公司业绩情况
- 营收：2025年Q3实现营收53.24亿美元，同比增长27.74%，环比增长2.95%，创历史新高，高于业绩指引中值（52±3亿美元）和市场一致预期（52.32亿美元）。
- 毛利率：Non-GAAP毛利率为50.6%，同比增长2.4个百分点，环比提升0.3个百分点，接近前期业绩指引上沿（50±1%）。
- 递延收入：季度末递延收入为27.7亿美元，较上季度略有上升。
- 资本开支：CY25Q3资本支出1.85亿美元，主要用于美国实验室投资及亚洲制造基地扩建。
- 人员变动：截至CY25Q3末，公司拥有约1.94万名全职员工，较上季度增加约400人，新增人员集中在研发与现场支持团队。
公司营收结构
- 设备部门：
- 存储业务：占系统收入的34%，低于上季度的41%，主要受客户投资计划节奏影响。其中DRAM占系统收入的16%，较上季度提升；NVM占系统收入的18%，低于上季度，整体符合公司年初预期。
- 代工业务：占系统收入的60%，高于上季度，实现连续第三个季度创纪录增长，主要来自先进制程投资和中国大陆成熟节点支出。
- 逻辑和其他部门：占系统收入的6%，与上季度基本持平。
- 客户支持业务（CSBG）：收入约18亿美元，环比与同比均小幅增长，备件与服务合计收入创新高。
按地区拆分业绩
- 中国大陆市场：占总收入的43%，高于上季度，外资客户保持稳定，本土客户继续增长。
- 台湾地区：占比19%，环比持平。
- 韩国：占比15%，较上季度下滑，主要受客户投资计划时间点影响。
业绩指引
- 预计2025年Q4收入为52±3亿美元左右，non-GAAP毛利率为48.5%±1%。
- 判断2026年下半年增长节奏优于上半年，预计2026年中国大陆收入占比降至30%以下。
公司对行业需求的判断
- 中国大陆市场：短期受限，全球需求支撑成长。受美国“50%关联方规则”影响，预计下季度对华出货减少约2亿美元，2026年全年影响约6亿美元。
- AI基建：加速推动全产业链扩产，每新增1000亿美元数据中心资本开支，将带动约80亿美元半导体设备投资。AI将带来数十亿美元级可服务市场扩容，巩固公司在刻蚀与沉积环节的领先地位。
- NAND升级：进入加速阶段，未来数年NAND升级投资规模约400亿美元。
风险提示
- 贸易政策变化带来的不确定性，下游需求复苏不及预期，技术研发不及预期。
公司技术进展
- ALD技术：在NAND龙头客户赢得高深宽比介质沉积关键应用，Halo Moly ALD工具被领先客户连续三代节点采用。
- 逻辑与DRAM技术：Aether干式EUV抗蚀剂技术已用于大型存储厂HBM量产线，Aether+High-NA EUV成为关键组合。
- 低介电常数薄膜解决方案：单片式ALD low-K工艺突破传统炉管法局限，助力逻辑与DRAM降低寄生电容。
- 先进封装布局：SABRE3D电镀与Syndion刻蚀设备需求旺盛，面向面板级封装（PLP）趋势推出新系列工具。
问答部分
- AI基础设施投资：短期内尚未形成实际设备采购，但提供未来需求趋势指引，公司产品布局的核心领域受益。
- 设备出货表现：短期超额表现受交期差异和晶圆厂建设节奏影响，长期来看公司具备持续跑赢WFE的高确定性。
- 业绩指引上调：主要受WFE整体强于预期带动，尤其是HBM与DRAM投资超出预期。
- 2026年中国大陆WFE下降：受美国“50%关联方规则”影响，预计2026年中国大陆收入占比降至30%以下。
- 80亿美元WFE投入：主要覆盖AI应用相关的领先制程逻辑、DRAM及NAND等环节，公司在相关环节的市场可服务份额占WFE比例持续提升。
- NAND升级周期：当前需求信号略强于年初判断，预计2025–2026年仍以升级项目为主，之后是否转向扩产取决于NAND厂商的后续规划。
- 背面供电技术：行业对背面供电创新方案的需求愈发明确，公司正积极布局相关技术和客户合作。
- AI相关WFE投资：设备厂与客户均在积极确保供应链产能匹配，公司持续与上游合作伙伴协调产能规划。
- 2026年增长动能：将由存储和逻辑/代工共同驱动，DRAM、NAND投资持续复苏，HBM渗透率提升带动设备需求，同时先进逻辑制程客户亦加大投入。
- 税收激励与补贴：对WFE的地理分布可能有轻微影响，但核心驱动仍是终端需求。
- 80亿美元WFE投入占比：超过一半的支出来自存储领域，主要集中在企业级SSD与HBM投资。
- NAND升级与扩产：将并行进行，具体节奏因客户而异，大多数客户会优先选择升级路径，之后才会大规模启动新产能建设。
