兴证电子美光FYQ3业绩持续改善AI拉动HBM3E快速放量1FY

2）分产品：DRAM营收47亿美元，占比69%，QoQ+13%，出货量中个位数环降，ASP环增约20%；NAND营收21亿美元，占比30%，QoQ+32%，出货量高个位数环增，A【兴证电子】美光FYQ3业绩持续改善，AI拉动HBM3E快速放量1）FYQ3：收入68亿美元 ，yoy+82%/qoq+17%，毛利率28%，qoq+8%；净利润7.02亿美元，同比扭亏，qoq+47%。 2）分产品：DRAM营收47亿美元，占比69%，QoQ+13%，出货量中个位数环降，ASP环增约20%；NAND营收21亿美元，占比30%，QoQ+32%，出货量高个位数环增，ASP环增约20%；3）分BU：计算和网络（CNBU）收入yoy+85%/qoq+18%；移动 端（MBU）yoy+94%/qoq-1%；嵌入式（EBU）yoy+42%/qoq+16%；硬盘（SBU）yoy+116%/qoq+50%。 FYQ4指引：收入74~78亿美元，中值76亿美元，毛利率33.5%~35.5%，中值34 .5% 展望：FY24DRAM/NAND供不应求1）需求：预计24年DRAM/NANDbit需 求量将增长中十位数，中期来看，DRAMbit需求量将增长中十位数，NANDbit需求量将增长高十位数2）供给：预计24年DRAM和NAND出货量小于需求。 预计HBM大规模量产会限制非HBM产品供应紧张，HBM3E所需的晶圆数量是D5的三倍左右，HBM4消耗的比例将更高，3）资本开支：FY24资本开支80亿美元，预计FY24WFE设 备开支同比下降，FY25资本开支大幅增加，约为营收的35% 下游市场：1）数据中心：预计24年服务器出货量增长中高个位数，其中AI服务器高增长，传统服务器温和增长。 本季度HBM3E收入超过1亿美元，预计FY24HBM收入数亿美元，FY25HBM收入数十亿美元，CY24和25年公司HBM已经卖空，预计25年HBM份额赶上DRAM份额。 公司已经送样了12层HBM3E，产能逐步爬坡，25年大规模量产，并对HBM4和HBM4E技术领先保持信心2）PC：预计24年销量增长低个位数。 预计2025年随着windows10生命周期结束，windows12的发布和AIPC的放 量将加快PC的换机周期3）手机：预计24年销量增长中低个位数，预LP5X用于12GB和16Gb手机上，相比去年旗舰机型容量增长50-100%。 4）汽车：汽车行业对存储的强劲需求，美光实现了单季汽车营收历史新高。 在第三财季，公司推出了全球首款多端口第4代NVMeSSD，支持下一代集中式计算架构 。5）工业：近期从分销商和终端客户砍到了短期需求的不确定性，但长期基本面充满信心，尤其是AI相关的应用。