半导体2024年三季度投融市场报告

半导体 2024年三季度投融市场报告 撰稿来觅研究院李沛瑶 设计来觅数据设计团队 行业概要 半导体季度概览三季度行业相关政策Q3时间线 半导体季度概览 行业持续上行，但复苏进度一波三折。2024年三季度，半导体依然位于上行区间。美国半导体行业协会（SIA）表示2024年8月全球半导体销售额约为461.7亿美元，同比增长16.30%（上月同比增长15.20%），环比减少3.07%（上月环比减少2.12%）。一知名海外大行表示，半导体上行周期正在接近尾声，将于2024年四季度达到顶点，主要是由于主要企业的盈利和需求都已看到拐点。另一海外大行对此意见相左，他们认为根据半导体的周期特点，2025年二季度会见到本轮周期的高点，主要是由于AI的需求不如市场预期的影响大。总体而言，行业上行仍在持续，但行业上行已经入后半段已成确定事实，复苏进入一波三折阶段。 存 储 价 格 持 续 反 弹，热 门 料 号 与 利 基 产 品 节 奏 不 一。DXI指 数（DRAMExchange）显示自2023年9月开始，存储价格开始企稳反弹，2024年三季度，DXI指数持续反弹，但增幅已有所减缓。此外，利基型存储如DDR3的部分型号三季度现货价格有所回落，也代表涨价自热门料号的传导并非那么顺利。市场不再表现为同涨同跌，而是节奏出现分化。 海外与国内整体节奏迥异，相关风向标公司展望积极。本轮周期上行主要是由于人工智能对半导体的需求所致，由于众所周知的原因，国内该部分产能有所缺失。目前国内半导体产能集中于成熟制程，下游分布以消费为主。随着“降息周期”正式开启，我们判断全球消费需求会显著提升，相关企业也将迎来明显的增长。晶圆代工企业中芯国际在二季度财报电话会议上表示，预计全年销售收入增幅将超过同行平均值，其12寸产品上出现了供不应求迹象。 Q3时间线 07月18日产业 07月05日政策 台积电在2024年第二季度的营收和利润均高于公司指引上限。同时，台积电对第三季度的展望十分乐观，公司预计受益于AI相关和智能手机需求的强劲，先进制程产品将获得更多青睐。公司给出的Q3营收、毛利率、营业利润率指引均超过彭博一致预期 国务院新闻办公室举办“推动高质量发展”系列发布会，工信部表示，要提前围绕人形机器人、脑机接口、元宇宙、下一代互联网、6G、量子科技等领域，做好科技创新和产业深度融合 08月19日并购 07月12日融资 芯驰科技近期完成了10亿元人民币的战略融资，亦庄国投参与本轮融资。据了解，芯驰科技的投后估值超过了140亿元人民币。此轮融资将帮助芯驰科技进一步推动智能车芯技术的发展和应用，加强与国内外主机厂的合作，加速智能汽车新产品的开发和量产进程 AMD同意以现金加股票的方式收购服务器制造商ZT System，交易价值49亿美元。ZTSystem位于美国新泽西州，是一家为全球超大规模计算公司提供AI和通用计算基础设施的供应商 Q3时间线 09月21日并购 08月21日产业 SEMI发布最新报告显示，2024年第二季度全球半导体制造业呈 现改 善趋 势，集成 电 路销售 额实 现显 著增 长。2024年第二季度，全球集成电路销售额同比增长27%，预计第三季度将进一步增长29%，超过2021年的历史纪录，第三季度产业销售也将出现反弹 有媒体报道称，高通已就收购事宜接洽英特尔。考虑到涉及的金额庞大，且两家全球巨头的业务遍及美国、欧洲、中国等全球主要市场，并购案需要通过多国和地区的监管，达成交易的难度非常高。知情人士表示，交易还远未确定 09月06日融资 09月26日产业 合肥长鑫旗下的长鑫新桥存储技术有限公司宣布完成了一轮战略融资，融资额为82.2亿人民币。这次融资的投资方包括合肥产投集团。这次融资对于公司的发展具有重要意义，有助于公司进一步扩大生产规模，提升技术能力，以及增强市场竞争力。 美光公布2024财年第四季度业绩，其中第四季度美光实现77.5亿美 元 收 入，环 比 提 升13.79%，同 比 提 升93.27%。毛 利 率 为35.3%，较上季度提升8.4%。美光表示，增长主要是由于AI需求带来的存储强劲增长，并预计2025财年的收入将创下历史新高 投融动态 Q3投融动态活跃投资者Q3关键融资事件赛道图谱 Q3投融动态 产业融资有所回暖，但受去年同期影响融资金额同比有所回落。根据来觅PEVC数据，2024年三季度半导体产业合计发生融资案例130起，与上季度保持一致，同比减少了1.52%；总融资金额166.8亿元，环比增长了83.51%，同比减少了59.01%。三季度融资案例数同环比变化差别不大，但融资金额变动较大，主要是由于极大值事件变动的影响。总体而言，复苏的产业趋势给半导体投融注入了一剂强心针。 芯片设计领域融资案例数、融资金额均居首位。从细分行业来看，芯片设计板块仍然是重点，2024年三季度芯片设计板块共计75件融资案例，合计融资金额达139.01亿元，融资金额占比为83.33%（含传感器和EDA），集中度较上季度有所提升。半导体设备融资案例数屈居第二，共发生29起，合计融资金额达9.27亿元，占比为6.67%。半导体材料共发生融资案例16起，合计融资金额达6.25亿元，占比为3.75%。融资案例数分布较上季度相差不大，但融资金额分布差距有一些变化，主要是由于本季度分立器件领域存在大额融资事件，因而占比相对较高。 成熟制程呈现复苏态势，先进制程持续供不应求。2024年第三季度，全球半导体产业在消费电子市场回暖、存储器市场复苏以及AI和HPC领域的强劲需求推动下，整体表现强劲。中国半导体市场表现尤为突出，长电科技等龙头企业受益于下游需求复苏，营收创历史新高。华虹半导体亦表示Q2需求增长主要来自消费电子市场，预计下半年将保持95%以上产能利用率，ASP将呈现出逐季上涨的趋势。与此同时，台积电表示AI需求推动三季度业绩全线超预期，3nm制程占比不断提升，AI产品供不应求将引领毛利率持续走高。 Q3投融动态 从细分赛道来看，存储芯片融资金额居首、半导体前道设备融资案例数排名第一。从细分赛道来看，半导体前道设备是2024年三季度融资案例数最多的细分赛道，达16起，合计融资金额达3.9亿元。融资案例数排名第二的是模拟芯片，有14起，合计融资金额达4.6亿元。传感器芯片融资案例数排名第三，融资事件达12起，合计融资金额达10.3亿元。存储芯片融资金额断崖式领先，主要是由于合肥长鑫的大额融资；除合肥长鑫外，国内存储芯片动作连连，另一巨头长江存储子公司新芯集成亦启动了IPO流程，这也代表过去数年的存储攻坚战正进入了收获果实阶段。 融资案例数轮次分布与去年相差不大。从投资轮次来看，2024年第三季度投资事件分布与去年同期相差不大，投资事件依旧主要集中在A轮及A轮以前，三者合计融资案例数64起，环比减少了5起，占比有所下降；其中A轮融资案例数最多，达35起，占比为26.92%。B轮融资案例数占比约23.08%，较去年同期上升了4个百分点；天使轮、D轮、E轮融资案例占比最少，合计不超过6%。 从融资金额来看，轮次分布大幅后移。三季度融资金额主要集中在战略融资，融资金额达89.3亿元，占交易总金额的53.55％，这主要是由于极大值融资影响。除战略融资外，A轮融资金额合计25.1亿元，占总规模的15.05%，较去年同期增加了约6%。而早期投资（A轮及以前）合计融资29.9亿元，占总规模的17.92%。整体来看，由于极大值融资事件的影响，二季度半导体行业融资轮次有所后移。 活跃投资者 从活跃投资者分布来看，机构投资者投资于半导体领域大于50次的总数量为24家。其中，总投资次数不少于100次的有3家，分别是中芯聚源、元禾控股、深创投等。2023年以来投资次数不少于20次有12家，近两年来主要投资领域是半导体前道设备、化合物半导体、模拟芯片、功率半导体等。 行业趋势 半导体前道设备 半导体前道设备 2024年9月9日，工信部印发了《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024版）》通知，在文件列表中包含国产氟化氪（KrF）光刻机，和氟化氩（ArF）光刻机的内容。9月10日，SMEE（上海微电子）公开一项关于极紫外（EUV）辐射发生装置及光刻设备的新专利。光刻机是半导体制造中的一种关键设备，它使用特殊的光源通过光罩照射到涂有光敏材料的硅片上，形成有效电路图案。根据光源的不同，光刻机可分为G-line光刻机、I-line光刻机、KrF光刻机、ArF光刻机（包括ArF Dry和ArFi，统称为DUV光刻机）、EUV光刻机等。光刻机被称为半导体工业皇冠上的明珠，是技术难度、价值量最高的半导体设备。 根据《瓦森纳协定》，美国及其盟友限制向中国出口高端技术和设备，光刻机赫然在列。2018年，中国企业中芯国际向ASML支付了一台EUV光刻机的定金，但最终却没有完成交付。此后，禁令愈演愈烈，先进的浸润式DUV光刻机如NXT 2050i、NXT2100i亦无法交付。2024年9月，迫于压力，ASML宣布将不再对中国特定购买的DUV光刻机提供售后维修服务。全球光刻机市场竞争格局中，ASML、Nikon和Canon三大供应商占据了99%市场份额，其中ASML以82.14%的市场份额占据绝对霸主地位。ASML是光刻机的集大成者，引领光刻机的技术进步。目前来看，国内光刻机国产化率不足1%，是国产设备里最需要突破的领域。 半导体设备可以初步分为半导体前道设备、半导体后道设备、半导体设备零部件。其中半导体前道设备是半导体工艺中用于制造的设备，也是技术难度最高、价值量最大的部分，半导体前道设备占据半导体设备的80%以上的市场份额。光刻机又在半导体前道设备中占据核心位置。除了光刻机外，其他半导体前道设备包括刻蚀机、薄膜沉积设备等。光刻、薄膜沉积、刻蚀是半导体制造的三大核心工艺。 半导体前道设备 薄膜沉积是指在芯片纳米级结构中逐层堆叠薄膜形成电路结构，根据薄膜沉积时反应的原理不同，薄膜沉积设备可以分为PVD（物理沉积）、CVD（化学沉积）、ALD（原子层沉积），这三种设备应用于不同的工艺，彼此之间相互补充。先进制程逻辑芯片升级与存储芯片3D化带来薄膜沉积设备需求量增大，预计2024年国内薄膜沉积设备市场规模有望突破400亿元。就目前市场竞争格局而言，海外厂商如AMAT、ASMI、Lam、TEL等占据薄膜沉积设备大部分市场份额。但国内薄膜沉积设备技术进展良好，拓荆科技、北方华创等厂商已顺利导入国内先进制程产线，产品精度可用于14nm及以上芯片的制造。 刻蚀是指使用化学或物理方法有选择地在硅片表面去除不需要的材料的过程，根据工艺的不同，刻蚀机可以分为干法刻蚀和湿法刻蚀，目前，干法刻蚀已占据大部分市场。干法刻蚀中根据离子能量不同，可以主要分为ICP刻蚀设备（硅刻蚀、金属刻蚀）、CCP刻蚀设备（电介质刻蚀），二者市场份额几乎相当。从全球市场来看，Lam、TEL和AMAT几乎垄断全球干法刻蚀设备市场。国内主要的干法刻蚀设备厂商包括北方华创、中微公司、屹唐半导体等。以目前国内晶圆厂招标数据来看，刻蚀设备国产替代率较高。目前中微公司5nm刻蚀机已进入台积电产线，刻蚀机在能力上基本已解决国产替代的问题。 从2023年的半导体前道设备上市公司营收角度来看，清洗设备和CMP设备的国产化率已经比较高，刻蚀设备和薄膜沉积设备的国产化率稍微高一点，预计在20-30%左右，其余的设备国产化率低于个位数，核心的光刻机国产化率几乎为0。从工艺覆盖角度来看，除了光刻机，国产设备在成熟制程上基本已经突破，除了提升成熟制程设备的工艺覆盖度以外，正在积极进行先进技术节点的突破。 半导体前道设备 美国对我国先进技术节点的生产设备等禁运，导致国内先进技术节点发展受阻；成熟制程的扩产符合市场规律：当前28nm及以上的技术节点仍然占据较大的市场规模，伴随国内设计企业逐步转单国内，原来使用60nm、45nm芯片的产品逐步转向28nm，28nm需求未来仍