通信行业点评：后800G时代优选-“光学硅”薄膜铌酸锂

光模块产业在AI的推动下，预计将迎来持续的高增长。此增长的主要推动力在于传输速率的升级和代际提升的加速，这要求光模块厂商具备更高的交付能力和优化成本/功耗的能力，并对材料提出更高要求。其中，薄膜铌酸锂因其在电光性能上的优势，被视为“光学硅”，具有大带宽、低损耗、低驱动电压等优点。

在AI时代，提升网络侧传输速率变得至关重要。由于AI的需求激增，网络升级迭代的速度有望显著加速，原因包括算力芯片的升级加速和算力集群运行时对通信传输的更高要求。预计未来几年，光模块的传输速率将从800G升级至1.6T/3.2T，这一进程可能超出市场预期。在速率升级后，材料特性差异将更加明显，薄膜铌酸锂有望在市场中占据更大份额。

薄膜铌酸锂调制器的市场空间广阔，预测2024年全球高速相干光调制器出货量将达到200万端口，若薄膜铌酸锂调制器渗透率达到50%，对应市场空间约为82-110亿元。预计薄膜铌酸锂调制器将逐步取代InP和硅基SiPh的部分市场份额，特别是在1.6T/3.2T以上的高速度市场，有望在AI的推动下实现高速发展。

薄膜铌酸锂调制器的设计与工艺难度较高，主要由富士通、住友、Lumentum（由光库科技收购的生产线）及国产优质厂商铌奥光电、宁波元芯等企业掌握。考虑到其技术壁垒，这些厂商的竞争格局相对可观。

针对此市场，建议关注薄膜铌酸锂调制器相关企业，如光库科技等，以及TFLN薄膜铌酸锂方案光模块厂商，如中际旭创、新易盛、联特科技、德科立等。然而，AI发展、算力需求和相关技术研发进度存在不确定性，投资者应对此保持警惕。