子铜箔传统需求稳健，高端铜箔贡献增量 ◆25年总体出货量及增速：全球电子铜箔出货量我们预计达62-63万吨，同比增长约6-8%。受益于AI服务器放量及高速通信设备升级，高端铜箔（HVLP/RTF）增速显著高于行业平均。 ◆25年的需求结构情况：标箔约45万吨，占比73%左右，主要应用于普通消费电子、汽车电子及一般工业领域，增速平稳；RTF+HVLP接近20万吨，占比27%，AI服务器及超高速交换机为核心增量，供不应求态势明显。 高端铜箔产能集中海外，中国厂商开始起量 ◆HVLP3+产能2.5-3万吨，高端产能集中海外。2026年全球高端铜箔（HVLP3+）名义产能2.9万吨/年，实际有效供给约1.8-2.0万吨/年。三井金属0.9万吨、卢森堡铜箔0.5万吨、中国台湾金居0.4万吨，三家合计1.8万吨，占全球高端产能62%，但实际供给我们预计占80-90%。 ◆高端产能扩产滞后，订单外溢趋势明确，国内厂商订单从中端逐步升级到高端。2027-2028年AI服务器向M8升级，HVLP4需求爆发，但海外厂商产能集中去做高端后，中端HVLP1-2订单将外溢到已通过认证的国内厂商。国内厂商HVLP3-4代加速高端铜箔认证，预计26H2铜冠、德福有望实现批量出货。 高端铜箔核心工艺难点在于表面处理 ◆HVLP3+高端铜箔生产分为溶铜造液、生箔制造、表面处理、分切包装四个环节。溶铜造液需控制杂质<1ppm；生箔制造阴极辊Ra<0.2μm，电流密度>60A/dm²；表面处理HVLP3/4分别要求Rz<2.0/1.5μm；分切包装厚度精度±3%，针孔<5个/m²。 ◆核心难点：一是杂质<1ppm，微量Fe、Cl导致针孔；二是阴极辊Ra<0.2μm，全球仅日本能做，交货>18个月；三是表面处理设备精度要求极高（如日本三船后处理设备），纳米级粗化尺寸过大高频损耗、过小结合力不足；四是HVLP3良率仅70%、HVLP4仅50%，国内厂商良率更低。 表面处理机产能有限，限制高端铜箔扩产 ◆高端铜箔扩产面临设备瓶颈，核心设备为表面处理机和生箔机，其中表面处理机难度更大。高端表面处理机全球产能高度集中于日本三船，年产能仅8-10台（单台产能3000吨，1万吨需3台，对应投资1亿+），交付周期24-30个月，订单已排至2028年（基本被德福锁定），是AI铜箔扩产的核心瓶颈。 ◆生箔机方面，阴极辊海外厂商精度领先但格局分散，日本新日铁、三船、TEX西工业等均可供应；国产厂商已实现4-6μm极薄铜箔阴极辊批量出货，交货周期缩短至3-6个月，有效缓解了阴极辊瓶颈，部分HVLP3+生箔机及高端表面处理机仍以进口为主。生箔机（含电解槽等）1万吨需20-30台，单台的价值量需600-700万，对应1万吨投资1亿，加上电源设备、基建等，高端铜箔1万吨capex需6亿左右。 高端铜箔认证周期长，下游客户集中度高 ◆高端铜箔认证壁垒高、周期长，国内厂商加速送样。铜箔厂商需从RTF起步，逐步升级至HVLP1-2、HVLP3-4代，每代6-12个月验证周期，全程1-3年系统级认证。英伟达、AMD、Intel及华为昇腾等国产算力厂商对铜箔代际要求严格，仅认证全球少数龙头。 ◆特殊CCL台系垄断，格局相对集中。2024年全球特殊CCL台光电子市场份额约22%（全球第一），其次为联茂、台耀，台系合计超45%；松下9%；国内生益科技开始突破。 高端铜箔供需缺口扩大，加工费或进一步上涨 ◆供给缺口扩大：26年HVLP3代以上名义产能3万吨左右，但部分产能尚未进入主流供应链，实际有效产能我们预计2-2.5万吨，基本可满足需求，头部三井、金居等产能供不应求；27-28年需求爆发，而行业年均增量产能4万吨左右（实际有效更低），因此我们预计27-28出现供给缺口，加工费具备上涨空间。 ◆高端电子铜箔加工费高盈利好，且具备进一步上涨空间：HVLP3加工费10-15