核心观点与关键数据
性能指标与设备自制
- 性能指标:晶圆厚度750um,表面粗糙度达0.1纳米级别,表面颗粒达0.3um,TGV小于等于3um。
- 设备自制:全线设备自主研发100%国产化,包括高精密减薄机、倒角机、双面精密研磨机等核心设备,性能指标达到行业领先水平。
产能规划与扩张
- 合计规划产能:超百万片,目标成为SiC衬底全球龙头。
- 具体项目:
- 2025年7月,下属公司宁夏创盛年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目开工。
- 2025年7月,子公司浙江晶瑞马来西亚工厂奠基,一期项目8英寸碳化硅衬底预计实现24万片/年产能。
- 2023年11月,公司年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目签约暨启动仪式。
重大进展
- 2023年9月26日,公司首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线,标志着从并跑向领跑的迈进。
风险提示