电子行业周观点：台积电上调AI指引，算力链国产化亟待推进

台积电24Q4业绩发布：持续看好AI强劲需求的推动，2025年资本开支提升至380-420美元美元，未来五年AI收入CAGR将达45%。台积电24Q4营收268.8亿美元，处于24Q4指引上沿（261-269亿美元），同比+37%，环比+14%，主要系 5nm 、 3nm 推动；毛利率59%，处于24Q4指引上沿（57%-59%），同比+6.0pcts，环比+1.2pcts。资本开支方面，公司2024年Capex为298亿美元，指引2025年380-420亿美金超预期，其中，70%用于先进制程，10-20%用于特色工艺，10-20%用于先进封装掩模版制造。展望未来，公司认为25年库存恢复到比24年更健康的水平，代工行业将同比增长10%，AI相关需求强劲，其他终端需求逐步复苏。台积电预计25年收入增长mid 20%，2024-2029年收入CAGR将达20%；2024年AI收入占比15%，预计25年AI收入翻倍，2024-2029年CAGR达45%，AI收入将成为HPC平台增长的关键驱动力。 荷兰管制加宽，重视设备产业链国产化机会。荷兰官网信息披露，自2025年4月1日起，将修改其针对先进半导体制造设备的国家出口管制措施，修订措施对于ALD、PECVD、计算光刻软件等细节进行了新增并主要增加了量检测设备。 1）量检测设备：量测检测设备价值量高，我们测算2025年全球量检测设备市场规模有望达157.3亿美元，测算中国大陆半导体量测检测设备市场规模有望达51.9亿美元，当前量检测设备市场主要由KLA等海外厂商垄断，国产替代率低，尤其是光刻系统配套的高端产品，突破需求迫切，当前荷兰新增量检测设备管制，后续存在对应先进零部件断供风险，国内量检测产业链需同步推进国产替代，重视本土厂商发展机遇。 2）光刻设备：光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，光刻设备为第一大半导体设备，光刻机市场主要由ASML、佳能、尼康垄断，当前国内光刻设备国产替代率极低，本土厂商不具备高端光刻设备量产能力，芯片向先进制程演进下，光刻设备需求向高端产品集中，国产替代亟需加速推进，自上游光源、精密光学仪器等零部件，至高端光刻机整机制造，产业链需协同配套突破，作为晶圆产线核心卡脖子环节，高度重视光刻产业链突破带来的重大机遇。 美国进一步限制16/14纳米及以下先进制程以及先进封装，国产先进制程、先进封装为重中之重。2025年1月15日，美国联邦公报官网发布公告称，BIS宣布修订出口管理法规（EAR），限制海外晶圆代工厂和先进封装厂为中国企业代工和封装基于16/14纳米及以下制程且超过300亿个或更多的晶体管晶体管数量限制的逻辑芯片。晶圆代工作为国产算力芯片的底座，大陆代工厂有望获得更多的先进制程转单需求，获得历史性的发展机遇；同时，算力芯片也推动了先进封装的需求，目前长电、通富、甬矽等本土厂商先进封装能力不断积累，逐渐崭露头角。我们认为目前美国科技封锁持续加剧，算力产业链国产化亟待推进，应重视晶圆代工、先进封装等底座环节。 周观点：相关标的见尾页。 风险提示：下游需求不及预期、研发进展不及预期、地缘政治风险。 重点标的 股票代码 1、台积电：25年资本开支持续提升，AI收入未来五年CAGR达45% AI需求强劲，为台积电长期增长注入强大动能，公司显著上调未来五年AI收入CAGR指引为45%。此前公司在2024年4月24Q1业绩发布会上，预计2024年AI收入占营收比例达到10%左右（low-teens），预计到2028年占比提升至20%以上，未来五年CAGR达到50%。在这次24Q4业绩发布会上，公司2024年AI收入（包含AI GPU、AI ASIC和HBM控制器）超过三倍增长，占比总营收的15%（mid-teens），预计2025年AI收入还将翻倍。此外，公司显著上调了未来五年AI收入复合增速指引，在已经翻三倍增长的2024年AI收入基础上，公司预计未来五年AI收入CAGR达45%（（mid-40%），AI收入将成为HPC平台增长的关键驱动力，为未来几年整体收入增量做出最大贡献。 图表1：台积电显著上调未来五年AI收入CAGR指引 台积电1月16日发布24Q4及全年业绩，营收和毛利率均处指引上沿。2024全年，公司实现营收900.8亿美元，同比增长30%，得益于 3nm 和 5nm 的强劲需求推动，超过了代工2.0（（所有逻辑晶圆制造、封装、测试、掩模制造等）行业的6%同比增长；毛利率同比增长1.7pcts至56.1%，主因产能利用率增长，部分被 3nm 产能爬坡抵消。从24Q4单季度来看，公司营收268.8亿美元，处于24Q4指引上沿（261-269亿美元），同比+37%，环比+14%；毛利率为59%，也处于24Q4指引上沿（57%-59%），同比增长6.0pcts，环比增长1.2pcts。 图表2：台积电24Q4业绩情况 3nm 驱动增长，HPC需求旺盛。从技术细分来看， 24Q43nm 营收占比26%，5、 7nm 分别占比34%、14%，先进制程（（即 7nm 和更高级制程）占比达到74%；2024全年，3nm 、 5nm 、 7nm 分别占比18%、34%和17%，先进制程占比为69%，高于2023年的58%。从应用细分来看，24Q4，HPC/手机/IoT/汽车/DCE分别环比+19%/+17%/-15%/+6%/-6%，营收占比分别为53%/35%/5%/4%/1%；2024全年，HPC/手机/IoT/汽车/DCE分别同比增长58%/23%/2%/4%/2%，营收占比分别为51%/35%/6%/5%/1%。 图表3：24Q4按技术划分收入 图表4：24Q4先进制程收入情况 图表5：24Q4按应用划分收入 图表6：24Q4各应用营收环比增速 台积电预计2025年收入增长25%左右，继续超越行业增速，未来五年收入复合增速将达20%。公司预计25Q1营收将在250-258亿美元之间，中值环比下降5.5%，同比增长34.7%；毛利率在57%-59%之间，中值环比下降1pct，主因 N2 和CoWoS扩张导致成本上升。公司预计2025年 3nm 产能提升对毛利率的稀释影响逐步减少，而海外晶圆厂产能提升，预计带来2%-3%的利润率稀释影响。展望2025全年，公司认为代工行业库存将恢复到比2024年更健康的水平，在AI的强劲需求和其他细分终端市场温和复苏的推动下，代工2.0市场将在2025年同比增长10%，预计公司全年收入（以美元计）同比增长25%（mid 20s）左右，继续超越行业增速。长期来看，公司预计2024-2029年收入（以美元计）CAGR将达到20%。 图表7：台积电25Q1业绩指引 台积电2025年Capex指引为380-420亿美元，以支持未来高增长。台积电2024年资本开支为298亿美元，公司将继续投资以支持客户的增长，紧握5G、AI和HPC等行业大趋势带来的机遇。公司预计2025年资本开支在380-420亿美元之间，上限超出市场预期，其中70%将用于先进制程的扩产，10%-20%将用于特色工艺，10%-20%将用于先进封装、测试、光罩等。 图表8：台积电2024年资本开支 2、荷兰出口管制加宽，国产设备替代势在必行 2.1荷兰出口管制加宽 荷兰官网信息披露，自2025年4月1日起，荷兰将修改其针对先进半导体制造设备的国家出口管制措施，这是对2023年9月1日开始实施的国家出口管制措施的第二次调整。出口管制措施的扩展适用于从荷兰出口到欧盟之外的所有目的地，仅涵盖非常有限的技术和商品，涉及仅由荷兰极少数公司出口的特定设备及属于该计划的公司总产品组合的一小部分，修订措施对于ALD、PECVD、计算光刻软件等细节进行了新增并主要增加了量检测设备。修改后，部分先进半导体制造设备出口管制具体如下： 外延设备：Si、SiGe外延设备（有有（ 至少一个预处理室（晶圆表面理理）（ ，外延沉积室设 计用于在958K(685°C)或更低的工作温度）。 理洗设备：去除聚合物残留物和氧化铜层，为在真空环境（等于或小于0.01Pa）中沉积铜金属做准备及使用多个室或多站干式去除表面氧化物或干式去除表面污染物。 沉积设备：1）ALD设备：a.金属Mo/RuALD设备、TiAlCALD沉积设备、高深宽比设备。 2）PECVD：金属孔上的层厚度为6至 20nm ，深度/高度比等于或大于1:1.8，宽度小于24nm ，介电常数小于3.0。 量检测设备：1）12英寸晶圆检测设备：小于等于 21nm 精度的检测设备（采用波长小于 400nm 光源/分辨率小于1.65nm/两个或多个电子束源/冷场发射电子束源）。2）用于显影后或刻蚀后测量晶圆对准精度的设备，精度小于或等于 0.5nm （集成到涂胶显影机/使用快速波长切换功能）。 光刻设备：光源的波长等于或大于 193nm 、能够生成最小可分辨特征尺寸(MRF)为 45nm 或更小的图案，最大专用卡盘覆盖层(DCO)值小于或等于 1.50nm ，大于等于 2.4nm 。 计算光刻软件：用于开发或生产深紫外DUV光刻掩膜上图案的计算光刻软件。 2.2量检测设备：高价值量设备领域，重视本土厂商发展机遇 2025年全球半导体设备市场规模有望达1210亿美元。半导体设备是集成电路和广泛应用的半导体微观器件产业的基石，随着微观器件的尺寸不断缩小，结构日益复杂，其重要性愈发凸显。2023年全球半导体设备市场出货金额为1063亿美金，同比-1.3%，伴随周期低点过去，终端市场需求回暖及各大晶圆厂扩产动作持续，SEMI预计2024年全球半导体设备市场将达到1130亿美金新高，同比+6.4%。展望未来，SEMI预计2025年全球半导体设备市场规模将达1210亿美元，同比+7.1%，2026年市场规模有望延续增长至1390亿美元。受益于国内晶圆厂持续扩产，中国大陆半导体设备全球份额逐步提升，2020-2023年份额居全球首位，根据wind数据，2024Q1-Q3中国大陆半导体设备全球份额达到45%，销售额达376.6亿美元，引领全球半导体设备市场。 图表9：全球半导体设备市场规模及同比（亿美元） 图表10：分地区半导体设备销售额（十亿美元） 前道量/检测在芯片制程中起着至关重要的作用，是提高芯片良率、降低制造成本、推进工艺迭代的重要环节。过程控制设备包括应用于量测和检测设备，用于芯片生产过程中精度、缺陷等保障，并且协助优化设备运行，提升成品率。 图表11：半导体量测与检测分类 图表12：检测缺陷&量测尺寸 根据制造过程中采用的不同材料和结构，工艺检测设备分别采用包括宽波段光谱（紫外到红外）、电子束、激光和X射线等多种不同技术。性能指标方面，随着工艺不断向细微线宽发展，器件形态结构也由二维平面结构向三维结构转变，因此对检测设备的灵敏度、可适用性、稳定性及吞吐量等都有更高要求。 图表13：光学检测技术、电子束检测技术和X光量测技术特征比较 量测检测设备是集成电路生产过程中仅次于薄膜沉积设备、刻蚀机、光刻机的核心设备，从趋势上看，半导体量/检测设备将往光学检测技术、多系统组合、采用大数据检测算法和软件及提高设备检测速度和吞吐量发展： 1）光学检测技术分辨率提高：随着DUV、EUV光刻技术的发展，集成电路工艺节点不断提升，对检测技术的空间分辨车提出了更高的要求。系统光源波长下限进一步减小和波长范围进一步拓宽是光学检测技术发展的重要趋势之一，应用光学检测技术的设备可以相对较好的实现有高精度和高速度的均衡，并能够满足其他技术所不能实现的功能，如三维形貌测量、光刻套刻测量和多层膜厚测量等应用，因此采用占多数。根据VLSIResearch，2023年全球半导体检测和量测设备市场中，检测设备占比67.9%，包括纳米图形晶圆缺陷检测设备、无图形晶圆缺陷检测设备、图形晶圆缺陷检测设备等；量测设备占比30.8%，包括关键尺寸量测设备、套刻精度量测设备、薄膜膜厚量测