一、FY2025Q3业绩情况
- 总体业绩：营收93.01亿美元（环比+15.5%，同比+36.6%），超指引；Non-gaap毛利率39.0%（环比+1.1pct，同比+10.9pct），超指引。
- 营收构成：DRAM 71亿美元（76%），环比+15%，同比+51%；NAND 22亿美元（23%），环比+16%，同比+4%。
- 业务部门：计算和网络产品部（CNBU）51亿美元（环比+11%），存储产品部（SBU）15亿美元（环比+4%），移动产品部（MBU）16亿美元（环比+45%），嵌入式产品部（EBU）12亿美元（环比+20%）。
- 终端市场：数据中心收入创纪录，PC市场低个位数增长，手机市场低个位数增长，汽车和工业市场增长复苏。
二、DDR4/LPDDR4停产问题
- 停产通知已发出，最终发货时间两到三个季度后；汽车、工业等领域客户未来数年仍将获供应。
- 短期内D4产品短缺加剧，LP4产品短缺也可能加剧；D4收入占比预计为个位数低段。
三、全年需求展望
- 客户库存健康，需求环境良好；预计2025年DRAM/NAND需求增长率分别为10%/两位数，美光供应增速低于需求增速。
- NAND晶圆产能预计下降10%，但整体位输出提升。
四、营收拆分
- 按产品：DRAM 71亿美元，NAND 22亿美元。
- 按业务部门：CNBU 51亿美元，SBU 15亿美元，MBU 16亿美元，EBU 12亿美元。
- 按终端市场：
- 数据中心：收入连续四季度新高，HBM强劲增长，高容量DIMM和低功耗服务器DRAM再创纪录，SSD市场份额创新高。
- PC市场：预计低个位数增长，SSD市场份额创新高。
- 手机市场：预计低个位数增长，开始出货1-gamma节点LP5X内存样品，赢得关键客户UFS4订单。
- 汽车&工业：ADAS和AI车载系统推动增长，工业增长复苏，D4/LP4供应受限推动价格改善。
五、公司业绩指引
- FY25Q4营收：107亿美元（环比+15%，同比+38.1%），主要来自DRAM。
- FY25Q4 Non-gaap毛利率：42%左右（环比+3pct）。
- 运营支出：约12亿美元，主要来自研发投入。
- 资本支出：约140亿美元，主要用于HBM、设施、研发等。
- 出货量：FY25Q4预计再次增长，DRAM库存紧张，NAND库存减少。
六、Q&A环节
- HBM：需求显著增长，预计2025年收入达350亿美元，2026年份额与DRAM持平；HBM3E 12寸良率提升顺利，HBM4样品已交付，2026年量产。
- 毛利率：环比增长主要来自定价执行和产品组合优化；第四财季后几个财季毛利率预期延续良好趋势。
- NAND利用率：预计2025年末总产能下降10%，部分产能未充分利用，但前沿产能已充分利用。
- HBM供应：2025年已售罄，2026年需求显著超预期供应能力，公司正推进HBM4样品测试和产能提升。
- 资本支出：维持约140亿美元目标，未来扩展新领域产能，预计第四财季产生自由现金流。
- HBM4产能转换率：预计大于3，GPU和ASIC客户利润率无显著差异。
- 客户库存：总体健康，关税影响相对较小，需求环境积极。
- HBM4认证：样品已交付，公司对性能和规格满意，预计2026年前满足客户需求。
七、风险提示
技术研发不及预期，扩产不及预期，下游需求不及预期。
