超声设备平台型龙头，多点开花需求强劲

投资逻辑： 超声设备平台型龙头，高毛利配件业务占比提升。（1）公司为国内超声波焊接与检测设备核心龙头，产品全面覆盖新能源电池、半导体、线束连接器等多领域。根据公司公告，2026年一季度公司营业收入2.0亿元，同比增长34%，归母净利润0.5亿元，同比增长113%；2026Q1公司合同负债达1.1亿元，同比增长189%，订单强劲。（2）高毛利配件业务占比提升，耗材属性凸显。公司配件业务毛利率2025年达75.5%，收入占比提升至33.6%，常年保持30-50%高增速，推动公司利润持续增长。 IGBT需求放量，超声技术应用多个环节。（1）全球能源转型与AI算力扩张带动IGBT需求。根据英飞凌，其功率半导体AI数据中心2027财年收入有望变为2024财年的10倍。根据QYResearch，2031年全球IGBT市场规模将达到146.8亿美元，2025-2030年间年复合增长率为7.4%。时代电气资本开支持续扩张，公司功率半导体设备需求有望持续增长。（2）超声波技术在IGBT广泛应用于检测、清洗和焊接三大应用，贯穿IGBT生产、封测全流程。 存储芯片大扩产，超声检测国产替代正当时。（1）AI拉动存储芯片需求，根据Yole，2024-2030年HBM市场空间预计由174亿美元增至980亿美元，CAGR为33%。根据Yole和Counterpoint，2024年我国DRAM和NAND市场占全球比重分别为26%和33%，但全球存储产能被韩美日垄断。全球存储IDM资本开支恢复扩张，长鑫、长存纷纷启动上市计划，大规模扩产在即。（2）HBM迭代驱动超扫检测设备市场持续扩容，根据QYResearch，2030年全球超扫显微镜检测设备市场空间预计为3.6亿美元，25-30年复合增速12.3%。（3）公司自研2.5D/3D先进封装超扫并量产，有望突破存储与先进封装客户。根据2026年4月11日发布的定增预案，公司拟募资5.1亿投资半导体先进超声设备研发及产业化项目。 锂电资本开支提升，新技术拉动超声设备需求。（1）根据宁德时代港股招股书，动力电池和储能电池25-30年出货量CAGR预计达24%，带动锂电资本开支上行。（2）固态电池项目大增，根据新能源汽车制造链公众号，2026年一季度固态电池全国签约、投产项目超20个；复合集流体扩产也有望带动超声滚焊设备需求增长。 盈利预测、估值和评级 预计公司26-28年归母净利润为2.4/3.5/4.9亿元，对应PE分别为79/55/39倍。考虑到国产替代进展快，下游景气度高，给予26年100xPE，目标价210.58元，给予公司“买入”评级。 风险提示 下游锂电、半导体需求不及预期；竞争加剧；原材料价格波动。 内容目录 1、超声领域技术卡位，平台型企业多点开花........................................................4 1.1深耕超声二十年，平台化优势凸显.........................................................41.2产品下游多点开花，配件业务占比持续提升..................................................51.3耗材属性明显，配件业务高利润+高持续性...................................................52、功率半导体：IGBT需求放量，超声技术应用多个环节..............................................62.1超声波技术在IGBT各环节广泛应用........................................................62.2超声环节国产替代，下游需求加速扩产.....................................................73、存储芯片：国内开启大扩产，超声检测国产替代正当时.............................................83.1国内存储芯片启动大扩产..................................................................83.2超扫设备卡位优异，随着叠层提升需求持续扩容............................................113.3公司自研2.5D/3D先进封装超扫，定增扩产半导体设备.......................................134、锂电：资本开支持续提升，关注新技术带来的增量需求............................................135、盈利预测与投资建议.........................................................................155.1盈利预测...............................................................................155.2投资建议及估值.........................................................................16风险提示......................................................................................17 图表目录 图表1：公司近年来营业收入稳步增长.............................................................4图表2：公司2026Q1归母净利润大幅提升..........................................................4图表3：公司2026Q1合同负债同比增长187.8%.....................................................4图表4：公司收入增速略逊于可比公司.............................................................5图表5：公司毛利率处于同行业领先水平...........................................................5图表6：公司配件业务占比持续提升...............................................................5图表7：公司各板块毛利率不断上行...............................................................5图表8：公司配件业务营收持续增长...............................................................6图表9：公司配件业务毛利率高位提升.............................................................6图表10：功率半导体产品分类示意图..............................................................6图表11：IGBT基本结构特征.....................................................................7图表12：IGBT封测领域，超声波主要用于键合、焊接、C-SAM检测等环节..............................7图表13：能源应用扩张拉动功率半导体需求........................................................7图表14：24-27财年，英飞凌功率半导体AI数据中心收入有望变为10倍...............................8 图表15：全球IGBT市场规模预计持续增长（亿美元）...............................................8图表16：时代电气资本开支持续扩张..............................................................8图表17：存储芯片是全球第二大半导体市场........................................................9图表18：受数据中心拉动，存储需求预计持续增长..................................................9图表19：存储芯片主要产品为DRAM、NAND.........................................................9图表20：HBM和DRAM主导存储需求大增...........................................................9图表21：NAND层数提升........................................................................10图表22：NAND存储密度提升....................................................................10图表23：存储芯片价格暴涨（美元）.............................................................10图表24：DRAMCR3为91%，极度集中在韩、美.....................................................11图表25：NAND市场长江存储份额也仅11%.........................................................11图表26：存储资本开支重启，26年预计占全球IDM资本开支的77.7%.................................11图表27：超声波扫描原理示意图.................................................................12图表28：超声波扫描更适合检测分层结构.........................................................12图表29：HBM堆叠层数提升将带来超扫需求扩容...................................................13图表30：公司超声波技术平台...................................................................13图表31：全球动力电池出货量25-30年CAGR有望达24%.............................................14图表32：全球储能电池出货量25-30年CAGR有望达24%.............................................14图表33：2026年4月新建多个新建固态/半固态电池项目............................................14图表34：超声波滚