电子行业研究周报：华为发布韬定律，存储景气延续

——电子行业研究周报 投资摘要： 评级增持（维持） 每周一谈：华为发布韬定律存储景气延续 2026年06月03日 华为发布韬定律，将时间常数τ作为半导体性能优化的主要度量标准。根据芯智讯援引华为技术论文，华为提出摩尔定律的几何缩放带来的回报已趋于平缓，可以在堆栈的每一层（晶体管、电路、芯片、系统）定义一个特征时间常数τ，并将其缩减作为统一的优化目标和半导体演进的指导原则。τ=f(τ晶体管,τ电路,τ芯片,τ系统)，在每一层都有不同的机制可用于缩减τ：在晶体管层面通过迁移率增强、应变工程、高k金属栅极、GAA架构以及局部互连寄生R和C的减小来应对本征开关延迟，在电路层通过更低电阻率的导体、低k电介质，以及通过垂直集成缩短线长来应对信号路径上的RC传播延迟，在芯片层通过架构选择、流水线深度、内存层次结构和片上互连架构来应对计算和内存访问延迟，在系统层通过互连拓扑、协议栈和互连架构设计来应对端到端的消息传递和同步时间。LogicFolding将数字、模拟和存储电路分区到垂直堆叠的有源层中，关键路径上的门被分布到两个及更多垂直堆叠的有源层中，通过混合键合连接，逻辑折叠设计区别于传统2D、chiplet和3D堆叠。在麒麟2026上晶体管密度单代步进式地从155 MT/mm²提高到238 MT/mm²。区别于单个芯片的智能手机领域，AI系统集成多达几百颗芯片，其芯片τ缩放系统互连架构（统一总线）、近封装光学引擎（Hi-ONE）以及封装本身的拓扑重组（3D Folding）三个协同层实现。 王伟分析师SAC执业证书编号：S1660524100001 根据华尔街见闻，华为表示到2031年基于这一路线设计的高端芯片，晶体管密度将达到1.4纳米工艺的同等水平，公司后续在先进封装、混合键合、3D设计工具、存储与逻辑协同、系统互连等验证和扩张成为定律落地效果的关键信号。我们认为，华为韬定律在摩尔定律几何缩放回报趋缓情况下，将现有先进封装和混合键合、光互联等工艺与架构、材料等创新结合，为半导体性能提升提供了新的路线。华为的创新和实践或将利好国产晶圆代工厂、先进封装测试、键合等半导体设备、EDA和光通信等环节。 相关报告 存储景气延续，Q2一般性DRAM合约价预计环比增长58-63%，Q1全球前五大NAND Flash营收环比增长83.7%。根据TrendForce，2026Q1一般型DRAM合约价加速上涨、季度环比增长93-98%，带动行业营收环比增长81%至970亿美元。2026Q2预计整体Conventional DRAM出货位元增幅有限，价格表现预计乐观、Conventional DRAM合约价季度环比有望增长58-63%。 1、《电子行业研究周报：AI算力需求中CPU配比存在提升预期》2026-05-282、《电子行业研究周报：国产代工季报景气受益涨价效应和订单外溢》2026-05-223、《电子行业研究周报：成熟制程代工涨价预期提高财报兑现存储景气》2026-05-13 2026Q1 E-SSD需求呈几何倍数成长，此外，传统HDD持续出现结构性缺货，促使订单转向QLC E-SSD。NAND Flash原厂平均销售单价（ASP）普遍优于预期，带动Q1五大品牌商合计营收季度环比增长83.7%、突破389亿美元。Q2原厂普遍预期NAND Flash出货量将继续增长，议价机制也将持续支撑ASP表现。 投资策略：我们认为，国内存储厂商有望在先进存储产能扩充、国产替代机遇下持续受益。建议关注佰维存储、德明利、江波龙等存储模组公司，建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。 风险提示：贸易摩擦加剧，需求复苏不及预期，产能扩张不及预期，竞争加剧 1.市场回顾 上周（5.25-5.29）申万电子行业指数下跌0.35%，在申万31个行业中排名第7，跑输沪深300指数1.32%。本月至今（5.1-5.29）申万电子行业指数上涨17.88%，在申万31个行业中排名第2，跑赢沪深300指数16.12%。 年初至今（1.1-5.29）申万电子行业指数上涨45.84%，在申万31个行业中排名第2，跑赢沪深300指数40.18%。 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 上周（5.25-5.29）申万电子行业三级子行业中被动元件、集成电路封测、分立器件、印制电路板指数涨跌表现相对靠前，相对沪深300指数涨跌幅分别是13.78%、7.80%、6.70%、4.26%。 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 上周（5.25-5.29）万得半导体概念指数中第三代半导体指数、先进封装指数、半导体材料指数、中芯国际产业链指数、长江存储指数、半导体设备指数、光刻机指数涨跌幅分别为-1.00%、-1.65%、-3.27%、-4.26%、-5.43%、-6.60%、-7.50%。 图7：万得半导体概念指数上周涨跌幅 图8：万得半导体概念指数年初至今涨跌幅 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 截至2026年5月29日，费城半导体指数收于12829.38点、周上涨5.14%。台湾半导体指数收于1530.59点、周上涨5.99%。 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 2.行业数据跟踪 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，海关总署，申港证券研究所 资料来源：ifind，日本半导体制造装置协会，申港证券研究所 资料来源：ifind，世界半导体贸易统计组织，申港证券研究所 资料来源：ifind，日本半导体制造装置协会，申港证券研究所 资料来源：ifind，全球半导体观察（DRAMexchange），申港证券研究所 资料来源：ifind，全球半导体观察（DRAMexchange），申港证券研究所 3.每周一谈：华为发布韬定律存储景气延续 华为发布韬定律，将时间常数τ作为半导体性能优化的主要度量标准。根据芯智讯援引华为技术论文，华为提出摩尔定律的几何缩放带来的回报已趋于平缓，可以 在堆栈的每一层（晶体管、电路、芯片、系统）定义一个特征时间常数τ，并将其缩减作为统一的优化目标和半导体演进的指导原则。τ=f(τ晶体管,τ电路,τ芯片,τ系统)，在每一层都有不同的机制可用于缩减τ：在晶体管层面通过迁移率增强、应变工程、高k金属栅极、GAA架构以及局部互连寄生R和C的减小来应对本征开关延迟，在电路层通过更低电阻率的导体、低k电介质，以及通过垂直集成缩短线长来应对信号路径上的RC传播延迟，在芯片层通过架构选择、流水线深度、内存层次结构和片上互连架构来应对计算和内存访问延迟，在系统层通过互连拓扑、协议栈和互连架构设计来应对端到端的消息传递和同步时间。LogicFolding将数字、模拟和存储电路分区到垂直堆叠的有源层中，关键路径上的门被分布到两个及更多垂直堆叠的有源层中，通过混合键合连接，逻辑折叠设计区别于传统2D、chiplet和3D堆叠。在麒麟2026上晶体管密度单代步进式地从155 MT/mm²提高到238 MT/mm²。区别于单个芯片的智能手机领域，AI系统集成多达几百颗芯片，其芯片τ缩放系统互连架构（统一总线）、近封装光学引擎（Hi-ONE）以及封装本身的拓扑重组（3DFolding）三个协同层实现。 根据华尔街见闻，华为表示到2031年基于这一路线设计的高端芯片，晶体管密度将达到1.4纳米工艺的同等水平，公司后续在先进封装、混合键合、3D设计工具、存储与逻辑协同、系统互连等验证和扩张成为定律落地效果的关键信号。我们认为，华为韬定律在摩尔定律几何缩放回报趋缓情况下，将现有先进封装和混合键合、光互联等工艺与架构、材料等创新结合，为半导体性能提升提供了新的路线。华为的创新和实践或将利好国产晶圆代工厂、先进封装测试、键合等半导体设备、EDA和光通信等环节。 资料来源：财经杂志，华为半导体，申港证券研究所 存储景气延续，Q2一般性DRAM合约价预计环比增长58-63%，Q1全球前五大NANDFlash营收环比增长83.7%。根据TrendForce，2026Q1一般型DRAM合约价加速上涨、季度环比增长93-98%，带动行业营收环比增长81%至970亿美元。2026Q2预计整体Conventional DRAM出货位元增幅有限，价格表现预计乐观、Conventional DRAM合约价季度环比有望增长58-63%。 2026Q1E-SSD需求呈几何倍数成长，此外，传统HDD持续出现结构性缺货，促使订单转向QLC E-SSD。NAND Flash原厂平均销售单价（ASP）普遍优于预期，带动Q1五大品牌商合计营收季度环比增长83.7%、突破389亿美元。Q2原厂普遍预期NANDFlash出货量将继续增长，议价机制也将持续支撑ASP表现。 我们认为，国内存储厂商有望在先进存储产能扩充、国产替代机遇下持续受益。建议关注佰维存储、德明利、江波龙等存储模组公司，建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。 4.重要公告 格科微：5月26日发布关于高像素图像传感器产品出货情况的自愿性公告。今年以来，公司5,000万像素图像传感器出货量持续提升，推动公司高像素产品收入持续增长，在手机CIS业务营收占比进一步提升。截至公告发布日，公司5,000万像素图像传感器产品已累计实现出货超1亿颗，产品包含0.61微米、0.64微米、0.7微米、0.8微米、1.0微米等多个规格，被广泛应用于多个品牌客户机型的前后主摄。公司5,000万像素图像传感器产品出货量的持续提升，充分验证了公司Fab-Lite模式的高效性。后续公司将基于该技术平台加快2亿像素等规格产品的研发。 西安奕材：5月29日发布关于对外投资暨关联交易的公告。为进一步拓宽公司业务布局，强化客户、产品协同，公司拟参与珠海奕源Pre-A+轮融资。公司拟使用自有资金与其他市场化投资机构参与珠海奕源本轮融资，公司拟投资金额不高于4,000万元人民币，剩余部分金额由其他市场化投资机构认购。珠海奕源主营业务为电子专用材料及半导体关键部件的研发、生产与销售，主要产品包括半导体合成石英刻蚀环、掩模版石英基板、空白掩模版和碳化硅功率模组载板，致力于为半导体行业提供高纯度、高可靠性的上游关键材料及部件解决方案。 华海诚科：5月25日发布股东减持股份计划公告。占公司总股本的2.40%的股东天水华天科技股份有限公司，因自身资金需求，拟通过集中竞价交易和大宗交易方式减持其所持有的全部公司股份数量3,400,265股，其中，拟通过集中竞价交易方式减持其持有的公司股份数量不超过1,419,683股，占公司总股本的比例不超过1.00%，且在任意连续90个自然日内，减持的股份总数不超过公司股份总数的1.00%。 5.行业动态 英特尔拟打造全球首座玻璃基板量产基地 据媒体报道，英特尔正加速推进玻璃基板的商业化进程，计划改造其位于新墨西哥州的里奥兰乔（RioRancho）工厂，将其打造为全球首个玻璃基板量产基地。 今年1月，英特尔展出首款EMIB+玻璃芯基板整合样品，采用“10-2-10”堆叠结构，封装尺寸达78×77毫米，实现无微裂纹突破。根据最新进展，英特尔已在亚利桑那州钱德勒（Chandler）园区建立了玻璃基板试验线，但真正的规模化量产将落在 里奥兰乔。（来源：SEMI） 消息称三星电子构建全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型