[中泰证券]：电子行业2026年度策略：沿主线，买缺口

一、AI仍是所有主线

2025年第三季度，AI旺盛需求带动电子板块显著上涨，电子（中信）指数累计上涨44.5%，跑赢沪深300指数26.6%。AI带动下PCB、消费电子、半导体等板块涨幅显著。
25Q3末主动权益基金电子行业仓位创历史新高，其中，半导体、消费电子、元器件（PCB+被动元件）仓位为12.77%、5.42%、4.28%，环比+2.38pct、+1.86pct、+1.25pct。
电子板块估值处于高位，截至12月5日，电子行业PE(TTM)为75x，高于2020/01以来75%分位数（73x），其中半导体PE(TTM)为132x，超过75%分位数（124x），消费电子PE(TTM)为43x，略低于中值（43x）。

二、AI基建缺口扩大

受AI强劲需求拉动，海外半导体9月以来强势上涨。费城半导体指数：25年9月初至12月5日累计上涨28.7%，跑赢标普500指数22.3%；25年初至12月5日累计上涨46.5%，跑赢标普500指数29.7%。
年初以来，数字&存储&设备&制造板块核心个股涨幅亮眼：数字（英特尔+102%、英伟达+37% 、高通+16% ）；存储（海力士+213% 、美光科技+170% 、三星+103%）；设备（LAM+119% 、 KLA+93% 、应用材料+67% 、AMSL+62% ）；制造（台积电+38%、联电+21% ）。
25Q1-3电子整体营收同比增长19%，净利润同比增长35%，毛利率同比持平，净利率同比+1pct。分板块看，各一级板块均实现营收与净利润同比增长，面板扭亏为盈；盈利能力方面，PCB、面板、半导体板块净利率同比+3pct、+2pct、+1.2pct，消费电子、被动元件、LED净利率同比持平。
25Q3全球智能手机销量同比继续增长，26年预计维持弱复苏，重点关注端侧AI落地进展和存储涨价影响。全球智能手机销量自21Q3开始经历连续9个季度同比下滑，从23Q4开始销量同比转正，之后保持复苏增长趋势。2024年全球/中国智能机销量达12.4/2.9亿部，同比+6.1%/+5.6%；25Q3全球智能机销量达3.2亿部，同比+2.6%，中国智能机销量约6840万部，同比基本持平。9月中下旬开始各品牌旗舰新品集中上市，25Q4销量有望环比向上。
25Q3全球PC销量同比+10.3%，预计2025年全球PC销量同比增长5.6%。据IDC统计，2024年全球PC销量达到2.63亿台，同比+1.0%；25Q1-Q3继续保持增长趋势，25Q3全球PC销量7590万台，同比+10.3%，25Q1-3全球PC销量约2.1亿部，yoy+7.0%。
全球&中国汽车市场弱复苏：2018-2020年全球汽车销量逐年下滑，2021年得益于电动智能化销量回升，2022年受疫情和供应链冲击销量下滑，此后维持增长趋势。2024年全球/中国汽车销量9060/3143万台；2025年预计全球/中国汽车销量9223/3400万台，yoy+1.8%/8.2%；预计2026年全球/中国汽车销量弱复苏，Yoy+2.1%/3.0%。
新能源渗透率持续提升：2025年全球/中国新能源汽车渗透率达18%/41%，预计2025年渗透率增长至20%/47%，汽车电动化趋势确定。智能化率持续向上：2024年中国市场ADAS渗透率达54.9%，奇瑞、比亚迪、吉利等车企移动中低端车型智驾平权有望带动渗透率持续向上，预计2025年渗透率达59.5%，其中L2以上渗透率达51.9%。

三、端侧AI奇点已近

2025年服务器存储市场（DRAM+NAND+HDD）近700亿美金，预计25年达到1100亿美金规模。服务器是近几年存储需求的最强驱动力，26年有望成为DRAM、NAND最大下游需求。
2026年服务器相关存储需求增速至少30%。25Q3大型CSP厂商对26年Capex进行规划、制定关键器件的采购计划，开始与存储原厂谈26年长期供货协议（LTA），26年CSP存储需求超过供给，存储现货价开始飙升，25Q4存储合约价价格涨幅开始超预期。
AI推理驱动存储需求指数级爆发。KV Cache多层缓存成为推理系统“标配” ，带来存储需求全面爆发。对话范式升级：从模型自答到思维链展开、与外部工具/Agent 联动，Token消耗量明显提升。媒介升级：从文本到多模态，存储需求进一步提升。
HBM需求继续保持强劲。美光将2025年HBM全球市场规模预期从250亿美元提高至300亿美元以上，并预计2028年HBM总目标市场规模将从2024年的160亿美元增长四倍，到2030年将超1000亿美元。
26年DRAM、NAND新增产能有限，新增产能向HBM倾斜，制程升级带来位元数量增长。预计26年NAND、DRAM全年涨幅预计在50%+、40%+；预计26年NAND、DRAM涨价幅度逐季回落，节奏为Q1强劲、Q2回落、Q3个位数增长、Q4略小幅增长。
DRAM工艺节点正从1a系列加速向1b、1c迭代，预计26年1b节点仍是主力,1c节点率先用于高端产品。预计2026年DRAM供给将进一步紧张。
NAND方面，头部厂商正加速迈入300+层时代。预计至2026年DRAM、NAND供给会持续紧缺，同时客户开始谈26、27年的供应。
AI驱动，三星、海力士和美光三大原厂展望服务器需求旺盛，消费电子需求稳定，DRAM新增产能有限，NAND扩产保守、主要通过制程升级增加供给。
长鑫存储打破海外垄断，引领大陆 DRAM 发展。长江存储在3XXL 节点上仍存在技术差距，但随着架构迭代与产线扩张推进，未来在先进 NAND 领域具备持续追赶空间。
本土存储厂商积极扩产，规模庞大且对国产设备验证、导入均较为积极，有望在未来数年奠定国产设备厂商订单增长的坚实基础。