DRAM技术转变带来的光刻挑战

核心观点

• DRAM 技术迁移: DRAM 行业正从平面架构迁移到 3D 架构，首先是将晶体管迁移到 3D/垂直结构，然后是完整的 3D DRAM 堆叠。
• EUV 强度下降: 4F2 架构将通过减少单元面积来提高比特密度，从而减少对 EUV 光刻的需求和成本。预计 4F2 将在 2028 年左右进入早期生产，导致 DRAM EUV 出货量停滞。
• 3D DRAM 潜力: 3D DRAM 将进一步降低对 EUV 的依赖，甚至可能完全消除对 EUV 的需求，因为密度提升将通过增加层数来实现，而不是缩小特征尺寸。
• 对 ASML 的影响: 尽管 ASML 近期发展态势积极，但长期来看，DRAM 的 3D 迁移、逻辑 EUV 强度以及中国风险使其前景不明朗。
• 其他设备制造商: 4F2/3D DRAM 的迁移将使 DISCO 和 TEL 从晶圆对晶圆堆叠技术中受益，ASM 国际的蚀刻和沉积业务也将因 4F2 和 3D DRAM 的需求增长而受益。

关键数据

• DRAM EUV 出货量: 预计到 2028 年，DRAM EUV 出货量将从 2025 年的约 15 台增长到近 30 台，但在十年末趋于平稳。
• DRAM 特征尺寸: 预计 4F2 将将 DRAM 特征尺寸从 9 纳米增加到 11 纳米，而 3D DRAM 将将特征尺寸放宽到 20-25 纳米。
• EUV 曝光次数: 预计三星和 SK 海力士的 EUV 曝光次数将从 7-8 次减少到约 6 次，而美光的 EUV 曝光次数将继续增加。
• EUV 强度: 预计 DRAM 中的 EUV 强度将在 2027/28 年达到峰值，之后随着向 4F2 的过渡将开始下降，并稳定在略高于 20% 的水平。

研究结论

• DRAM 技术迁移将对 ASML 的 EUV 业务产生长期影响，导致 EUV 强度下降和出货量停滞。
• 4F2 和 3D DRAM 的迁移将为 DISCO、TEL 和 ASM 国际等设备制造商带来新的增长机会。
• 中国的 EUV 进口限制将激励其发展 3D DRAM 技术，这将对 ASML 构成长期威胁。