后800G时代优选—“光学硅”薄膜铌酸锂首先网

首先网络侧的升级迭代速率有望显著加速。 原因有两点： 1.算力芯片升级加速。 AI需求随应用推进随时迎来爆发奇点。 2.算力集群运行，对通信传输要求甚于算力增长。 首先网络侧的升级迭代速率有望显著加速。 原因有两点： 1.算力芯片升级加速。 AI需求随应用推进随时迎来爆发奇点。 2.算力集群运行，对通信传输要求甚于算力增长。 未来几年800G向1.6T/3.2T升级进度有望明显加快。 薄膜铌酸锂TFLN—”光学硅”：铌酸锂是可靠材料中电光系数最优选（考虑居里点）。 薄膜工艺拉近电极距离，降低电压提升带宽电压比。 TFLN兼具大带宽/低损耗/低驱动电压等诸多光电最需要的优点。 投资建议：薄膜铌酸锂调制器：光库科技等；TFLN薄膜铌酸锂方案光模块厂商：中际旭创、新易盛、联特科技、德科立等。 风险提示：AI发展不及预期，算力需求不及预期，相关技术研发进度风险。