广发海外电子通信存储行业强劲AI需求将扭转周期

☄存储行业：强劲AI需求将扭转周期 ☀首次覆盖给予美光和SK海力士“买入”评级。 ☀DRAM周期好于预期：自4Q23到3Q24的强劲反弹之后，由于库存水平升高，渠道和OEM不再大幅减少DRAM采购，DRAM周期开始呈下降趋势。 然而，我们认为至2月初，库存已大幅下降至正常水平。 受中国强劲需求和关税 广发海外电子通信 ☄存储行业：强劲AI需求将扭转周期 ☀首次覆盖给予美光和SK海力士“买入”评级。 ☀DRAM周期好于预期：自4Q23到3Q24的强劲反弹之后，由于库存水平升高，渠道和OEM不再大幅减少DRAM采购，DRAM周期开始呈下降趋势。 然而，我们认为至2月初，库存已大幅下降至正常水平。 受中国强劲需求和关税担忧导致的紧急订单推动，各渠道和品牌的智能手机及PC的DRAM库存已恢复至约7.5周。 虽然预计DRAM合约价格在2Q25仍将温和下跌，但我们预计DRAM blended ASP在3Q/4Q25将上涨2%/7%，得益于智能手机、AI PC的DRAM content持续增长、AI数据中心需求强劲、以及中国CSP带来的增量需求。 与此同时，尽管投资者担心中国制造商可能出现导致DRAM供应过剩，但我们预计本土厂商的生产仍将主要集中在DDR4和LPDDR4上，对DDR5市场的影响有限。 ☀NAND将在2H25反弹：为应对3Q24的价格大幅下跌和盈利下滑，主要的NAND供应商已宣布减产。 我们预计产量控制将大大改善供需，而价格跌幅将从1Q25的15%环比下降至2Q25的-3%。 展望未来，随着智能手机领域的库存下降和人工智能需求的增加，我们预计企业级SSD将再次呈现强劲反弹，3Q/4Q25价格上涨13~18%/10~15%，而eMMC和client SSD将环比上涨5~10%。 ☀25年HBM需求强劲、供应紧张：在台积电积极扩大CoWoS产能和强劲的人工智能需求的推动下，我们预测HBM的需求量将达到180亿Gb，HBM市场规模将在2025年增长至290亿美元。 尽管三家HBM供应商都在积极提高HBM产能，预计到2025年底TSV产能将达到315KPM，但由于三星的仍然没有通过HBM3e验证且HBM3e-12Hi良率仍需提升，我们预计HBM3e不会出现供过于求的情况。 ☀存算一体将成为ASIC的替代解决方案：算存一体旨在改善传统冯·诺依曼架构的内存和功率墙。 在数据中心应用中，我们认为OpenAI的ASIC将成为批量近存计算ASIC。 多层SRAM将在计算芯片顶部使用SoIC封装，多个芯片将使用CowoS-L封装。 而ASIC市场继续快速拓展，我们预计近存处理将越来越受到青睐，以优化推理。 ☀智能手机最早将于26年采用存算一体：Android OEM计划从2026年开始在旗舰智能手机中集成更多NPU。 兆易创新、华邦电子和南亚科技将供应特种DRAM并管理整个3D封装过程。